TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
公開番号2024046606
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-03
出願番号2023132178
出願日2023-08-14
発明の名称シリカ粒子、静電荷像現像用トナー、静電荷像現像剤、トナーカートリッジ、プロセスカートリッジ、画像形成装置及び画像形成方法
出願人富士フイルムビジネスイノベーション株式会社
代理人弁理士法人太陽国際特許事務所
主分類C01B 33/18 20060101AFI20240327BHJP(無機化学)
要約【課題】低温低湿下での過剰負帯電を抑制し、かつ低温低湿下での帯電立ち上がり性に優れるシリカ粒子を提供すること。
【解決手段】窒素元素含有化合物を含み、350℃焼成前後のBET比表面積を各々α及びβとしたとき、α/βが0.30以上0.80以下であり、350℃焼成後に対する、350℃焼成前の帯電列比が、絶対値で0.10以上0.85以下である負帯電性シリカ粒子。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項1】
窒素元素含有化合物を含み、
350℃焼成前後のBET比表面積を各々α及びβとしたとき、α/βが0.30以上0.80以下であり、
350℃焼成後に対する、350℃焼成前の帯電列比が、絶対値で0.10以上0.85以下であるシリカ粒子。
続きを表示(約 820 文字)【請求項2】
前記α/βが、0.50以上0.75以下である請求項1に記載のシリカ粒子。
【請求項3】
前記帯電列比が、絶対値で0.20以上0.70以下である請求項1に記載のシリカ粒子。
【請求項4】
350℃焼成後における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線において、細孔直径2nm以下の範囲及び2nm超え50nm以下の範囲で、各々少なくとも1つのピークを有し、
350℃焼成後における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線から求める細孔直径2nm以下の細孔体積をDとしたとき、Dが0.10cm

/g以上0.70cm

/g以下である請求項1に記載のシリカ粒子。
【請求項5】
前記Dが0.10cm

/g以上0.65cm

/g以下である請求項4に記載のシリカ粒子。
【請求項6】
前記Dが、0.10cm

/g以上0.55cm

/g以下である請求項4に記載のシリカ粒子。
【請求項7】
350℃焼成前における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線から求める細孔直径2nm以下の細孔体積をCとしたとき、前記Dとの比D/Cが2.0以上9.0以下である請求項4に記載のシリカ粒子。
【請求項8】
前記D/Cが、2.0以上3.0以下である請求項7に記載のシリカ粒子。
【請求項9】
350℃焼成前後における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線から求め細孔直径2nm超え50nm以下の細孔体積を各々A及びBとしたとき、(D-C)/(B-A)が1.0以上5.0以下である請求項7に記載のシリカ粒子。
【請求項10】
個数平均粒子径が、40nm以上200nm以下である請求項1に記載のシリカ粒子。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、シリカ粒子、静電荷像現像用トナー、静電荷像現像剤、トナーカートリッジ、プロセスカートリッジ、画像形成装置及び画像形成方法に関する。
続きを表示(約 4,000 文字)【背景技術】
【0002】
特許文献1には、「第四級アンモニウム塩を含有し、洗浄前のシリカ粒子における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線から求める細孔直径2nm以下の頻度の最大値F
BEFORE
と、洗浄後のシリカ粒子における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線から求める細孔直径2nm以下の頻度の最大値F
AFTER
との比F
BEFORE
/F
AFTER
が0.90以上1.10以下であり、且つ、最大値F
BEFORE
と、洗浄前のシリカ粒子を600℃で焼成後のシリカ粒子における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線から求める細孔直径2nm以下の頻度の最大値F
SINTERING
との比F
SINTERING
/F
BEFORE
が5以上20以下である、シリカ粒子」が開示されている。
【0003】
特許文献2には、「トナー粒子と、前記トナー粒子の摩擦帯電量を制御するために用いられる、平均粒径20~500nmの搬送粒子の表面に電荷制御剤(CCA)を被着せしめた外添用電荷制御粒子と、を混合してなる静電像現像トナーであって、
前記外添用電荷制御粒子が、ゾルゲル法によって得られる親水性球状シリカ微粒子の表面を疎水化処理することにより得られた平均粒径20~500nmの疎水性球状シリカ微粒子からなる搬送粒子と、該搬送粒子の表面に被着せしめた電荷制御剤と、から構成された静電像現像トナーの摩擦帯電量を制御するための外添用電荷制御粒子であり、前記搬送粒子1質量部に対して前記電荷制御剤(CCA)を1×10
-3
~1×10
-1
質量部の範囲で有するものであって、かつ、前記トナー粒子1質量部に対して、前記外添用電荷制御粒子を0.001~0.05質量部混合してなることを特徴とする静電像現像トナー。」が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
特開2021-151944号公報
特許2011-185998号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本開示は、窒素元素含有化合物を含み、350℃焼成前後のBET比表面積を各々α及びβとしたとき、α/βが0.30未満又は0.80超え、350℃焼成後に対する、350℃焼成前の帯電列比が、絶対値で0.10未満又は0.85超えであるシリカ粒子に比べ、低温低湿下での過剰負帯電を抑制し、かつ低温低湿下での帯電立ち上がり性に優れるシリカ粒子に比べ、帯電の立ち上がり性に優れるシリカ粒子を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記課題を解決するための手段は、下記態様を含む。
<1>
窒素元素含有化合物を含み、
350℃焼成前後のBET比表面積を各々α及びβとしたとき、α/βが0.30以上0.80以下であり、
350℃焼成後に対する、350℃焼成前の帯電列比が、絶対値で0.10以上0.85以下であるシリカ粒子。
<2>
前記α/βが、0.50以上0.75以下である<1>に記載のシリカ粒子。
<3>
前記帯電列比が、絶対値で0.20以上0.70以下である<1>又は<2>に記載のシリカ粒子。
<4>
350℃焼成後における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線において、細孔直径2nm以下の範囲及び2nm超え50nm以下の範囲で、各々少なくとも1つのピークを有し、
350℃焼成後における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線から求める細孔直径2nm以下の細孔体積をDとしたとき、Dが0.10cm

