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公開番号2025071077
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-02
出願番号2024185179
出願日2024-10-21
発明の名称塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
出願人住友化学株式会社
代理人個人,個人
主分類G03F 7/004 20060101AFI20250424BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】ラインエッジラフネス(LER)が良好なレジストパターンを製造する。
【解決手段】式(I)で表される塩を含有する酸発生剤。
<com:Image com:imageContentCategory="Drawing"> <com:ImageFormatCategory>JPEG</com:ImageFormatCategory> <com:FileName>2025071077000208.jpg</com:FileName> <com:HeightMeasure com:measureUnitCode="Mm">49</com:HeightMeasure> <com:WidthMeasure com:measureUnitCode="Mm">170</com:WidthMeasure> </com:Image>
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項1】
式(I)で表される塩を含有する酸発生剤。
JPEG
2025071077000197.jpg
49
170
[式(I)中、
Xは、硫黄原子又はヨウ素原子を表す。
m10は、0又は1を表し、Xが硫黄原子の場合、m10は1であり、Xがヨウ素原子の場合、m10は0である。

1A
及びR
1B
は、それぞれ独立に、*-X

-R
10
又は*-X

-L
10
-X

-R
10
を表し、*は、R

が結合するベンゼン環又はR

が結合するベンゼン環との結合部位を表す。


及びX

は、それぞれ独立に、*-CO-O-、*-O-CO-、*-O-CO-O-又は*-O-(但し、*は、ベンゼン環又はL
10
との結合部位を表す。)を表す。 L
10
は、置換基を有してもよい炭素数1~28の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH

-は、-O-、-S-、-SO

-又は-CO-に置き換わっていてもよい。

10
は、-SO

-を有する基を表す。


は、ハロゲン原子又は炭素数1~36の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、置換基を有してもよく、該炭化水素基に含まれる-CH

-は、-O-、-S-、-CO-、-SO-又は-SO

-で置き換わっていてもよい。


、R

及びR

は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又は炭素数1~36の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、置換基を有してもよく、該炭化水素基に含まれる-CH

-は、-O-、-S-、-CO-、-SO-又は-SO

-で置き換わっていてもよい。Xが硫黄原子の場合、R

とR

又はR

とR

が結合して、S

を含む環を形成してもよい。該環を形成するR

とR

又はR

とR

は、S

と結合する2つのベンゼン環の間に形成される単結合であってもよい。該環に含まれる-CH

-は、-O-、-S-、-CO-、-SO-又は-SO

-で置き換わっていてもよい。
m1Aは、0~5のいずれかの整数を表し、m1Aが2以上のとき、複数のR
1A
は互いに同一であっても異なってもよい。
続きを表示(約 5,400 文字)【請求項2】

10
の-SO

-を有する基が、式(T1A)で表される環を有する基である請求項1に記載の酸発生剤。
JPEG
2025071077000198.jpg
30
170
[式(T1A)中、

1A
は、酸素原子、硫黄原子、-NH-又はメチレン基を表す。

41A
は、ハロゲン原子もしくはヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~12のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~12のアリール基、炭素数7~12のアラルキル基、グリシジルオキシ基、炭素数2~12のアルコキシカルボニル基又は炭素数2~4のアルキルカルボニル基を表す。
maは、0~9のいずれかの整数を表す。maが2以上のとき、複数のR
41A
は同一であっても異なってもよい。
結合部位は任意の位置である。]
【請求項3】
m1Aが、1~3のいずれかの整数であり、

1A
が、-O-CO-O-R
10
又は-O-L
10
-CO-O-R
10
である請求項1に記載の酸発生剤。
【請求項4】
AI

が、式(I-A)で表されるアニオンである請求項1に記載の酸発生剤。
JPEG
2025071077000199.jpg
15
170
[式(I-A)中、

b1
は、単結合又は置換基を有してもよい(nb1+1)価の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH

-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO

-で置き換わっていてもよい。

b2
は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数1~24の2価の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH

-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO

-で置き換わっていてもよい。

b1
は、置換基を有してもよいメチル基又は置換基を有してもよい炭素数3~24の環状炭化水素基を表し、該環状炭化水素基に含まれる-CH

-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO

-で置き換わっていてもよい。
nb1は、1~6のいずれかの整数を表す。nb1が2以上のとき、複数の括弧内の基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。]
【請求項5】
請求項1~4のいずれか一項に記載の酸発生剤を含有するレジスト組成物。
【請求項6】
酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂をさらに含有し、
酸不安定基を有する前記構造単位が、式(a1-0)で表される構造単位、式(a1-1)で表される構造単位、式(a1-2)で表される構造単位、式(a1-4)で表される構造単位、式(a1-5)で表される構造単位及び式(a1-6)で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む請求項5に記載のレジスト組成物。
JPEG
2025071077000200.jpg
41
170
[式(a1-0)、式(a1-1)及び式(a1-2)中、

a01
、L
a1
及びL
a2
は、それぞれ独立に、-O-又は*-O-(CH


k1
-CO-O-を表し、k1は1~7のいずれかの整数を表し、*は-CO-との結合部位を表す。

a01
、R
a4
及びR
a5
は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。

a02
、R
a03
及びR
a04
は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表し、該アルキル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子を有してもよい。

a6
及びR
a7
は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基、炭素数2~8のアルケニル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基を表し、該アルキル基、該アルケニル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子を有してもよい。
m1′は、0~14のいずれかの整数を表す。
n1は、0~10のいずれかの整数を表す。
n1′は、0~3のいずれかの整数を表す。]
JPEG
2025071077000201.jpg
30
170
[式(a1-4)中、

a1
は、水素原子、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。

a17
は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~12のアルコキシアルキル基、炭素数2~12のアルコキシアルコキシ基、炭素数2~4のアルキルカルボニル基、炭素数2~4のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。

a11
は、単結合又は炭素数1~12のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる-CH

-は、-O-、-CO-又は-NR
a18
-に置き換わってもよい。

a18
は、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。

a1
は、単結合又はカルボニル基を表す。

a34
及びR
a35
は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、R
a36
は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、R
a35
及びR
a36
は互いに結合してそれらが結合する-C-O-とともに炭素数2~20の2価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該2価の炭化水素基に含まれる-CH

