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公開番号2024155737
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-31
出願番号2024031883
出願日2024-03-04
発明の名称排ガス処理装置および排ガス処理方法
出願人株式会社荏原製作所
代理人個人,個人,個人
主分類F23M 5/08 20060101AFI20241024BHJP(燃焼装置;燃焼方法)
要約【課題】本発明は、筒体への副生成物の付着、および腐食性ガスと筒体との接触を防止し、かつ排ガスを効率的に処理することができる排ガス処理装置および排ガス処理方法を提供する。
【解決手段】排ガス処理装置1は、排ガスを処理するための排ガス処理装置1であって、熱を生成する熱生成装置5を備えた熱生成部2と、熱生成部2に接続され、熱により排ガスを熱処理する熱処理部3を備え、熱処理部3は、排ガスの流路Fを形成する筒体20と、筒体20内に水を供給して筒体の内面に水膜を形成する水供給構造体30を有し、筒体20は、直径が広がる径拡大部21を有する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
排ガスを処理するための排ガス処理装置であって、
熱を生成する熱生成装置を備えた熱生成部と、
前記熱生成部に接続され、前記熱により前記排ガスを熱処理する熱処理部を備え、
前記熱処理部は、
前記排ガスの流路を形成する筒体と、
前記筒体内に水を供給して前記筒体の内面に水膜を形成する水供給構造体を有し、
前記筒体は、直径が広がる径拡大部を有する、排ガス処理装置。
続きを表示（約 880 文字）【請求項２】
前記径拡大部は、下方に向かって直径が徐々に広がる形状を有している、請求項１に記載の排ガス処理装置。
【請求項３】
前記筒体は、前記径拡大部の上端に接続された小径直管部をさらに有する、請求項１に記載の排ガス処理装置。
【請求項４】
前記径拡大部の内面は、粗面加工により形成された粗面であり、
前記径拡大部の内面は、前記水膜が前記径拡大部の内面の全体に形成される滑落角を有する、請求項１に記載の排ガス処理装置。
【請求項５】
前記筒体は、前記径拡大部の下端に接続された大径直管部をさらに有する、請求項１に記載の排ガス処理装置。
【請求項６】
前記筒体は、下方に向かって直径が徐々に縮小する径縮小部をさらに有し、前記径縮小部は前記大径直管部の下端に接続されている、請求項５に記載の排ガス処理装置。
【請求項７】
前記筒体は、下方に向かって直径が徐々に縮小する径縮小部をさらに有し、前記径縮小部は前記径拡大部の下端に接続されている、請求項１に記載の排ガス処理装置。
【請求項８】
排ガスを処理する排ガス処理方法であって、
熱生成部により発生した熱を筒体内で前記排ガスと混合させることで、前記排ガスを処理し、
前記排ガスの処理中に、前記筒体内に水を供給して前記筒体の内面に水膜を形成し、
前記筒体は、直径が広がる径拡大部を有しており、前記排ガスの処理中に、前記径拡大部の内面の全体には前記水膜が形成されている、排ガス処理方法。
【請求項９】
前記径拡大部は、下方に向かって直径が徐々に広がる形状を有している、請求項８に記載の排ガス処理方法。
【請求項１０】
前記筒体は、前記径拡大部の上端に接続された小径直管部をさらに有しており、前記排ガスの処理中に、前記小径直管部の内面の全体には前記水膜が形成されている、請求項８に記載の排ガス処理方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス、液晶、ＬＥＤ等を製造する製造装置等から排出される排ガスを無害化処理する排ガス処理装置および排ガス処理方法に関する。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、液晶パネル、ＬＥＤ等を製造する半導体製造プロセスにおいては、真空にされたプロセスチャンバ内にプロセスガスを導入してエッチング処理やＣＶＤ処理等の各種処理を行っている。プロセスチャンバ、およびプロセスチャンバに接続されている排気系機器は、クリーニングガスを流すことにより定期的に洗浄されている。これらプロセスガスやクリーニングガス等の排ガスは、シラン系ガス、ハロゲンガス、ＰＦＣガス等を含み、人体に悪影響を及ぼすことや、地球温暖化の原因になる等の地球環境に悪影響を及ぼすことがあり、大気にそのまま放出することができない。そこで、これらの排ガスは、半導体製造装置の下流側に設置された排ガス処理装置によって無害化処理された後に大気に放出されている。