/g以上0.70cm

/g以下である<1>~<3>のいずれか1項に記載のシリカ粒子。
<5>
前記Dが0.10cm

/g以上0.65cm

/g以下である<4>に記載のシリカ粒子。
<6>
前記Dが、0.10cm

/g以上0.55cm

/g以下である<4>又は<5>に記載のシリカ粒子。
<7>
350℃焼成前における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線から求める細孔直径2nm以下の細孔体積をCとしたとき、前記Dとの比D/Cが2.0以上9.0以下である<4>~<6>のいずれか1項に記載のシリカ粒子。
<8>
前記D/Cが、2.0以上3.0以下である<7>に記載のシリカ粒子。
<9>
350℃焼成前後における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線から求め細孔直径2nm超え50nm以下の細孔体積を各々A及びBとしたとき、(D-C)/(B-A)が1.0以上5.0以下である<7>又は<8>に記載のシリカ粒子。
<10>
個数平均粒子径が、40nm以上200nm以下である<1>~<9>のいずれか1項に記載のシリカ粒子。
<11>
前記窒素元素含有化合物が、四級アンモニウム塩、第一級アミン化合物、第二級アミン化合物、第三級アミン化合物、アミド化合物、イミン化合物、及びニトリル化合物よりなる群から選択される少なくとも1種である<1>~<10>のいずれか1項に記載のシリカ粒子。
<12>
前記窒素元素含有化合物の含有量が、シリカ粒子に対して、N原子換算で0.10質量%以上0.50質量%以下である<1>~<12>のいずれか1項に記載のシリカ粒子。<13>
前記窒素元素含有化合物がモリブデン元素を含有する<1>~<13>のいずれか1項に記載のシリカ粒子。
<14>
トナー粒子と、
前記トナー粒子に外添された<1>~<13>のいずれか1項に記載のシリカ粒子と、
を含む、静電荷像現像用トナー。
<15>
<14>に記載の静電荷像現像用トナーを含む静電荷像現像剤。
<16>
<14>に記載の静電荷像現像用トナーを収容し、
画像形成装置に着脱されるトナーカートリッジ。
<17>
<15>に記載の静電荷像現像剤を収容し、前記静電荷像現像剤により、像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段を備え、
画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジ。
<18>
像保持体と、
前記像保持体の表面を帯電する帯電手段と、
【発明の効果】
【0007】
<1>に係る発明によれば、窒素元素含有化合物を含み、350℃焼成前後のBET比表面積を各々α及びβとしたとき、α/βが0.30未満又は0.80超え、350℃焼成後に対する、350℃焼成前の帯電列比が、絶対値で0.10未満又は0.85超えであるシリカ粒子に比べ、低温低湿下での過剰負帯電を抑制し、かつ低温低湿下での帯電立ち上がり性に優れるシリカ粒子が提供される。
【0008】
<2>に係る発明によれば、α/βが0.50未満又は0.75超えである場合に比べ、低温低湿下での過剰負帯電を抑制し、かつ低温低湿下での帯電立ち上がり性に優れるシリカ粒子が提供される。
<3>に係る発明によれば、帯電列比が絶対値で0.20未満又は0.70超えである場合に比べ、低温低湿下での過剰負帯電を抑制し、かつ低温低湿下での帯電立ち上がり性に優れるシリカ粒子が提供される。
【0009】
<4>に係る発明によれば、350℃焼成後における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線において、細孔直径2nm以下の範囲及び2nm超え50nm以下の範囲で、各々少なくとも1つのピークを有するシリカ粒子において、350℃焼成後における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線から求める細孔直径2nm以下の細孔体積をDとしたとき、Dが0.10cm

