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10個以上の画像は省略されています。
公開番号
2024163056
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2024-11-21
出願番号
2024075137
出願日
2024-05-07
発明の名称
カルボン酸塩、カルボン酸発生剤、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
出願人
住友化学株式会社
代理人
弁理士法人新樹グローバル・アイピー
主分類
G03F
7/004 20060101AFI20241114BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約
【課題】良好なCD均一性を有するレジストパターンを製造することができるカルボン酸塩、カルボン酸発生剤、樹脂、レジスト組成物等を提供すること。
【解決手段】式(I)で表されるカルボン酸塩又は式(IP)で表される構造単位を含有するカルボン酸発生剤及びレジスト組成物。
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【選択図】なし
特許請求の範囲
【請求項1】
式(I)で表されるカルボン酸塩又は式(IP)で表される構造単位を含有するカルボン酸発生剤。
TIFF
2024163056000212.tif
56
110
[式(I)及び式(IP)中、
W
1
及びW
2
は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭素数3~36の環状炭化水素基を表し、該環状炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-に置き換わっていてもよい。
X
1
は、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-又は-O-を表す。
L
1
及びL
2
は、それぞれ独立に、単結合又は置換基を有してもよい炭素数1~28の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-SO
2
-又は-CO-に置き換わっていてもよい。
X
20
は、単結合、*-O-**、*-CO-O-**、*-O-CO-O-**又は*-Ax-Ph-Ay-**を表す。
Phは、置換基を有していてもよいフェニレン基を表す。
Ax及びAyは、それぞれ独立に、単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、エステル結合、アミド結合及び炭酸エステル結合から構成される群から選択される1種以上の結合種を表す。
*及び**は、結合部位を表し、*は、R
5
が結合した炭素原子との結合部位を表す。
R
5
は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。
ZI
+
は有機カチオンを表す。]
続きを表示(約 4,400 文字)
【請求項2】
X
20
が、単結合又は式(X
20
-1)~式(X
20
-10)のいずれかで表される基である請求項1に記載のカルボン酸発生剤。
TIFF
2024163056000213.tif
45
170
[式(X
20
-1)~式(X
20
-10)中、
*、**は結合部位であり、*はR
5
が結合した炭素原子との結合部位を表す。
Rxは、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のフッ化アルキル基、炭素数1~18のアルキル基又は炭素数1~6のアルコキシ基を表す。
mxは、0~4のいずれかの整数を表す。
X
40
は、-O-又は-NR
3
-を表す。
R
3
は、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。]
【請求項3】
W
1
が、式(W-1)で表される環状炭化水素基である請求項1に記載のカルボン酸発生剤。
TIFF
2024163056000214.tif
24
62
[式(W-1)中、
W1は、炭素数(5+m1)の環状炭化水素基を表し、該環状炭化水素基に含まれる炭素原子は、隣接する2つの炭素原子間で二重結合を形成していてもよく、該環状炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-に置き換わっていてもよく、該環状炭化水素基に含まれる水素原子は、置換基に置換されていてもよい。
R
2
は、ハロゲン原子、炭素数1~6のハロアルキル基又は炭素数1~12のアルキル基を表し、該アルキル基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-CO-、-S-又は-SO
2
-で置き換わっていてもよく、該アルキル基は、W
1
に含まれる2つの炭素原子と結合してアルカンジイルブリッジを形成してもよく、該アルカンジイルブリッジに含まれる-CH
2
-は、-O-、-CO-、-S-又は-SO
2
-で置き換わっていてもよく、該アルカンジイルブリッジは、隣接する2つの炭素原子間で二重結合を形成していてもよい。
m1は、0~3のいずれかの整数を表す。
m2は、0~3のいずれかの整数を表し、m2が2以上のとき、複数のR
2
は互いに同一であっても異なってもよい。
*は、COO
-
に含まれる炭素原子との結合部位を表し、**は、X
1
との結合部位を表す。]
【請求項4】
X
1
が、*-CO-O-又は*-O-(但し、*は、W
1
との結合部位を表す。)である請求項1に記載のカルボン酸発生剤。
【請求項5】
L
1
及びL
2
が、それぞれ独立に、単結合又は炭素数1~8のアルカンジイル基(該アルカンジイル基に含まれる-CH
2
-は、-O-又は-CO-に置き換わっていてもよい。)である請求項1に記載のカルボン酸発生剤。
【請求項6】
W
2
が、ハロゲン原子、炭素数1~6のハロアルキル基又は炭素数1~12のアルキル基(該アルキル基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-CO-、-S-又は-SO
2
-で置き換わっていてもよい。)を有してもよい炭素数6~10の芳香族炭化水素基である請求項1に記載のカルボン酸発生剤。
【請求項7】
請求項1~6のいずれかに記載のカルボン酸発生剤及び該カルボン酸発生剤以外の酸発生剤を含有するレジスト組成物。
【請求項8】
カルボン酸発生剤が、式(I)で表されるカルボン酸塩であり、
酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂をさらに含有する、又は、
カルボン酸発生剤が、式(IP)で表される構造単位を含む樹脂であり、
該樹脂が、酸不安定基を有する構造単位をさらに含む請求項7に記載のレジスト組成物。
【請求項9】
酸不安定基を有する構造単位が、式(a1-0)で表される構造単位、式(a1-1)で表される構造単位、式(a1-2)で表される構造単位、式(a1-4)で表される構造単位、式(a1-5)で表される構造単位及び式(a1-6)で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む請求項8に記載のレジスト組成物。
