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公開番号2025141033
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-29
出願番号2024040755
出願日2024-03-15
発明の名称半導体装置、および、半導体装置の製造方法
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 23/29 20060101AFI20250919BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】封止樹脂に傾斜面がある場合でも、リードのワイヤ接合位置付近の封止樹脂の剥離を検出できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置A10において、厚さ方向zの第1側z1を向く主面31を有するダイパッド3、および、ダイパッド3から離間し、全体がダイパッド3より第1方向xの第1側x1に位置する入力側端子51cを含む導電支持部材2と、主面31に搭載された半導体素子11と、半導体素子11と入力側端子51cとに導通接合されているワイヤ61と、封止樹脂7とを備えた。封止樹脂7は、厚さ方向zの第1側z1を向く頂面71と、第1方向xの第1側x1を向き、入力側端子51cの一部が突出する側面73と、頂面71および側面73につながり、主面31となす角度が頂面71より大きい傾斜面77とを備える。厚さ方向zに視て、ワイヤ61の入力側端子51cへの接合部61aが傾斜面77に重ならない。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項１】
厚さ方向の第１側を向くダイパッド主面を有するダイパッド、および、前記ダイパッドから離間し、かつ、全体が前記ダイパッドより前記厚さ方向に直交する第１方向の第１側に位置する第１端子を含む導電支持部材と、
前記ダイパッド主面に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子と前記第１端子とに導通接合されているワイヤと、
前記導電支持部材の少なくとも一部と、前記半導体素子および前記ワイヤと、を覆う封止樹脂と、
を備え、
前記封止樹脂は、前記厚さ方向の第１側を向く樹脂頂面と、前記第１方向の第１側を向き、かつ、前記第１端子が露出する第１樹脂側面と、前記樹脂頂面および前記第１樹脂側面につながり、かつ、前記ダイパッド主面となす角度が前記樹脂頂面より大きい傾斜面と、を備え、
前記厚さ方向に視て、前記ワイヤの前記第１端子への接合部が前記傾斜面に重ならない、
半導体装置。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
前記傾斜面の前記樹脂頂面に対する第１傾斜角度は２５度以上である、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１樹脂側面の前記樹脂頂面に対する第２傾斜角度は、前記第１傾斜角度より大きい、
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記封止樹脂は、前記第１方向において前記第１樹脂側面とは反対側を向く第２樹脂側面をさらに備え、
前記導電支持部材は、前記第２樹脂側面から一部が突出する第２端子をさらに備えている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
第２半導体素子をさらに備え、
前記導電支持部材は、前記ダイパッドから前記第１方向の第２側に離間して配置され、かつ、前記第２半導体素子が搭載された第２ダイパッドをさらに備え、
前記第２端子は、全体が前記第２ダイパッドより前記第１方向の第２側に位置する、
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２半導体素子と前記第２端子とに導通接合されている第２ワイヤをさらに備え、
前記厚さ方向に視て、前記第２ワイヤの前記第２端子への第２接合部が前記第２樹脂側面に重ならない、
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体素子は制御素子であり、
前記第２半導体素子は前記制御素子より高い電圧を必要とする駆動素子である、
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体素子と前記第２半導体素子との信号の送受信を中継し、かつ、前記半導体素子と前記第２半導体素子とを互いに絶縁する絶縁素子をさらに備えている、
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記絶縁素子は、前記ダイパッドに搭載されている、
請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記封止樹脂は、前記厚さ方向の第２側を向く樹脂底面をさらに備え、
前記第１樹脂側面は、前記傾斜面につながる第１上部領域と、前記樹脂底面につながる第１下部領域と、前記第１上部領域および前記第１下部領域につながり、かつ、前記第１端子が突出する第１中央領域と、を含み、
前記第２樹脂側面は、前記樹脂頂面につながる第２上部領域と、前記樹脂底面につながる第２下部領域と、前記第２上部領域および前記第２下部領域につながり、かつ、前記第２端子が突出する第２中央領域と、を含み、
前記樹脂頂面、前記傾斜面、前記樹脂底面、前記第１上部領域、前記第１下部領域、前記第２上部領域、および前記第２下部領域の各々の第１表面粗さは、前記第１中央領域および前記第２中央領域の第２表面粗さよりも大である、
請求項４に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置、および、半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,600 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、スイッチング機能を有する半導体素子（ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴなど）が搭載された半導体装置が広く知られている。特許文献１には、このような半導体装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体装置は、パッケージ形式がＳＯＰ（Small Outline Package）であり、半導体素子、ダイパッド、複数のリード、および封止樹脂を備えている。半導体素子はダイパッドに搭載されている。複数のリードは、ダイパッドの両側にそれぞれ複数ずつ配列されて、それぞれがワイヤを介して半導体素子に導通している。封止樹脂は、半導体素子を覆い、両側面からそれぞれ複数のリードの一部が突出している。半導体装置は、一般的に外観が左右対称なので、搭載方向を間違えないように、外観から視認できる目印が設けられている。たとえば、半導体装置には、封止樹脂において切り欠き（傾斜面）が設けられている場合がある。
