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公開番号
2025018971
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-02-06
出願番号
2024113420
出願日
2024-07-16
発明の名称
ウェーハとチップ
出願人
き邦科技股分有限公司
代理人
弁理士法人服部国際特許事務所
主分類
H01L
21/301 20060101AFI20250130BHJP(基本的電気素子)
要約
【課題】ウェーハとチップを提供する。
【解決手段】本発明に係るウェーハ100は、複数のチップ110と、少なくとも1つのスクライブライン120と、金属層130と、非導電性材料で製造されている抑制部材140と、を備えている。金属層はスクライブラインに設置されていると共にスクライブラインの近傍にあるチップまで延伸される。抑制部材はスクライブライン及びスクライブラインの近傍にあるチップを被覆している。抑制部材は第1除去部141及び抑制部142を有し、第1除去部及び抑制部は金属層の第2除去部131及び残留部132の上方にそれぞれ位置している。スクライブプロセスにおいて、スクライブライン、第1除去部、及び第2除去部が除去され、抑制部及び残留部がチップに保留される。スクライブプロセスにおいて、抑制部材は残留部が捲れ上がるまたは金属バリが形成されるのを防止するために用いられている。
【選択図】図5
特許請求の範囲
【請求項1】
複数のチップと、
隣接するこれら前記チップの間に位置している少なくとも1つのスクライブラインと、
前記スクライブラインに設置されていると共に前記スクライブラインの近傍にある前記チップまで延伸されている金属層と、
非導電性材料で形成されている抑制部材であって、前記抑制部材は前記スクライブライン及び前記スクライブラインの近傍にある前記チップを被覆し、前記抑制部材は第1除去部及び抑制部を有し、前記第1除去部は前記金属層の第2除去部の上方に位置し、前記抑制部は前記金属層の残留部の上方に位置し、スクライブプロセスにおいて、前記スクライブライン、前記スクライブラインに位置している前記第1除去部及び前記第2除去部が除去され、前記抑制部及び前記残留部が前記チップに保留される抑制部材と、を備えていることを特徴とするウェーハ。
続きを表示(約 1,300 文字)
【請求項2】
前記チップのそれぞれは保護層を有し、前記保護層は前記残留部を被覆すると共に前記第2除去部は被覆せず、前記第1除去部は前記第2除去部を被覆し、前記抑制部材は前記保護層を被覆し、前記保護層は前記抑制部と前記残留部との間に位置し、前記抑制部は第1高さを有し、前記保護層は第2高さを有し、前記第1高さは前記第2高さより高いことを特徴とする請求項1に記載のウェーハ。
【請求項3】
前記チップのそれぞれは少なくとも1つの導電性パッド及びシールリングを有し、前記シールリングは前記導電性パッドを巻回し、前記抑制部は前記シールリングに近接する第1側壁を有し、前記残留部は前記シールリングに近接する第2側壁を有し、第1仮想線は前記第1側壁に沿って延伸され、第2仮想線は前記第2側壁に沿って延伸され、前記第1仮想線と前記第2仮想線との間の第1距離は5μm以上であることを特徴とする請求項1に記載のウェーハ。
【請求項4】
前記シールリングと前記第1仮想線との間の第2距離は1μm以上であることを特徴とする請求項3に記載のウェーハ。
【請求項5】
前記チップのそれぞれは少なくとも1つのバンプを更に有し、前記保護層に突出する前記バンプは第3高さを有し、前記第3高さは前記第1高さ以上であることを特徴とする請求項2に記載のウェーハ。
【請求項6】
前記第3高さは前記第1高さより高く、前記第3高さと前記第1高さとの差は7μm以下であることを特徴とする請求項5に記載のウェーハ。
【請求項7】
複数の抑制部材を備え、隣接するこれら前記抑制部材の間には開口部を有し、前記チップのそれぞれのアクティブ面はバンプ設置エリアを有し、前記開口部は前記バンプ設置エリアに連通されていることを特徴とする請求項1に記載のウェーハ。
【請求項8】
前記チップのそれぞれのアクティブ面はバンプ設置エリアを有し、軸は前記バンプ設置エリアから前記抑制部材に向けて延伸され、前記軸の方向に沿って、前記スクライブラインは第1幅を有し、前記金属層は第2幅を有し、前記抑制部材は第3幅を有し、前記第1幅は前記第2幅より狭く、前記第2幅は前記第3幅より狭いことを特徴とする請求項1に記載のウェーハ。
【請求項9】
前記軸に対して垂直になる方向に沿って、前記抑制部材は長さを有し、前記長さは60μm以上であることを特徴とする請求項8に記載のウェーハ。
【請求項10】
非導電性材料で形成されている抑制部であって、前記抑制部は抑制部材の第1除去部を除去してからチップのアクティブ面に保留され、前記抑制部は第1断面及び前記第1断面に対する第1側壁を有し、前記第1断面は前記チップの側壁に露出する抑制部と、
