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公開番号2024166530
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-29
出願番号2023082686
出願日2023-05-19
発明の名称半導体製造装置
出願人三菱電機株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/304 20060101AFI20241122BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ウエハの一方の面を保持した状態で保持している面を研削することが可能である半導体製造装置を提供する。
【解決手段】平面視においてウエハ10の第1主面10aの中央部に当接し、ウエハ10を保持する第1主面保持部1と、平面視においてウエハ10の中心と重なって第1主面10aに垂直な方向に延びる回転軸9を中心として回転し、第1主面10aの中央部を囲む領域である外周部に当接して第1主面10aの外周部を研削する第1研削部3と、を備える半導体製造装置。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
平面視においてウエハの第１主面の中央部に当接し、前記ウエハを保持する第1主面保持部と、
平面視において前記ウエハの中心と重なって前記第１主面に垂直な方向に延びる回転軸を中心として回転し、前記第１主面の中央部を囲む領域である外周部に当接して前記第１主面の外周部を研削する第１研削部と、
を備えた半導体製造装置。
続きを表示（約 790 文字）【請求項２】
前記第１研削部は平面視において中央にくり抜いた領域である第１くり抜き部を有し、前記第1主面保持部が平面視において前記第１くり抜き部に重なって配置された請求項１の半導体製造装置。
【請求項３】
前記回転軸を中心として回転し、前記第１主面の反対面である第２主面に当接して前記第２主面を研削する第２研削部を備えた請求項１の半導体製造装置。
【請求項４】
前記第２研削部は平面視において中央に、くり抜いた領域である第２くり抜き部または前記第２主面から遠ざかる方向に凹んだ領域である凹み部を有する請求項３の半導体製造装置。
【請求項５】
前記第２研削部は、平面視において前記回転軸から遠くなるにしたがって、前記回転軸の延在する方向において前記第２主面に近づく領域を有する請求項３の半導体製造装置。
【請求項６】
前記第２研削部は前記第２主面の全面に当接する請求項３の半導体製造装置。
【請求項７】
前記第２研削部が回転する方向は前記第１研削部が回転する方向と逆の方向である請求項３～６のいずれか1項に記載の半導体製造装置。
【請求項８】
前記第２研削部の単位時間当たりの回転数は前記第１研削部の単位時間当たりの回転数より大きい請求項３～６のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項９】
前記第1主面保持部は真空吸着によって前記第１主面を吸着し前記ウエハを保持する請求項１～６のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項１０】
前記第1主面保持部は前記第１主面が前記第２主面に対して鉛直方向において下となるように前記ウエハを保持する請求項１～６のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体製造装置に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置を構成するＳｉＣ基板であるウエハの表面にエピタキシャル成長によってエピタキシャル層を形成したときに，ウエハの裏面には特にその外周部に裏面突起と称される円錐状の突起が発生することがあり，またウエハの表面には特にその外周部にエピクラウンと称される外周端に沿った環状の突起が発生することがある。裏面突起やエピクラウンが発生すると半導体装置製造工程の写真製版プロセスにおいてデフォーカスが発生するなどのトラブルの原因となる。
【０００３】
ウエハの突起に関しては、特許文献１においてウエハの表面側でウエハを保持した状態で中央に空洞を有する研磨盤を回転させてウエハの裏面の外周部に当接させ、ウエハの裏面の外周部に発生した突起を除去する研削装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開昭５８－１１４８４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載された装置はウエハの表面を保持した状態でウエハの裏面の研削を行う装置であり、ウエハの裏面に発生した裏面突起を除去しているときには、同時に表面に他の処理、例えば表面に発生した表面突起の除去などを行うことができないという問題があった。
【０００６】
本開示は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、ウエハの一方の面を保持した状態で保持している面を研削することが可能である半導体製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示に係る半導体製造装置は、平面視においてウエハの第１主面の中央部に当接し、ウエハを保持する第１主面保持部と、平面視においてウエハの中心と重なって第１主面に垂直な方向に延びる回転軸を中心として回転し、第１主面の中央部を囲む領域である外周部に当接して第１主面の外周部を研削する第１研削部と、を備えるものである。
【発明の効果】
【０００８】
本開示によれば、第１主面保持部がウエハの第１主面の中央部に当接してウエハを保持しながら第１研削部によって第１主面の外周部を研削することが可能となる。このため第１主面の反対面において同時に他の処理を行うことが可能となり、ウエハ両面の処理を短時間で実施することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
実施の形態１に係る半導体製造装置の概要を示す平面図である。
実施の形態１に係る半導体製造装置の概要を示す断面図である。
実施の形態１に係る半導体製造工程を模式的に示す断面図である。
実施の形態１に係る半導体製造工程を模式的に示す断面図である。
実施の形態１に係る半導体製造工程を模式的に示す断面図である。
実施の形態１に係る半導体製造工程を模式的に示す断面図である。
実施の形態１に係る半導体製造工程を模式的に示す断面図である。
実施の形態２に係る半導体製造装置の概要を示す断面図である。
実施の形態３に係る半導体製造装置の概要を示す断面図である。
【００１０】
本開示においてはウエハの第１主面をウエハ裏面、第１主面と反対側の面である第２主面をウエハ表面と称することがある。また鉛直方向における上方向を上（上方向）、その逆を下（下方向）と称することがある。また縦方向とはウエハが装置に載置されたときのウエハの第１主面および第２主面と垂直な方向であり、横方向とは縦方向と直交する方向である。また平面視とはウエハが装置に載置されたときのウエハの第１主面および第２主面と垂直な方向から視た視方であり、断面視とはウエハの第１主面および第２主面と平行な方向から視た視方である。
（【００１１】以降は省略されています）

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