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公開番号
2025081841
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-05-28
出願番号
2023194880
出願日
2023-11-16
発明の名称
半導体装置及びその製造方法
出願人
富士電機株式会社
代理人
個人
,
個人
主分類
H01L
23/12 20060101AFI20250521BHJP(基本的電気素子)
要約
【課題】端子と金属層との接合強度を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、表面に連続して凹凸が形成された凹凸部21a,21bが設けられた孔21を上面に有する金属層2aと、孔21に挿入された一端を有し、金属層2aの上面から上方に延伸する端子6aとを備える。半導体装置の製造方法は、表面に連続して凹凸が形成された凹凸部21a,21bが設けられた孔21を有する金属層2aを用意する工程と、端子6aを用意する工程と、端子6aの一端を孔21に挿入することにより、端子6aを金属層2aに接合する工程とを含む。
【選択図】図2
特許請求の範囲
【請求項1】
表面に連続して凹凸が形成された凹凸部が設けられた孔を上面に有する金属層と、
前記孔に挿入された一端を有し、前記金属層の上面から上方に延伸する端子と、
を備える半導体装置。
続きを表示(約 540 文字)
【請求項2】
前記凹凸部が前記孔の側面に設けられている
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記凹凸部が前記孔の底面に設けられている
請求項1又は2に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記端子の一端が、前記凹凸部に嵌合する形状を有する
請求項1又は2に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記端子の表面側に、前記金属層よりも柔らかいめっき層が設けられている
請求項1又は2に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記端子の表面側に、前記金属層よりも硬いめっき層が設けられている
請求項1又は2に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記凹凸部がネジである
請求項1又は2に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記孔の上部に段差部を有する
請求項1又は2に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記段差部の底面に凹凸部が設けられている
請求項8に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記孔の上部にテーパ部を有する
請求項1又は2に記載の半導体装置。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置及びその製造方法に関する。
続きを表示(約 1,500 文字)
【背景技術】
【0002】
特許文献1には、回路基板上の金属板に設けられた端子を挿入するための孔が台形を逆にした形状であることが開示されている。特許文献2には、端子の圧入部表面にめっき層を設けることが開示されている。特許文献3には、係止ピンを放熱板に圧入することが開示されている。特許文献4には、回路パターン上に、ネジ孔を設けた端子台を接合することが開示されている。特許文献5には、ケース上に設けた端子挿入穴に接続端子を挿入することが開示されている。
【0003】
特許文献6には、端子に圧入ピンを用いてもよいことが開示されている。特許文献7には、放熱板上にピン部を挿入する円形穴を設けることが開示されている。特許文献8には、導体層上に外部端子を挿入する中空部材を設けることが開示されている。特許文献9には、回路基板の金属板に端子(コンタクトピン)をレーザ、電子線、抵抗、スピン、摩擦、超音波溶接又はボールボンディングで接合することが開示されている。特許文献10には、回路基板の金属板にコンタクトピンを圧入することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
特開2019-161174号公報
特開2013-102112号公報
特開1997-283682号公報
特開2018-113326号公報
特開2014-175444号公報
特表2019-506753号公報
特開2020-136369号公報
特開2021-19064号公報
米国特許第8563364号明細書
米国特許第8586420号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
従来の半導体装置において、絶縁回路基板の導電板等の金属層に設けた孔に、端子を圧入することにより、金属層と端子を接合することが検討されている。しかし、端子を保持する機構が圧入による力のみのため、端子と金属層との接合強度が弱く、長期駆動後に端子が抜ける可能性がある。
【0006】
上記課題に鑑み、本開示は、端子と金属層との接合強度を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示の一態様は、表面に連続して凹凸が形成された凹凸部が設けられた孔を上面に有する金属層と、孔に挿入された一端を有し、金属層の上面から上方に延伸する端子とを備える半導体装置であることを要旨とする。
【0008】
本開示の他の態様は、表面に連続して凹凸が形成された凹凸部が設けられた孔を有する金属層を用意する工程と、端子を用意する工程と、端子の一端を孔に挿入することにより、端子を金属層に接合する工程とを含む半導体装置の製造方法であることを要旨とする。
【0009】
本開示の更に他の態様は、孔を有する金属層を用意する工程と、少なくとも一端の表面に連続して凹凸が形成された凹凸部が設けられた端子を用意する工程と、端子の凹凸部が設けられた一端を孔に挿入することにより、端子を金属層に接合する工程とを含む半導体装置の製造方法であることを要旨とする。
【発明の効果】
【0010】
本開示によれば、端子と金属層との接合強度を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
(【0011】以降は省略されています)
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