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公開番号2024082872
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-20
出願番号2022197044
出願日2022-12-09
発明の名称弾性波デバイス
出願人三安ジャパンテクノロジー株式会社
代理人個人
主分類H03H 9/25 20060101AFI20240613BHJP(基本電子回路)
要約【課題】弾性波デバイスの放熱性を適切且つ合理的に向上させる。
【解決手段】デバイスチップ3の一面3aに形成されたIDT電極7bを含む機能素子7と、デバイスチップ3の一面3aに形成されて機能素子7と電気的に接続された配線5と、デバイスチップ3の一面3aに基板面2aを向き合わせるようにしてデバイスチップ3と組み合わされたパッケージ基板2とを備える。配線5の少なくとも一部は、前記一面3aに直交する向きにおける厚さを機能素子7の前記向きでの厚さよりも大きくする厚膜配線部5bとなっている。デバイスチップ3の厚膜配線部5bとパッケージ基板2の基板面2a側とにそれぞれ接するようにして両者間に介在された絶縁膜10によって機能素子7の形成位置に機能素子7の厚さと厚膜配線部5bの厚さとの差分のエアギャップ12を形成させてなる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
デバイスチップと、
前記デバイスチップの一面に形成されたＩＤＴ電極を含む機能素子と、
前記デバイスチップの前記一面に形成されて前記機能素子と電気的に接続された配線と、
前記デバイスチップの前記一面に基板面を向き合わせるようにして前記デバイスチップと組み合わされたパッケージ基板とを備えてなり、
前記配線の少なくとも一部は、前記一面に直交する向きにおける厚さを前記機能素子の前記向きでの厚さよりも大きくする厚膜配線部となっていると共に、
前記デバイスチップの前記厚膜配線部と前記パッケージ基板の前記基板面側とにそれぞれ接するようにして両者間に介在された絶縁膜によって前記機能素子の形成位置に前記機能素子の前記厚さと前記厚膜配線部の前記厚さとの差分のエアギャップを形成させてなる、弾性波デバイス。
続きを表示（約 260 文字）【請求項２】
前記エアギャップにおいて、前記絶縁膜に、前記機能素子と接触しない寸法をもって突き出す凸部を形成させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記凸部の前記寸法を、前記機能素子の前記厚さと前記厚膜配線部の前記厚さとの差となる距離の４分の１ないし４分の３としてなる、請求項２に記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記絶縁膜を、熱伝導率の高いフィラーを含んだ合成樹脂から構成させてなる、請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
この発明は、モバイル通信機器などにおいて周波数フィルタなどとして使用するのに適した弾性波デバイスの改良に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
モバイル通信機器などにおいて周波数フィルタなどとして使用される弾性波デバイスとして、特許文献１に示されるものがある。
特許文献１に示されるものでは、デバイスチップとパッケージ基板との間に絶縁膜を形成し、この絶縁膜の形成位置でデバイスチップと絶縁膜との距離、あるいは、絶縁膜と基板との間の距離を小さくさせることで、この絶縁膜を利用してデバイスチップに生じる熱を放出させるようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１８－２０１０８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１のものにあっては、デバイスチップと基板との距離は両者を接続するバンプによって作り出される。このため、前記絶縁膜の形成位置でのデバイスチップと絶縁膜との距離、あるいは、絶縁膜と基板との間の距離は、バンプに左右され正確に制御できない。この距離が大きくなればなるほど前記絶縁膜を通じた放熱経路の放熱性は低下することとなる。
【０００５】
この発明が解決しようとする主たる問題点は、この種の弾性波デバイスの放熱性を適切且つ合理的に向上させる点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を達成するために、この発明にあっては、弾性波デバイスを、デバイスチップと、
前記デバイスチップの一面に形成されたＩＤＴ電極を含む機能素子と、
前記デバイスチップの前記一面に形成されて前記機能素子と電気的に接続された配線と、
前記デバイスチップの前記一面に基板面を向き合わせるようにして前記デバイスチップと組み合わされたパッケージ基板とを備えてなり、
前記配線の少なくとも一部は、前記一面に直交する向きにおける厚さを前記機能素子の前記向きでの厚さよりも大きくする厚膜配線部となっていると共に、
前記デバイスチップの前記厚膜配線部と前記パッケージ基板の前記基板面側とにそれぞれ接するようにして両者間に介在された絶縁膜によって前記機能素子の形成位置に前記機能素子の前記厚さと前記厚膜配線部の前記厚さとの差分のエアギャップを形成させてなる、ものとした。
【０００７】
前記エアギャップにおいて、前記絶縁膜に、前記機能素子と接触しない寸法をもって突き出す凸部を形成させるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。この場合には、前記凸部の前記寸法を、前記機能素子の前記厚さと前記厚膜配線部の前記厚さとの差となる距離の４分の１ないし４分の３とすることが、この発明の態様の一つとされる。
【０００８】
また、前記絶縁膜を、熱伝導率の高いフィラーを含んだ合成樹脂から構成させるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、デバイスチップを、絶縁膜が厚膜配線部とパッケージ基板側とにそれぞれ密着し、かつ、機能素子を覆い隠すようにして、パッケージ基板に組み合わせることができる。これにより、機能素子の形成位置に機能素子の前記厚さと厚膜配線部の前記厚さとの差分のエアギャップを制御可能な状態で形成させることができる。前記エアギャップは、機能素子の前記厚さと厚膜配線部の前記厚さとの差によって構成された微細なものとなる。弾性波デバイスにあっては、信号印加時に機能素子の共振などによりデバイスチップに生じる熱を効率的に放出させることが必要とされるところ、微細な前記エアギャップによりこのエアギャップ内の気体を介してデバイスチップの熱を絶縁膜からパッケージ基板に直接的に伝達させて効率的に放出させることが可能となる
【図面の簡単な説明】
【００１０】
図１は、この発明の一実施の形態にかかる弾性波デバイスの断面構成図であり、図２のＡ－Ａ線位置で弾性波デバイスを断面にして示している。
図２は、前記第一例の断面構成図であり、図１のＢ－Ｂ線位置で弾性波デバイスを断面にして示している。
図３は、前記第一例の断面構成図であり、図１のＣ－Ｃ線位置で弾性波デバイスを断面にして示している。
図４は、前記第一例を構成するデバイスチップに形成される共振器の一例を示した構成図である。
図５は、前記第一例を構成するデバイスチップに形成される回路の一例を示した構成図である。
図６は、前記第一例の製造過程の一工程を示した断面構成図である。
図７は、前記第一例の一部構成の変更例を示した断面構成図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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