TIFF
2024163056000215.tif
43
145
[式(a1-0)、式(a1-1)及び式(a1-2)中、
L
a01
、L
a1
及びL
a2
は、それぞれ独立に、-O-又は*-O-(CH
2
)
k1
-CO-O-を表し、k1は1~7のいずれかの整数を表し、*は-CO-との結合部位を表す。
R
a01
、R
a4
及びR
a5
は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。
R
a02
、R
a03
及びR
a04
は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表し、該アルキル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子を有してもよい。
R
a6
及びR
a7
は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基、炭素数2~8のアルケニル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基を表し、該アルキル基、該アルケニル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子を有してもよい。
m1’は0~14のいずれかの整数を表す。
n1は0~10のいずれかの整数を表す。
n1’は0~3のいずれかの整数を表す。]
TIFF
2024163056000216.tif
45
62
[式(a1-4)中、
R
a32
は、水素原子、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。
R
a33
は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~12のアルコキシアルキル基、炭素数2~12のアルコキシアルコキシ基、炭素数2~4のアルキルカルボニル基、炭素数2~4のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
A
a30
は、単結合又は*-X
a31
-(A
a32
-X
a32
)
nc
-を表し、*は-R
a32
が結合する炭素原子との結合部位を表す。
A
a32
は、炭素数1~8のアルカンジイル基を表す。
X
a31
及びX
a32
は、それぞれ独立に、-O-、-CO-O-又は-O-CO-を表す。
ncは、0又は1を表す。
laは、0~4のいずれかの整数を表す。laが2以上のいずれかの整数である場合、複数のR
a33
は互いに同一であっても異なっていてもよい。
R
a34
及びR
a35
は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、R
a36
は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、R
a35
及びR
a36
は互いに結合してそれらが結合する-C-O-とともに炭素数2~20の2価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該2価の炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-又は-S-で置き換わってもよい。]
【請求項10】
酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂が、式(a2-A)で表される構造単位を含む請求項8に記載のレジスト組成物。
TIFF
2024163056000219.tif
44
100
[式(a2-A)中、
R
a2
は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。
A
a21
は、単結合又は炭素数1~12のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-CO-又は-NR
a28
-に置き換わっていてもよい。
R
a28
は、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。
X
a2
は、単結合又は-CO-を表す。
R
a27
は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~12のアルコキシアルキル基、炭素数2~12のアルコキシアルコキシ基、炭素数2~4のアルキルカルボニル基、炭素数2~4のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
nA2は、1~5のいずれかの整数を表す。nA2が2以上のとき、複数のX
a2
は互いに同一であっても異なっていてもよい。
nA22は、0~4のいずれかの整数を表す。nA22が2以上のとき、複数のR
a27
は互いに同一であっても異なっていてもよい。]
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体の微細加工に用いられる酸発生剤用のカルボン酸塩、該カルボン酸塩を含むカルボン酸発生剤、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。
続きを表示(約 3,900 文字)
【背景技術】
【0002】
特許文献1には、下記式で表されるカルボン酸塩に由来する構造単位を含む樹脂を含有するレジスト組成物がそれぞれ記載されている。
TIFF
2024163056000001.tif
26
42
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2011-037834号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明は、上記のカルボン酸塩に由来する構造単位を含む樹脂を含有するレジスト組成物から形成されたレジストパターンよりも、良好なCD均一性(CDU)でレジストパターンを製造することができるカルボン酸塩を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明は、以下の発明を含む。
[1]式(I)で表されるカルボン酸塩又は式(IP)で表される構造単位を含有するカルボン酸発生剤。
TIFF
2024163056000002.tif
56
110
[式(I)及び式(IP)中、
W
1
及びW
2
は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭素数3~36の環状炭化水素基を表し、該環状炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-に置き換わっていてもよい。
X
1
は、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-又は-O-を表す。
L
1
及びL
2
は、それぞれ独立に、単結合又は置換基を有してもよい炭素数1~28の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-SO
