特許ウォッチ

公開番号2024103553
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-08-01
出願番号2024084585,2022193895
出願日2024-05-24,2005-09-15
発明の名称表示装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類G09F 9/30 20060101AFI20240725BHJP(教育;暗号方法;表示;広告;シール)
要約【課題】本発明では、信頼性の高い表示装置を低いコストで歩留まり良く製造するこ
とができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、画素電極層上にスペーサを形成し、電界発光層形成時のマス
クから画素電極層を保護する。また、透水性を有する有機材料を含む層を表示装置の中に
シール材で封止し、かつシール材と有機材料を含む層が接しないため、発光素子の水等の
汚染物質による劣化を防ぐ事ができる。シール材は表示装置の駆動回路領域の一部に形成
されるため表示装置の狭額縁化も達成できる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
画素領域、接続領域を有し、
前記画素領域に不純物領域を含む半導体層を有し、
前記半導体層上にはゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層上にはゲート電極層を有し、
前記ゲート電極層上には第１の層間絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層及び前記第１の層間絶縁層は前記不純物領域に達する第１の開口を有し、
前記第１の開口にソース電極層又はドレイン電極層を有し、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層は、前記第１の層間絶縁層を介して前記ゲート電極層の一部を覆っており、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層及び前記第１の層間絶縁層上に第２の層間絶縁層を有し、
前記第２の層間絶縁層は前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に達する第２の開口を有し、
前記第２の開口は、前記第１の層間絶縁層を介して前記ゲート電極層の一部を覆っている前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に設けられ、
前記第２の開口にスペーサを有する第１の電極層を有し、
前記接続領域に前記第１の層間絶縁層上に設けられた配線層を有し、
前記配線層上に、前記配線層に達する第３の開口が設けられた前記第２の層間絶縁層を有し、
前記第３の開口の上端部は、絶縁層に覆われており、
前記第３の開口に、前記絶縁層に接して第２の電極層を有することを特徴とする表示装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、及び表示装置の作製方法に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
ＥＬ素子は、一定期間駆動すると、発光輝度、発光の均一性等の発光特性が初期に比
べて著しく劣化するという問題がある。この信頼性の低さは実用化の用途が限られている
要因である。
【０００３】
信頼性を悪化させる要因の一つに、外部からＥＬ素子に侵入する水分や酸素などがあげ
られる。
【０００４】
ＥＬ素子の劣化を防ぐ構造を有する表示装置の開発がなされている。また、ＥＬ素子の
形成された絶縁体の上にシール材を形成し、シール材を用いてカバー材およびシール材で
囲まれた密閉空間を樹脂などから成る充填材で充填し、外部から遮断する方法もある（例
えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２００１-２０３０７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明では、工程、装置を複雑化することなく、高い信頼性や優れた電気特性を有す
る表示装置を低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的
とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、コンタクトにおける開口の段差を絶縁層によって被覆し、段差を軽減し、
なだらかな形状に加工する。その絶縁層に接して配線等は形成されるため、配線の被覆性
が向上する。また、透水性を有する（水分を透過し得る）有機材料を含む層を表示装置の
中にシール材で封止し、かつシール材と有機材料を含む層が接しないため、発光素子の水
等の汚染物質による劣化を防ぐ事ができる。シール材は表示装置の駆動回路領域の一部に
形成されるため表示装置の狭額縁化も達成できる。
【０００８】
本発明を用いることのできる表示装置には、エレクトロルミネセンス（以下「ＥＬ」
ともいう。）と呼ばれる発光を発現する有機物、若しくは有機物と無機物の混合物を含む
層を、電極間に介在させた発光素子とＴＦＴとが接続された発光表示装置がある。
【０００９】
本発明の表示装置の一は、画素領域、接続領域を有し、画素領域に不純物領域を含む
半導体層を有し、半導体層上にはゲート絶縁層を有し、ゲート絶縁層上にはゲート電極層
を有し、ゲート電極層上には第１の層間絶縁層を有し、ゲート絶縁層及び第１の層間絶縁
層は不純物領域に達する第１の開口を有し、開口にソース電極層又はドレイン電極層を有
し、ソース電極層又はドレイン電極層は、第１の層間絶縁層を介してゲート電極層の一部
を覆っており、ソース電極層又はドレイン電極層及び第１の層間絶縁層上に第２の層間絶
縁層を有し、第２の層間絶縁層はソース電極層又はドレイン電極層に達する第２の開口を
有し、第２の開口は、第１の層間絶縁層を介してゲート電極層の一部を覆っているソース
電極層又はドレイン電極層に設けられ、第２の開口にスペーサを有する第１の電極層を有
し、接続領域に第１の層間絶縁層上に設けられた配線層を有し、配線層上に、配線層に達
する第３の開口が設けられた第２の層間絶縁層を有し、第３の開口の上端部は、絶縁層に
覆われており、第３の開口に、絶縁層に接して第２の電極層を有する。
【００１０】
本発明の表示装置の一は、画素領域、接続領域を有し、画素領域に不純物領域を含む
半導体層を有し、半導体層上にはゲート絶縁層を有し、ゲート絶縁層上にはゲート電極層
を有し、ゲート電極層上には第１の層間絶縁層を有し、ゲート絶縁層及び第１の層間絶縁
層は不純物領域に達する第１の開口を有し、開口にソース電極層又はドレイン電極層を有
し、ソース電極層又はドレイン電極層は、第１の層間絶縁層を介してゲート電極層の一部
を覆っており、ソース電極層又はドレイン電極層及び第１の層間絶縁層上に第２の層間絶
縁層を有し、第２の層間絶縁層はソース電極層又はドレイン電極層に達する第２の開口を
有し、第２の開口は、第１の層間絶縁層を介してゲート電極層の一部を覆っているソース
電極層又はドレイン電極層に設けられ、第２の開口にスペーサを有する第１の電極層を有
し、接続領域に第１の層間絶縁層上に設けられた配線層を有し、配線層上に、配線層に達
する第３の開口が設けられた第２の層間絶縁層を有し、第３の開口の上端部は、絶縁層に
覆われており、第３の開口に、絶縁層に接して第２の電極層を有し、第１の層間絶縁層上
にシール材を有し、シール材は絶縁層と接しない。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許