-は、-O-又は-S-で置き換わってもよい。
na1は、1~5のいずれかの整数を表し、na1が、2以上のとき、複数の括弧内の基は、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。
na11は、0~4のいずれかの整数を表し、na11が2以上のとき、複数のR
a17
は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
mcは、0~2のいずれかの整数を表す。]
JPEG
2025071077000202.jpg
43
170
【請求項7】
式(a2-A)で表される構造単位を含む樹脂をさらに含有する請求項5に記載のレジスト組成物。
JPEG
2025071077000204.jpg
30
170
[式(a2-A)中、

a2
は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。

a27
は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~12のアルコキシアルキル基、炭素数2~12のアルコキシアルコキシ基、炭素数2~4のアルキルカルボニル基、炭素数2~4のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。

a21
は、単結合又は炭素数1~12のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる-CH

-は、-O-、-CO-又は-NR
a28
-に置き換わってもよい。

a28
は、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。

a2
は、単結合又はカルボニル基を表す。
nA2は、1~5のいずれかの整数を表す。nA2が2以上のとき、複数の括弧内の基は互いに同一であっても異なっていてもよい。
na21は、0~4のいずれかの整数を表す。na21が2以上のとき、複数のR
a27
は互いに同一であっても異なっていてもよい。
mcは、0~2のいずれかの整数を表す。]
【請求項8】
前記酸発生剤から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩をさらに含有する請求項5に記載のレジスト組成物。
【請求項9】
(1)請求項5に記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後のレジスト組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程、及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
【請求項10】
式(I)で表される塩。
JPEG
2025071077000205.jpg
49
170
[式(I)中、
Xは、硫黄原子又はヨウ素原子を表す。
m10は、0又は1を表し、Xが硫黄原子の場合、m10は1であり、Xがヨウ素原子の場合、m10は0である。

1A
及びR
1B
は、それぞれ独立に、*-X

-R
10
又は*-X

-L
10
-X

-R
10
を表し、*は、R

が結合するベンゼン環又はR

が結合するベンゼン環との結合部位を表す。


及びX

は、それぞれ独立に、*-CO-O-、*-O-CO-、*-O-CO-O-又は*-O-(但し、*は、ベンゼン環又はL
10
との結合部位を表す。)を表す。 L
10
は、置換基を有してもよい炭素数1~28の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH

-は、-O-、-S-、-SO

-又は-CO-に置き換わっていてもよい。

10
は、-SO

-を有する基を表す。


は、ハロゲン原子又は炭素数1~36の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、置換基を有してもよく、該炭化水素基に含まれる-CH

-は、-O-、-S-、-CO-、-SO-又は-SO

-で置き換わっていてもよい。


、R

及びR

は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又は炭素数1~36の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、置換基を有してもよく、該炭化水素基に含まれる-CH

-は、-O-、-S-、-CO-、-SO-又は-SO

-で置き換わっていてもよい。Xが硫黄原子の場合、R

とR

又はR

とR

が結合して、S

を含む環を形成してもよい。該環を形成するR

とR

又はR

とR

は、S

と結合する2つのベンゼン環の間に形成される単結合であってもよい。該環に含まれる-CH

-は、-O-、-S-、-CO-、-SO-又は-SO

-で置き換わっていてもよい。
m1Aは、0~5のいずれかの整数を表し、m1Aが2以上のとき、複数のR
1A
は互いに同一であっても異なってもよい。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。
続きを表示(約 990 文字)【背景技術】
【0002】
特許文献1には、下記式で表される塩を酸発生剤として含有するレジスト組成物が記載されている。
【0003】
JPEG
2025071077000001.jpg
25
170
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
特開2011-085878号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
ラインエッジラフネス(LER)が良好なレジストパターンを製造することができる技術が求められている。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明は、以下の発明を含む。
[発明1]
式(I)で表される塩を含有する酸発生剤。
【0007】
JPEG
2025071077000002.jpg
49
170
【0008】
[式(I)中、
Xは、硫黄原子又はヨウ素原子を表す。
m10は、0又は1を表し、Xが硫黄原子の場合、m10は1であり、Xがヨウ素原子の場合、m10は0である。
【0009】

1A
及びR
1B
は、それぞれ独立に、*-X

-R
10
又は*-X

-L
10
-X

-R
10
を表し、*は、R

が結合するベンゼン環又はR

が結合するベンゼン環との結合部位を表す。
【0010】


及びX

は、それぞれ独立に、*-CO-O-、*-O-CO-、*-O-CO-O-又は*-O-(但し、*は、ベンゼン環又はL
10
との結合部位を表す。)を表す。 L
10
は、置換基を有してもよい炭素数1~28の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH

-は、-O-、-S-、-SO

-又は-CO-に置き換わっていてもよい。
(【0011】以降は省略されています)

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