2
-又は-CO-に置き換わっていてもよい。
X
20
は、単結合、*-O-**、*-CO-O-**、*-O-CO-O-**又は*-Ax-Ph-Ay-**を表す。
Phは、置換基を有していてもよいフェニレン基を表す。
Ax及びAyは、それぞれ独立に、単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、エステル結合、アミド結合及び炭酸エステル結合から構成される群から選択される1種以上の結合種を表す。
*及び**は、結合部位を表し、*は、R
5
が結合した炭素原子との結合部位を表す。
R
5
は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。
ZI
+
は有機カチオンを表す。]
[2]X
20
が、単結合又は式(X
20
-1)~式(X
20
-10)のいずれかで表される基である[1]に記載のカルボン酸発生剤。
TIFF
2024163056000003.tif
45
170
[式(X
20
-1)~式(X
20
-10)中、
*、**は結合部位であり、*はR
5
が結合した炭素原子との結合部位を表す。
Rxは、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のフッ化アルキル基、炭素数1~18のアルキル基又は炭素数1~6のアルコキシ基を表す。
mxは、0~4のいずれかの整数を表す。
X
40
は、-O-又は-NR
3
-を表す。
R
3
は、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。]
[3]W
1
が、式(W-1)で表される環状炭化水素基である[1]又は[2]に記載のカルボン酸発生剤。
TIFF
2024163056000004.tif
23
62
[式(W-1)中、
W1は、炭素数(5+m1)の環状炭化水素基を表し、該環状炭化水素基に含まれる炭素原子は、隣接する2つの炭素原子間で二重結合を形成していてもよく、該環状炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-に置き換わっていてもよく、該環状炭化水素基に含まれる水素原子は、置換基に置換されていてもよい。
R
2
は、ハロゲン原子、炭素数1~6のハロアルキル基又は炭素数1~12のアルキル基を表し、該アルキル基に含まれる-CH
【発明の効果】
【0006】
本発明のレジスト組成物を用いることにより、良好なCD均一性(CDU)でレジストパターンを製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【0007】
本明細書において、「(メタ)アクリル系モノマー」とは、「アクリル系モノマー及びメタクリル系モノマーの少なくとも1種」を意味する。「(メタ)アクリレート」及び「(メタ)アクリル酸」等の表記も同様の意味を表す。本明細書中に記載する基において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得るものについては、そのいずれでもよい。炭化水素基等に含まれる-CH
2
-が-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-で置き換わる場合、各基において同様の例を適用するものとし、置き換わる前の炭素数を炭化水素基等の炭素数とする。「組み合わせた基」とは、例示した基を2種以上結合させた基を意味し、それら基の価数は結合形態によって適宜変更してもよい。「由来する」又は「誘導される」とは、その分子中に含まれる重合性C=C結合が重合により-C-C-基(単結合)となることを指す。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を含む。「酸不安定基」とは、脱離基を有し、酸(例えば、トリフルオロメタンスルホン酸等)との接触により脱離基が脱離して、親水性基(例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基等)を形成する基を意味する。「塩基不安定基」とは、脱離基を有し、塩基(例えば、トリメチルアミン等)との接触により脱離基が脱離して、親水性基(例えば、カルボキシ基又はヒドロキシ基等)を形成する基を意味する。各基は、置換基の数等によって、その基に含まれる任意の位置及び数の水素原子が結合手に置き換わることがある。置換基における炭素数は、被置換基の炭素数には含めない。
本明細書において、「レジスト組成物の固形分」とは、レジスト組成物の総量から、後述する溶剤(E)を除いた成分の合計を意味する。
【0008】
〔式(I)で表されるカルボン酸塩〕
本発明は、式(I)で表されるカルボン酸塩(以下「塩(I)」又は「カルボン酸塩(I)」という場合がある)に関する。
塩(I)のうち、正電荷を有する側を「カチオン(I)」、負電荷を有する側を「アニオン(I)」と称することがある。
【0009】
TIFF
2024163056000011.tif
18
107
[式中、全ての符号は、それぞれ前記と同じ意味を表す。]
【0010】
式(I)において、W
1
及びW
2
の炭素数3~36の環状炭化水素基(以下、「環W
1
」並びに「環W
2
」と称する場合がある。)は、飽和及び不飽和のいずれでもよく、単環であってもよいし、多環であってもよく、多環の環状炭化水素基は、橋掛け環であってもよいし、スピロを形成していてもよい。環状炭化水素基としては、脂環式炭化水素基(該脂環式炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-に置き換わっていてもよい。)又は芳香族炭化水素基が挙げられる。なお、脂環式炭化水素基に含まれる炭素原子は、隣接する2つの炭素原子間で二重結合を形成していてもよい。環状炭化水素基の炭素数は、好ましくは3~30であり、より好ましくは3~24であり、さらに好ましくは3~20である。
脂環式炭化水素基としては、以下の脂環式炭化水素基等が挙げられる。結合部位は任意の位置とすることができる。
TIFF
2024163056000012.tif
34
164
具体的に、単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロプロパンジイル基、シクロブタンジイル基、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、シクロヘプタンジイル基、シクロオクタンジイル基、シクロデカンジイル基等の単環式シクロアルカンジイル基等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフタンジイル基、アダマンタンジイル基、ノルボルナンジイル基、ノルボルネンジイル基、ビシクロ[3.3.0]オクタンジイル基等の多環式シクロアルカンジイル基等が挙げられる。
また、脂環式炭化水素基に含まれる隣接する2つの炭素原子間で二重結合を形成している環状炭化水素基は、以下の環状炭化水素基が挙げられる。
TIFF
2024163056000013.tif
11
82
(【0011】以降は省略されています)
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