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公開番号2025142343
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-30
出願番号2025127702,2022510032
出願日2025-07-30,2021-03-18
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人個人
主分類H01L 21/60 20060101AFI20250919BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】より適切な半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、厚さ方向において互いに反対側を向く素子第1面および素子第2面と、前記素子第1面側に設けられた電極と、を有する半導体素子と、前記素子第1面に対向する主面および前記主面とは反対側を向く裏面を有する導通部材と、前記電極と前記導通部材の前記主面との間に介在する導電接合材と、前記導通部材の少なくとも一部、前記半導体素子、および前記導電接合材を覆う樹脂部と、前記電極と前記導電接合材との間に介在し且つ前記電極と前記導電接合材との化合反応を抑制する第1バリア層と、前記素子第1面および前記樹脂部の間に介在し且つ前記電極の一部を覆う表面保護膜と、を備える。
【選択図】図13
特許請求の範囲【請求項１】
厚さ方向において互いに反対側を向く素子第１面および素子第２面と、前記素子第１面側に設けられた電極と、を有する半導体素子と、
前記素子第１面に対向する主面および前記主面とは反対側を向く裏面を有する導通部材と、
前記電極と前記導通部材の前記主面との間に介在する導電接合材と、
前記導通部材の少なくとも一部、前記半導体素子、および前記導電接合材を覆う樹脂部と、
前記電極と前記導電接合材との間に介在し且つ前記電極と前記導電接合材との化合反応を抑制する第１バリア層と、
前記素子第１面および前記樹脂部の間に介在し且つ前記電極の一部を覆う表面保護膜と、
を備える、半導体装置。
続きを表示（約 950 文字）【請求項２】
厚さ方向において互いに反対側を向く素子第１面および素子第２面と、前記素子第１面側に設けられた複数の電極と、を有する半導体素子と、
前記素子第１面に対向する主面および前記主面とは反対側を向く裏面を有する導通部材と、
前記電極と前記導通部材の前記主面との間に介在する導電接合材と、
前記導通部材の少なくとも一部、前記半導体素子、および前記導電接合材を覆う樹脂部と、
前記電極と前記導電接合材との間に介在し且つ前記電極と前記導電接合材との化合反応を抑制する第１バリア層と、
前記素子第１面および前記樹脂部の間に介在する表面保護膜と、を備え、
前記各電極は、前記表面保護膜に接し、
前記複数の電極は、各列が第２方向に沿い且つ前記第２方向と直交する第１方向に互いに離れて位置する複数列をなし、
前記第１方向において隣り合う２列に含まれる前記各電極同士は、前記第２方向における位置が互いに異なる、半導体装置。
【請求項３】
前記電極は、Ｃｕを含む、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記導通部材は、Ｃｕを含む、請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１バリア層は、Ｎｉを含む、請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記導電接合材は、Ｓｎを含む、請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記電極と前記第１バリア層とは、互いに接している、請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記導電接合材と前記第１バリア層とは、互いに接している、請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記導通部材と前記導電接合材との間に介在し且つ前記導通部材と前記導電接合材との化合反応を抑制する第２バリア層をさらに備える、請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２バリア層は、Ｎｉを含む、請求項９に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の一例として、半導体素子がフリップチップの搭載形態でリードに搭載された構成が提案されている。
【０００３】
たとえば、特許文献１に開示された半導体装置は、複数の電極を有する半導体素子と、複数のリードと、半導体素子を覆う樹脂部とを備える。複数の電極が複数のリードにはんだによって接合されており、半導体素子はフリップチップの形態で複数のリードに搭載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特表２００７－５１８２８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体装置の使用環境や動作条件によって、半導体装置の温度の上昇と下降とが繰り返される場合がある。この際、たとえば半導体素子とリードとの熱膨張差に起因して熱応力が発生する。この熱応力によって、はんだと電極との接合部分に亀裂が生じると、半導体装置の適切な動作が阻害されてしまうおそれがある。
【０００６】
上記事情に鑑み、本開示は、はんだと電極との接合界面に亀裂が生じることを抑制可能な半導体装置を提供することを一の課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示によって提供される半導体装置は、半導体素子と、導通部材と、導電接合材と、樹脂部と、第１バリア層とを備える。前記半導体素子は、厚さ方向において互いに反対側を向く素子第１面および素子第２面と、前記素子第１面側に設けられた電極と、を有する。前記導通部材は、前記素子第１面に対向する主面および前記主面とは反対側を向く裏面を有する。前記導電接合材は、前記電極と前記導通部材の前記主面との間に介在する。前記樹脂部は、前記導通部材の少なくとも一部、前記半導体素子、および前記導電接合材を覆う。前記第１バリア層は、前記電極と前記導電接合材との間に介在し且つ前記電極と前記導電接合材との化合反応を抑制する。
【０００８】
好ましくは、前記電極は、Ｃｕを含む。
【０００９】
好ましくは、前記導通部材は、Ｃｕを含む。
【００１０】
好ましくは、前記第１バリア層は、Ｎｉを含む。
（【００１１】以降は省略されています）

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