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公開番号2025174185
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-28
出願番号2024080309
出願日2024-05-16
発明の名称レジスト組成物、レジストパターン形成方法、及び高分子化合物
出願人東京応化工業株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G03F 7/039 20060101AFI20251120BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】レジストパターンを形成する際に、高感度化が図られ、LWRが低減され、高エッチング耐性、かつ、現像液による膜減り(DL)が抑制されるレジスト組成物の提供。
【解決手段】一般式(a01)で表される構成単位(a01)と、一般式(a02)で表される構成単位(a02)と、一般式(a10)で表される構成単位(a10)を有する樹脂成分(A1)を含有する、レジスト組成物。式中、na11及びna21は、それぞれ独立に、0又は1である。Ra⁰¹は、水素又は直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基である。Ra₀₂は直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基である。na12及びna22が、それぞれ独立に、1又は2である。
<com:Image com:imageContentCategory="Drawing"> <com:ImageFormatCategory>TIFF</com:ImageFormatCategory> <com:FileName>2025174185000090.tif</com:FileName> <com:HeightMeasure com:measureUnitCode="Mm">52</com:HeightMeasure> <com:WidthMeasure com:measureUnitCode="Mm">170</com:WidthMeasure> </com:Image>
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ１）を含有し、
前記樹脂成分（Ａ１）は、下記一般式（ａ０１）で表される構成単位（ａ０１）と、下記一般式（ａ０２）で表される構成単位（ａ０２）と、下記一般式（ａ１０－１）で表される構成単位（ａ１０）を有する、レジスト組成物。
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2025174185000084.tif
62
170
［式中、Ｒは、水素原子、炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のハロゲン化アルキル基である。ｎａ１１は、０又は１である。Ｒａ
０１
は、水素又は直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基である。ｎａ１２は１又は２である。］
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2025174185000085.tif
61
170
［式中、Ｒは、水素原子、炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のハロゲン化アルキル基である。ｎａ２１は、０又は１である。Ｒａ
０２
は直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基である。ｎａ２２は、１又は２である。］
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2025174185000086.tif
33
170
［式中、Ｗは重合性基含有基である。Ｗａ
ｘ０
は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。ｎａｘ０は、１以上の整数である。］
続きを表示（約 960 文字）【請求項２】
前記一般式（ａ０１）中、Ｒａ
０１
はメチル基である、請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項３】
前記一般式（ａ０２）中、Ｒａ
０２
はイソプロピル基である、請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項４】
支持体上に、請求項１に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有する、レジストパターン形成方法。
【請求項５】
下記一般式（ａ０１）で表される構成単位（ａ０１）と、下記一般式（ａ０２）で表される構成単位（ａ０２）と、下記一般式（ａ１０－１）で表される構成単位（ａ１０）を有する、高分子化合物。
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2025174185000087.tif
62
170
［式中、Ｒは、水素原子、炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のハロゲン化アルキル基である。ｎａ１１は、０又は１である。Ｒａ
０１
は、水素又は直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基である。ｎａ１２は１又は２である。］
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2025174185000088.tif
61
170
［式中、Ｒは、水素原子、炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のハロゲン化アルキル基である。ｎａ２１は、０又は１である。Ｒａ
０２
は直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基である。ｎａ２２は、１又は２である。］
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2025174185000089.tif
33
170
［式中、Ｗは重合性基含有基である。Ｗａ
ｘ０
は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。ｎａｘ０は、１以上の整数である。］
【請求項６】
前記一般式（ａ０１）中、Ｒａ
０１
はメチル基である、請求項５に記載の高分子化合物。
【請求項７】
前記一般式（ａ０２）中、Ｒａ
０２
はイソプロピル基である、請求項５に記載の高分子化合物。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト組成物、レジストパターン形成方法、及び化合物に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化（高エネルギー化）が行われている。
レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。
このような要求を満たすレジスト材料として、従来、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、を含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。
【０００３】
レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。
このような要求を満たすレジスト材料として、従来、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、を含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。
化学増幅型レジスト組成物においては、一般的に、リソグラフィー特性等の向上のために、前記基材成分として、複数の構成単位を有する樹脂が用いられている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、不飽和結合を有する酸解離性基が結合した構成単位を有する樹脂成分を含有するレジスト組成物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１９－１２０７５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
リソグラフィー技術のさらなる進歩、応用分野の拡大等が進み、急速にパターンの微細化が進んでいる。そして、これに伴い、半導体素子等を製造する際には、微細なパターンを良好な形状で形成できる技術が求められる。例えば、ＥＵＶやＥＢによるリソグラフィーでは、数十ｎｍの微細なパターン形成が目標とされる。
しかしながら、特許文献１に記載されているような従来のレジスト組成物においては、更なる解像性の向上が必要である。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、レジストパターンを形成する際に、高感度化が図られ、ＬＷＲが低減され、高エッチング耐性、かつ、現像液による膜減り（ＤＬ）が抑制されるレジスト組成物、当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、当該レジスト組成物に用いる基材成分の原料として有用な高分子化合物を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第１の態様は、露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ１）を含有し、前記樹脂成分（Ａ１）は、下記一般式（ａ０－１）で表される構成単位（ａ０１）と、下記一般式（ａ０－２）で表される構成単位（ａ０２）と、下記一般式（ａ１０－１）で表される構成単位を有する、レジスト組成物である。
【０００９】
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62
170
［式中、Ｒは、水素原子、炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のハロゲン化アルキル基である。ｎａ１１は、０又は１である。Ｒａ
０１
は、水素又は直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基である。ｎａ１２は１又は２である。］
【００１０】
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170
［式中、Ｒは、水素原子、炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のハロゲン化アルキル基である。ｎａ２１は、０又は１である。Ｒａ
０２
は直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基である。ｎａ２２は、１又は２である。］
（【００１１】以降は省略されています）

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