特許ウォッチ

公開番号2023161935
公報種別公開特許公報(A)
公開日2023-11-08
出願番号2022072599
出願日2022-04-26
発明の名称基板処理装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類C23C 16/455 20060101AFI20231031BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】ガスの混合リスクを低減すると共に、ガス供給の均一性を向上する基板処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバと、前記チャンバの上部開口部を閉塞するリッドと、前記リッドの下部に設置されたキャップ部材と、前記キャップ部材の下方に設置されたシャワーヘッドと、前記キャップ部材にガスを導入するインレットブロックと、を備え、前記インレットブロックは、第1ガスを吐出する第1ガス吐出口と、前記第1ガス吐出口を中心として囲んで配置され、前記第1ガスとは異なる第2ガスを吐出する複数の第2ガス吐出口と、を有する、基板処理装置。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
チャンバと、
前記チャンバの上部開口部を閉塞するリッドと、
前記リッドの下部に設置されたキャップ部材と、
前記キャップ部材の下方に設置されたシャワーヘッドと、
前記キャップ部材にガスを導入するインレットブロックと、を備え、
前記インレットブロックは、
第１ガスを吐出する第１ガス吐出口と、
前記第１ガス吐出口を中心として囲んで配置され、前記第１ガスとは異なる第２ガスを吐出する複数の第２ガス吐出口と、を有する、
基板処理装置。
続きを表示（約 830 文字）【請求項２】
前記キャップ部材は、前記キャップ部材の一方の面と前記インレットブロックとの間に第１空間を形成し、
前記第１ガス吐出口及び前記第２ガス吐出口は、前記第１空間に接続される、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記キャップ部材の他方の面に、中間シャワープレートを備え、
前記キャップ部材は、前記キャップ部材の他方の面と前記中間シャワープレートとの間に第２空間を形成し、
前記キャップ部材は、前記第１空間と前記第２空間を接続する流路を有する、
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記中間シャワープレートと前記シャワーヘッドとの間に第３空間を形成する、
請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１空間の容積よりも前記第２空間の容積が大きく、かつ、前記第２空間の容積よりも前記第３空間の容積が大きい、
請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記キャップ部材の他方の面に、ガス拡散コマを備え、
前記キャップ部材は、前記第１空間と前記ガス拡散コマを接続する流路を有する、
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項７】
複数の前記第２ガス吐出口は、
前記第１ガス吐出口を中心とする円周上に等間隔に配置される、
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記インレットブロックは、
前記キャップ部材と接続する接続面と、
前記接続面に対して垂直に形成され、前記第１ガス吐出口としての第１流路と、
前記第１流路に連通する第２流路と、を有し、
前記接続面に対する前記第２流路は、４５°以上８０°以下である、
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ガス導入機構を備える基板処理装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－１５８７９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一の側面では、本開示は、ガスの混合リスクを低減すると共に、ガス供給の均一性を向上する基板処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、チャンバと、前記チャンバの上部開口部を閉塞するリッドと、前記リッドの下部に設置されたキャップ部材と、前記キャップ部材の下方に設置されたシャワーヘッドと、前記キャップ部材にガスを導入するインレットブロックと、を備え、前記インレットブロックは、第１ガスを吐出する第１ガス吐出口と、前記第１ガス吐出口を中心として囲んで配置され、前記第１ガスとは異なる第２ガスを吐出する複数の第２ガス吐出口と、を有する、基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、ガスの混合リスクを低減すると共に、ガス供給の均一性を向上する基板処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
第１の実施形態の成膜装置の構成を示す断面図の一例。
インレットブロックの一例における斜視図。
インレットブロックの一例における平面図。
インレットブロックの一例における側面図。
インレットブロックの一例における正面図。
インレットブロックの他の一例における斜視図。
インレットブロックの他の一例における平面図。
インレットブロックの他の一例における側面図。
インレットブロックの他の一例における正面図。
第２の実施形態の成膜装置の構成を示す断面図の一例。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【０００９】
第１の実施形態の成膜装置１０について、図１を用いて説明する。図１は、第１の実施形態の成膜装置１０の構成を示す断面図の一例である。第１の実施形態の成膜装置は、原子層堆積（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）法による成膜が実施可能な装置として構成されている。
【００１０】
成膜装置１０は、処理容器（チャンバ）１、載置台２、シャワーヘッド３、ガス導入部５、排気部６、制御部９等を備える。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許