特許ウォッチ

公開番号2025070992
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-02
出願番号2024175689
出願日2024-10-07
発明の名称構造物の製造方法およびレジスト剥離方法
出願人日本化薬株式会社
代理人
主分類G03F 7/42 20060101AFI20250424BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】
本発明の目的は、上述のような従来のレジスト用剥離液に関する技術的課題を解決し、短時間の内に、剥離残さが無く、かつ目的とする構造物へのダメージの少ない処理を実施できるレジスト剥離方法と、当該方法を用いる構造物の製造方法を提供することにある。
【解決手段】
2種以上の処理液を順に用い、50μm以上の厚さのレジストを剥離することを特徴とする構造物の製造方法。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
２種以上の処理液を順に用い、５０μｍ以上の厚さのレジストを剥離することを特徴とする構造物の製造方法。
続きを表示（約 530 文字）【請求項２】
前記２種以上の処理液を順に用いる工程を、２回以上繰り返す請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記２種以上の処理液が、（Ａ）膨潤液と（Ｂ）剥離液である、請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記（Ａ）が、（Ａ－１）有機溶剤を１０質量％以上含有する膨潤液である請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
前記（Ａ）が、２種以上の有機溶剤を含有する膨潤液である請求項３に記載の製造方法。
【請求項６】
前記（Ａ）が、（Ａ－２）アミン化合物を含有する膨潤液である請求項３に記載の製造方法。
【請求項７】
前記（Ｂ）が、塩基性水溶液である、請求項３に記載の製造方法。
【請求項８】
前記（Ｂ）が、（Ｂ－１）アミン化合物を含有する剥離液である、請求項３に記載の製造方法。
【請求項９】
前記レジストが、ドライフィルムレジストを含む請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項１０】
レジストがドライフィルムレジストを複数層積層したレジストである請求項１又は２に記載の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、主に半導体デバイス製造工程等において用いられるレジスト剥離方法と、当該方法を利用した構造物の製造方法に関する。
続きを表示（約 3,200 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路は、基体上にフォトレジストを塗布し、露光、現像の後、エッチングを行い、回路を形成した後、フォトレジストを基体上から剥離するか、回路形成の後、アッシングを行い、レジストを除去した後、残ったレジスト残渣を剥離する方法で製造される。
また、プリント配線基板は、一般にドライフィルムレジストをラミネートし、露光、現像の後、エッチングを行い、回路を形成した後、レジストを基体上から剥離する方法で製造される。レジストを剥離するためには、レジスト剥離液を用いる湿式法が一般的に用いられる。
【０００３】
半導体分野では、最近ウエハレベルＣＳＰ（チップサイズパッケージ）やフリップチップ実装用端子として半田バンプが必須となっているが、バンプ形成プロセスのために厚膜（４０～１５０μｍ厚み程度）のレジストが用いられることが多い。レジスト膜は厚くなるほど剥離が困難になる上、レジストパターンに半田ペーストを埋め込んでからバンプを形成するための加熱プロセス（リフロー）を経ることで、レジスト膜に熱履歴がかかり、さらに剥離し難くなることがあり、高い剥離性能を持つ剥離液が要求されている。
剥離液としては、水酸化ナトリウム水溶液や一般の有機溶剤を単独で用いても剥離効果があるが、剥離性は充分でない。そのため従来、剥離性を向上させるため様々なレジスト剥離液が提案されてきた。
【０００４】
このようなレジスト剥離液としては、例えば、アルカノールアミン類を用いたレジスト剥離液組成物が知られている（特許文献１参照）。
ところが、アルカノールアミンを用いた剥離液組成物では、ドライエッチング、アッシング、イオン注入などの処理をされ無機的性質に変質したレジスト残渣の剥離には不十分となっている。
また、最新のサブミクロン処理技術では、ＴｉＮ，ＴｉＳｉなどを含む金属材料が使用されるが、これらの金属材料を使用した場合、処理中にチタン酸化物などの安定な副産物が生じる。チタン酸化物は従来使用されてきたアルカノールアミンでは剥離することができなかった。