/g未満又は0.70cm

/g超えである場合に比べ、低温低湿下での過剰負帯電を抑制し、かつ低温低湿下での帯電立ち上がり性に優れるシリカ粒子が提供される。
【0010】
<5>に係る発明によれば、Dが、0.10cm

/g未満又は0.65cm

/g超えである場合に比べ、低温低湿下での過剰負帯電を抑制し、かつ低温低湿下での帯電立ち上がり性に優れるシリカ粒子が提供される。
<6>に係る発明によれば、Dが、0.10cm

/g未満又は0.55cm

/g超えである場合に比べ、低温低湿下での過剰負帯電を抑制し、かつ低温低湿下での帯電立ち上がり性に優れるシリカ粒子が提供される。
<7>に係る発明によれば、350℃焼成前における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線から求める細孔直径2nm以下の細孔体積をCとしたとき、前記Dとの比D/Cが2.0未満又は9.0以下超えである場合に比べ、低温低湿下での過剰負帯電を抑制し、かつ低温低湿下での帯電立ち上がり性に優れるシリカ粒子が提供される。
<8>に係る発明によれば、D/Cが、2.0未満又は3.0超えである場合に比べ、低温低湿下での過剰負帯電を抑制し、かつ低温低湿下での帯電立ち上がり性に優れるシリカ粒子が提供される。
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する

関連特許

東ソー株式会社
ゼオライト成形体
5日前
株式会社ショウワ
二酸化炭素発生装置
1か月前
東レ株式会社
グラフェン分散液、組成物およびそれを用いた形成物
14日前
パナソニックIPマネジメント株式会社
水素生成装置
5日前
住友重機械工業株式会社
水素化装置、及び水素化方法
7日前
日本製紙株式会社
炭素材料及びその製造方法、並びにそれらの応用
8日前
株式会社神戸製鋼所
炭酸カルシウムの製造方法
1か月前
ジカンテクノ株式会社
シリカの製造方法及び化粧品の製造方法
26日前
高純度シリコン株式会社
多結晶シリコンの製造方法
1か月前
JFEケミカル株式会社
炭素質材料および炭素質材料の製造方法
26日前
国立大学法人東海国立大学機構
水素の製造装置および水素の製造方法
1か月前
住友大阪セメント株式会社
分散液、化粧料、分散液の製造方法
1か月前
住友金属鉱山株式会社
硫酸ニッケル水溶液の製造方法
28日前
三井金属鉱業株式会社
NiO膜及びNiO分散液
26日前
国立大学法人神戸大学
誘電体材料の製造方法
11日前
公立大学法人大阪
無機塩化物及びその製造方法。
4日前
株式会社タクマ
二酸化炭素の固体炭素化設備、及び二酸化炭素の固体炭素化方法
1か月前
国立大学法人 岡山大学
新規酸化ヨウ素組成物
6日前
東邦チタニウム株式会社
四塩化チタンの製造方法
6日前
太平洋セメント株式会社
噴霧乾燥装置又は噴霧熱分解装置
7日前
住友化学株式会社
水溶液及びリチウム二次電池用正極活物質の製造方法
5日前
国立研究開発法人産業技術総合研究所
伝熱シートおよび伝熱シートの製造方法
11日前
ジカンテクノ株式会社
シリカの製造装置、シリカの製造方法及びシリカを使用した化粧品の製造方法
26日前
クニミネ工業株式会社
非カルシウム型スメクタイトの製造方法
7日前
日揮触媒化成株式会社
シリカ微粒子分散液、その製造方法及びシリカ微粒子分散液を含む研磨用砥粒分散液
21日前
白石工業株式会社
炭酸カルシウムの製造方法、炭酸カルシウムおよび抄紙用填料
1か月前
ユニマテック株式会社
カルボニルフロライドの製造方法および製造装置
1か月前
リヴィアン アイピー ホールディングス,エルエルシー
リチウム金属ホスファート電極の製造
1か月前
東ソ-・エスジ-エム株式会社
ゼオライトの製造方法およびゼオライト
14日前
三菱ケミカル株式会社
アンモニア水の製造方法
20日前
第一工業製薬株式会社
カーボンナノチューブ分散液、並びにそれを用いた電池電極用組成物及び電池
4日前
個人
アルミン酸ソーダ含有溶液と、該アルミン酸ソーダ含有溶液から粉末体を製造する方法、またはそのための装置
4日前
第一工業製薬株式会社
カーボンナノチューブ分散液、並びにそれを用いた電池電極用組成物及び電池
4日前
株式会社レゾナック
フラーレンの製造装置及びフラーレンの製造方法
1か月前
学校法人常翔学園
二酸化バナジウム薄膜の製造方法及び二酸化バナジウム薄膜形成用原料溶液
26日前
ポーラ化成工業株式会社
粉体粒子表面の改質方法
1か月前
続きを見る