【０００３】
排ガス処理装置は、排ガスの流路を形成する筒体内で、熱・酸化分解処理により排ガスを無害化するように構成されている。このような排ガス処理装置では、排ガスを熱処理する際の副生成物として発生した多量の粉塵（主としてＳｉＯ
２
）が筒体内に付着して、堆積することがある。また、フッ素系や塩素系の腐食性ガスが含まれる場合、腐食性ミストにより、筒体の内壁面が腐食されることがある。そこで、筒体の内壁面に水膜を形成することにより、筒体への副生成物の付着、および筒体の内面への腐食性ガスの接触を防止する排ガス処理装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００８－１６１８６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年の半導体ウェハの大型化、微細化に伴って、半導体製造装置から排出される排ガスの量が増加している。したがって、排ガスを効率的に処理するために、排ガス処理装置の筒体を大容量化すること、および筒体内で排ガスと熱（例えば、火炎、熱プラズマジェットなど）を十分に混合させて、排ガスの熱・酸化分解反応を促進することが求められている。
【０００６】
そこで、本発明は、筒体への副生成物の付着、および腐食性ガス、および腐食性ミストと筒体との接触を防止し、かつ排ガスを効率的に処理することができる排ガス処理装置および排ガス処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一態様では、排ガスを処理するための排ガス処理装置であって、熱を生成する熱生成装置を備えた熱生成部と、前記熱生成部に接続され、前記熱により前記排ガスを熱処理する熱処理部を備え、前記熱処理部は、前記排ガスの流路を形成する筒体と、前記筒体内に水を供給して前記筒体の内面に水膜を形成する水供給構造体を有し、前記筒体は、直径が広がる径拡大部を有する、排ガス処理装置が提供される。
一態様では、前記径拡大部は、下方に向かって直径が徐々に広がる形状を有している。
一態様では、前記筒体は、前記径拡大部の上端に接続された小径直管部をさらに有する。
一態様では、前記径拡大部の内面は、粗面加工により形成された粗面であり、前記径拡大部の内面は、前記水膜が前記径拡大部の内面の全体に形成される滑落角を有する。
【０００８】
一態様では、前記筒体は、前記径拡大部の下端に接続された大径直管部をさらに有する。
一態様では、前記筒体は、下方に向かって直径が徐々に縮小する径縮小部をさらに有し、前記径縮小部は前記大径直管部の下端に接続されている。
一態様では、前記筒体は、下方に向かって直径が徐々に縮小する径縮小部をさらに有し、前記径縮小部は前記径拡大部の下端に接続されている。
【０００９】
一態様では、排ガスを処理する排ガス処理方法であって、熱生成部により発生した熱を筒体内で前記排ガスと混合させることで、前記排ガスを処理し、前記排ガスの処理中に、前記筒体内に水を供給して前記筒体の内面に水膜を形成し、前記筒体は、直径が広がる径拡大部を有しており、前記排ガスの処理中に、前記径拡大部の内面の全体には前記水膜が形成されている、排ガス処理方法が提供される。
一態様では、前記径拡大部は、下方に向かって直径が徐々に広がる形状を有している。
一態様では、前記筒体は、前記径拡大部の上端に接続された小径直管部をさらに有しており、前記排ガスの処理中に、前記小径直管部の内面の全体には前記水膜が形成されている。
一態様では、前記径拡大部の内面は、粗面加工により形成された粗面であり、前記径拡大部の内面は、前記水膜が前記径拡大部の内面の全体に形成される滑落角を有する。
【００１０】
一態様では、前記筒体は、前記径拡大部の下端に接続された大径直管部をさらに有しており、前記排ガスの処理中に、前記大径直管部の内面の全体には前記水膜が形成されている。
一態様では、前記筒体は、下方に向かって直径が徐々に縮小する径縮小部をさらに有しており、前記径縮小部は前記大径直管部の下端に接続されており、前記排ガスの処理中に、前記径縮小部の内面の全体には前記水膜が形成されている。
一態様では、前記筒体は、下方に向かって直径が徐々に縮小する径縮小部をさらに有しており、前記径縮小部は前記径拡大部の下端に接続されており、前記排ガスの処理中に、前記径縮小部の内面の全体には前記水膜が形成されている。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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