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公開番号2025072987
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-12
出願番号2023183506
出願日2023-10-25
発明の名称半導体装置および半導体装置の製造方法
出願人富士電機株式会社
代理人弁理士法人RYUKA国際特許事務所
主分類H10D 30/66 20250101AFI20250501BHJP()
要約【課題】第1電極、保護膜およびめっき層により形成される三重点には、はんだが到達しないことが好ましい。
【解決手段】上面を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記上面の上方に設けられる第1電極と、前記第1電極の上方に設けられる保護膜と、前記第1電極の上方に設けられ、上面視において前記保護膜と重ならない非重畳部分を有するめっき層と、前記保護膜と前記第1電極の間から、前記非重畳部分と前記第1電極の間まで連続して設けられた窒化膜とを備え、前記窒化膜の厚みよりも、前記窒化膜よりも上方にある前記めっき層の厚みの方が大きい半導体装置を提供する。
【選択図】図2A
特許請求の範囲【請求項１】
上面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記上面の上方に設けられる第１電極と、
前記第１電極の上方に設けられる保護膜と、
前記第１電極の上方に設けられ、上面視において前記保護膜と重ならない非重畳部分を有するめっき層と、
前記保護膜と前記第１電極の間から、前記非重畳部分と前記第１電極の間まで連続して設けられた窒化膜と
を備え、
前記窒化膜の厚みよりも、前記窒化膜よりも上方にある前記めっき層の厚みの方が大きい
半導体装置。
続きを表示（約 590 文字）【請求項２】
前記窒化膜が前記めっき層に接している
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記窒化膜が前記第１電極に接している
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記保護膜と前記めっき層が接している
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記保護膜と前記めっき層が離れている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
上面視において、前記窒化膜と前記めっき層が重なる部分の、前記めっき層の端辺と垂直な方向における第１長さが１μｍ以上である
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
上面視において、前記第１長さが２μｍ以上である
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
上面視において、前記第１長さが４μｍ以下である
請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記窒化膜の内、前記保護膜よりも前記めっき層の側に突出している部分は、３μｍ以上、７μｍ以下である
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記保護膜の厚みよりも、前記めっき層の厚みの方が大きい
請求項１に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、アルミ電極と有機保護膜の間に中間層が設けられた半導体装置が知られている（特許文献１参照）。また、保護膜、めっき層およびエミッタ電極の各端部が重なる三重点が存在しない半導体装置が知られている（特許文献２参照）。
特許文献１ＷＯ２０１７／１０３９７８
特許文献２特開２０１７－１６８６５９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
第１電極、保護膜およびめっき層により形成される三重点には、はんだが到達しないことが好ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記課題を解決するために、本発明の第１の態様においては、上面を有する半導体基板を備える半導体装置を提供する。上記半導体装置は、前記半導体基板の前記上面の上方に設けられる第１電極を備えてよい。上記いずれかの半導体装置は、前記第１電極の上方に設けられる保護膜を備えてよい。上記いずれかの半導体装置は、前記第１電極の上方に設けられ、上面視において前記保護膜と重ならない非重畳部分を有するめっき層を備えてよい。上記いずれかの半導体装置は、前記保護膜と前記第１電極の間から、前記非重畳部分と前記第１電極の間まで連続して設けられた窒化膜を備えてよい。上記いずれかの半導体装置において、前記窒化膜の厚みよりも、前記窒化膜よりも上方にある前記めっき層の厚みの方が大きくてよい。
【０００５】
上記いずれかの半導体装置において、前記窒化膜が前記めっき層に接していてよい。
【０００６】
上記いずれかの半導体装置において、前記窒化膜が前記第１電極に接していてよい。
【０００７】
上記いずれかの半導体装置において、前記保護膜と前記めっき層が接していてよい。
【０００８】
上記いずれかの半導体装置において、前記保護膜と前記めっき層が離れていてよい。
【０００９】
上記いずれかの半導体装置の上面視において、前記窒化膜と前記めっき層が重なる部分の、前記めっき層の端辺と垂直な方向における第１長さが１μｍ以上であってよい。
【００１０】
上記いずれかの半導体装置の上面視において、前記第１長さが２μｍ以上であってよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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