【０００３】
また、半導体装置の非破壊による剥離、ボイド、クラックなどの検出に、ＳＡＴ（Scanning Acoustic Tomography）検査が行われる場合がある。ＳＡＴ検査では、半導体装置に超音波が照射され、その反射波により半導体装置の内部の情報が取得される。しかし、半導体装置の封止樹脂に上記傾斜面が設けられていると、ＳＡＴ検査で照射される超音波が当該傾斜面で反射されることで、傾斜面に重なる部分の内部情報が取得できない。この場合、当該重なる部分で剥離が発生していても検出できない。当該重なる部分にワイヤが接合されていると、検出できなかった剥離に基づくワイヤの断線が発生する場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２２－１４３１６７号公報
【０００５】
［概要］
本発明は上述の事情に鑑み、封止樹脂に傾斜面がある場合でも、リードのワイヤ接合位置付近の封止樹脂の剥離を検出できる半導体装置を提供することをその課題とする。
【０００６】
本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、厚さ方向の第１側を向くダイパッド主面を有するダイパッド、および、前記ダイパッドから離間し、かつ、全体が前記ダイパッドより前記厚さ方向に直交する第１方向の第１側に位置する第１端子を含む導電支持部材と、前記ダイパッド主面に搭載された半導体素子と、前記半導体素子と前記第１端子とに導通接合されているワイヤと、前記導電支持部材の少なくとも一部と、前記半導体素子および前記ワイヤと、を覆う封止樹脂と、を備え、前記封止樹脂は、前記厚さ方向の第１側を向く樹脂頂面と、前記第１方向の第１側を向き、かつ、前記第１端子が露出する第１樹脂側面と、前記樹脂頂面および前記第１樹脂側面につながり、かつ、前記ダイパッド主面となす角度が前記樹脂頂面より大きい傾斜面と、を備え、前記厚さ方向に視て、前記ワイヤの前記第１端子への接合部が前記傾斜面に重ならない。
【０００７】
本開示の第２の側面によって提供される半導体装置の製造方法は、リードフレームの厚さ方向の第１側を向くリードフレーム主面に半導体素子を接合する素子接合工程と、前記半導体素子と前記リードフレームとにワイヤを接合するワイヤ接合工程と、前記リードフレームの少なくとも一部と前記半導体素子および前記ワイヤとを覆う封止樹脂を形成する樹脂形成工程と、前記リードフレームの前記封止樹脂から露出した露出部分を折り曲げる折り曲げ工程と、前記露出部分を切断する切断工程と、を備え、前記樹脂形成工程では、前記厚さ方向の第１側を向く樹脂頂面と、前記リードフレームの一部が露出する第１樹脂側面と、前記樹脂頂面および前記第１樹脂側面につながり、かつ、前記リードフレーム主面となす角度が前記樹脂頂面より大きい傾斜面と、を備える前記封止樹脂が、前記傾斜面が前記厚さ方向に視て前記ワイヤの前記リードフレームへの接合部に重ならないように形成される。
【０００８】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。
図２は、図１の半導体装置を示す平面図であり、封止樹脂を透過した図である。
図３は、図１の半導体装置を示す正面図である。
図４は、図１の半導体装置を示す背面図である。
図５は、図１の半導体装置を示す左側面図である。
図６は、図１の半導体装置を示す右側面図である。
図７は、図２のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。
図８は、図２のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。
図９は、図１のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。
図１０は、図１のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。
図１１は、図１の半導体装置の製造方法に係る工程を示す平面図である。
図１２は、図１の半導体装置の製造方法に係る工程を示す平面図である。
図１３は、図１の半導体装置の製造方法に係る工程を示す平面図である。
図１４は、図１３のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿う断面図である。
図１５は、図１の半導体装置の製造方法に係る工程を示す平面図である。
図１６は、図１５のＸＶＩ－ＸＶＩ線に沿う断面図である。
図１７は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す平面図であり、封止樹脂を透過した図である。
図１８は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置を示す平面図であり、封止樹脂を透過した図である。
図１９は、本開示の第４実施形態に係る半導体装置を示す平面図であり、封止樹脂を透過した図である。
図２０は、本開示の第５実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
図２１は、本開示の第６実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。
図２２は、図２１の半導体装置を示す正面図である。
図２３は、本開示の第７実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。
【００１０】
［詳細な説明］
本開示の詳細について、添付図面に基づき説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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