また、極性有機溶媒とアミンやアンモニウム塩等のアルカリ性有機化合物を組み合わせることにより、剥離性能を向上させる技術が知られている（特許文献２、３、４、５、６、７、８参照）。しかし、これらは剥離性の面から十分とは言えなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開昭６２－４９３５５号公報
特許第３３０２１２０号公報
特開平１１－１６８８２号公報
特開平１０－２３９８６５号公報
特開２００１－９８１９１号公報
特開２００１－２１５７３６号公報
特開２００１－３１２０７４号公報
特開２００２－１２８９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、上述のような従来のレジスト用剥離液に関する技術的課題を解決し、短時間の内に、剥離残さが無く、かつ目的とする構造物へのダメージの少ない処理を実施できるレジスト剥離方法と、当該方法を用いる構造物の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記課題を解決する為に鋭意研究した結果、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明は、以下１）～１２）に関する。
１）
２種以上の処理液を順に用い、５０μｍ以上の厚さのレジストを剥離することを特徴とする構造物の製造方法。
２）
前記２種以上の処理液を順に用いる工程を、２回以上繰り返す上記１）に記載の製造方法。
３）
前記２種以上の処理液が、（Ａ）膨潤液と（Ｂ）剥離液である、上記１）又は２）に記載の製造方法。
４）
前記（Ａ）が、（Ａ－１）有機溶剤を１０質量％以上含有する膨潤液である上記３）に記載の製造方法。
５）
前記（Ａ）が、２種以上の有機溶剤を含有する膨潤液である上記３）又は４）に記載の製造方法。
６）
前記（Ａ）が、（Ａ－２）アミン化合物を含有する膨潤液である上記３）乃至５）のいずれか一項に記載の製造方法。
７）
前記（Ｂ）が、塩基性水溶液である、上記３）乃至６）のいずれか一項に記載の製造方法。
８）
前記（Ｂ）が、（Ｂ－１）アミン化合物を含有する剥離液である、上記３）乃至７）のいずれか一項に記載の製造方法。
９）
前記レジストが、ドライフィルムレジストを含む上記１）乃至８）のいずれか一項に記載の製造方法。
１０）
レジストがドライフィルムレジストを複数層積層したレジストである上記１）乃至９）のいずれか一項に記載の製造方法。
１１）
前記構造物が、複数の柱状導電性構造物である上記１）乃至１０）のいずれか一項に記載の製造方法。
１２）
２種以上の処理液を順に用い、５０μｍ以上の厚さのレジストを剥離するレジスト剥離方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の構造物の製造方法は、下地の絶縁層に影響を及ぼさずに、その上の液状フォトレジスト、ドライフィルムレジスト等のレジスト材料に対して、良好な剥離特性を示し、かつ目的とする構造物へのダメージが少ないという効果を有する。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の構造物の製造方法は、２種以上の処理液を順に用い、５０μｍ以上の厚さのレジストを剥離することを特徴とする。
【００１０】
［レジストについて］
本発明は、開口部が形成されたレジスト層に金属の電解メッキを行うことでメッキレジスト膜を得、その後レジスト剥離液を用いたディップ法、あるいはシャワー法等によってメッキレジスト膜を剥離し、柱状導電性構造物を製造する方法に用いられる。
使用されるレジストは液状フォトレジストでも、ドライフィルムレジストでも良い。液状レジストとしては、エポキシ樹脂組成物やポリイミド樹脂組成物、アクリル樹脂組成物等の感光性レジストを挙げることができる。またドライフィルムレジストは、反応機構によりネガ型とポジ型に分類され、ネガ型は露光により光重合硬化し,現像液に不溶化するタイプであり、ポジ型は露光部分が現像液に溶解性となるものである。現在のドライフィルムレジストとしてはネガ型が主に用いられており、一般的に、フィルム形成能を付与するアクリル系等のバインダーポリマーと、ラジカル重合反応を担うアクリルモノマー、光重合開始剤、染料、密着剤等の添加剤から構成されている。
そして、本発明の方法によって得られる構造物は、柱状の構造物が連続的に形成されているものであり、約５０μｍ以上の高さを有することが好ましい。すなわち開口部が形成されたレジストの厚さは５０μｍ以上である。この厚さの下限として、より好ましくは、順に６０μｍ、７５μｍ、９０μｍ、１１０μｍ、１２０μｍ、１３０μｍ、１４０μｍ、１５０μｍ、であり、特に好ましくは１６０μｍである。また上限としては、５００μｍ程度でよいが、より好ましくは、順に４５０μｍ、４００μｍ、３５０μｍ、３００μｍであり、特に好ましくは２５０μｍである。
本発明のレジストとしてドライフィルムレジストを用いた場合、単層での厚さとしては５０μｍ以上１２０μｍ以下である場合が好ましく、複数層を積層することで上記レジストの厚さを実現することができる。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許