金属層の第2除去部を除去してから前記チップに保留される残留部であって、前記抑制部は前記残留部の上方に位置し、前記残留部は第2断面及び前記第2断面に対する第2側壁を有し、前記第2断面は前記チップの前記側壁に露出する残留部と、を備えていることを特徴とするチップ。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、ウェーハとチップに関し、詳しくは、スクライブプロセスにおいて金属層が捲れ上がるまたは金属バリが発生する状況を防止するウェーハとチップに関するものである。
続きを表示(約 1,800 文字)
【背景技術】
【0002】
従来の技術では、従来のウェーハ10は、複数のチップ11と、複数のスクライブライン12と、少なくとも1つの金属層13と、を備えている。スクライブライン12は隣接するチップ11の間に位置し、金属層13はスクライブライン12に設置されていると共に、スクライブライン12の近傍にあるチップ11まで延伸されている。金属層13はテストパッド、標記、または回路でもよい(図1から図3参照)。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
スクライブプロセスにおいて、スクライブライン12に沿ってウェーハ10を切断し、チップ11を分離する。切断された金属層13はチップ11上に残留部13aを残留し、金属層13が展延性を有しているため、残留部13aが捲れ上がったり、金属バリ13bが形成されることがある。
【0004】
図3に示すように、回路基板のリード21がチップ11のそれぞれのバンプ14に接合されると、リード21が捲れ上がった残留部13aや金属バリ13bに接触し、チップ11及び回路基板にショートや電気的異常が発生した。
【0005】
そこで、本発明者は上記の欠点が改善可能と考え、鋭意検討を重ねた結果、合理的設計で上記の課題を効果的に改善する本発明の提案に至った。
【0006】
本発明は、上述に鑑みてなされたものであり、その目的は、ウェーハとチップを提供することである。つまり、抑制部材がスクライブライン及びスクライブラインの近傍にあるチップを被覆することで、スクライブラインに位置していると共にチップまで延伸されている金属層の引張強度を強化し、金属層が切断されると残留部が捲れ上がるまたは金属バリが形成される状況を防止する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記課題を解決するために、本発明の一態様であるウェーハは、複数のチップと、少なくとも1つのスクライブラインと、金属層と、抑制部材と、を備えている。前記スクライブラインは隣接する前記チップの間に位置し、前記金属層は前記スクライブラインに設置されていると共に前記スクライブラインの近傍にある前記チップまで延伸されている。前記抑制部材は非導電性材料で形成され、前記抑制部材は前記スクライブライン及び前記スクライブラインの近傍にある前記チップを被覆し、前記抑制部材は第1除去部及び抑制部を有し、前記第1除去部は前記金属層の第2除去部の上方に位置し、前記抑制部は前記金属層の残留部の上方に位置している。スクライブプロセスにおいて、前記スクライブライン、前記スクライブラインに位置している前記第1除去部及び前記第2除去部が除去され、前記抑制部及び前記残留部が前記チップに保留される。
【0008】
また、本発明の別の態様であるチップは、抑制部及び残留部を備えている。前記抑制部は非導電性材料で形成され、前記抑制部は抑制部材の第1除去部を除去してから前記チップのアクティブ面に保留される。前記抑制部は第1断面及び前記第1断面に対する第1側壁を有し、前記第1断面は前記チップの側壁に露出する。前記残留部は金属層の第2除去部を除去してから前記チップに保留され、前記抑制部は前記残留部の上方に位置している。前記残留部は第2断面及び前記第2断面に対する第2側壁を有し、前記第2断面は前記チップの前記側壁に露出する。
【0009】
抑制部材はスクライブライン及びスクライブラインの近傍にあるチップを被覆し、金属層の引張強度を強化するために用いられ、スクライブライン、及びスクライブラインに位置している第1除去部、第2除去部が除去される際に、残留部が切断ツールにより捲り上げられるまたは金属バリが形成される状況を防止する。また、チップに保留されている抑制部がチップに接合されている回路基板(不図示)のリードを支持することで、リードが抑制部の第1断面及び残留部の第2断面に接触し、ショートや電気的異常が発生するという問題を防止する。
【0010】
後述する明細書及び図面の記載から、少なくとも以下の事項が明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
(【0011】以降は省略されています)
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