特許ウォッチ

公開番号2025141192
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-29
出願番号2024041014
出願日2024-03-15
発明の名称半導体装置および半導体装置を備える電子機器
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人佐野特許事務所
主分類G01K 7/00 20060101AFI20250919BHJP(測定;試験)
要約【課題】半導体装置は、温度情報の活用に関して、さらなる検討の余地があった。
【解決手段】半導体装置(100)は、補償電圧(V1)を出力するように構成された半導体素子(D1)と、補償電圧(V1)と基準電圧(Vref)との比較に応じて温度依存性を補償するように定電流(Iref)を出力するように構成された定電流回路(9)と、定電流(Iref)に応じて発振信号(PCLK)を出力するように構成された発振回路(8)と、参照電圧(V4)を出力するように構成された参照電圧生成回路(13)と、補償電圧(V1)と、参照電圧(V4)とに応じた温度情報信号(S1)を出力するように構成された信号生成回路(CP1)と、を備える。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
温度に応じた補償電圧を出力するように構成された半導体素子と、
前記補償電圧と基準電圧との比較に応じて温度依存性を補償するように定電流を出力するように構成された定電流回路と、
前記定電流に応じて発振信号を出力するように構成された発振回路と、
参照電圧を出力するように構成された参照電圧生成回路と、
前記補償電圧と、前記参照電圧とに応じた温度情報信号を出力するように構成された信号生成回路と、
を備える半導体装置。
続きを表示（約 900 文字）【請求項２】
前記参照電圧生成回路は、前記参照電圧の電圧値を変更可能なように構成され、
前記信号生成回路は、変更した前記参照電圧の電圧値ごとの前記補償電圧との比較結果に応じて、前記温度情報信号を生成する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記温度情報信号を入力され、かつ前記参照電圧生成回路に制御信号を入力する制御回路を備え、
前記参照電圧生成回路は、前記制御信号に応じて前記参照電圧の電圧値を変更可能なように構成される請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記参照電圧生成回路は、抵抗器を含み、前記定電流と前記抵抗器の抵抗値に応じて前記参照電圧を生成し、
前記制御回路は、前記抵抗器の抵抗値を可変制御するように前記制御信号を生成する請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体素子に応じたトリミング情報を格納されるように構成された不揮発性メモリを備え、
前記制御回路は、前記不揮発性メモリに格納された前記トリミング情報に応じた前記制御信号を生成して、前記参照電圧の電圧値を変更する請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記発振信号の入力を受けて昇圧電圧を生成するように構成されたチャージポンプ回路を備え、
前記不揮発性メモリは、前記昇圧電圧を印加されてデータを書き込まれ、
前記制御回路は、前記温度情報信号に応じた外部信号を生成し、前記不揮発性メモリが前記昇圧電圧を印加されてデータを書き込まれる前に、前記外部信号を外部出力する請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記制御回路は、前記不揮発性メモリへのデータの書き込み動作中に、前記発振信号に同期するようにして前記制御信号を出力して前記参照電圧の電圧値を変更する請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記制御回路は、前記外部信号を出力する出力端子を有する請求項６に記載の半導体装置。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体装置を備える電子機器。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本明細書中に開示されている発明は、半導体装置および半導体装置を備える電子機器に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、チャージポンプ回路を備える半導体装置がある。この半導体装置は、チャージポンプによる昇圧動作によって書き込み電圧を生成し、不揮発性メモリへのデータのイレース、ライト動作を行う。
【０００３】
なお、上記に関連する従来技術の一例としては、特許文献１を挙げることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１８－０３７１２５号公報
【０００５】
［概要］
特許文献１で開示されている半導体装置は、温度情報の活用に関して、さらなる検討の余地があった。
【０００６】
本明細書中に開示されている半導体装置は、半導体素子と、定電流回路と、発振回路と、参照電圧生成回路と、信号生成回路と、を備える。半導体素子は、温度に応じた補償電圧を出力するように構成されている。定電流回路は、前記補償電圧と基準電圧との比較に応じて温度依存性を補償するように定電流を出力するように構成されている。発振回路は、定電流に応じて発振信号を出力するように構成されている。参照電圧生成回路は、参照電圧を出力するように構成されている。信号生成回路は、補償電圧と、前記参照電圧とに応じた温度情報信号を出力するように構成されている。
【０００７】
本明細書中に開示されている電子機器は、上記構成の半導体装置を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、比較例の半導体装置５０を示す回路図である。
図２は、本開示に係る半導体装置１００を示す図である。
図３は、参照電圧生成回路１３と、その周辺を示す図である。
図４は、ダイオードＤ１の温度に応じた補償電圧Ｖ１と参照電圧Ｖ４との関係を示すグラフである。
図５は、ダイオードＤ１の温度に応じた補償電圧Ｖ１と複数の設定値を有する参照電圧Ｖ４との関係を示すグラフである。
図６は、プロセス変動によって生じる参照電圧Ｖ４と補償電圧Ｖ１との比較結果の誤差を示す図である。
図７は、参照電圧Ｖ４を複数の設定値に切り替えてダイオードＤ１の温度検出を行う制御例を示すタイミングチャートである。
図８は、参照電圧Ｖ４を複数の設定値に切り替えてダイオードＤ１の温度検出を行う制御例を示すタイミングチャートである。
図９は、検出温度Ｔｘに対するビットデータｄ４～ｄ６の値を示す図である。
【０００９】
［詳細な説明］
先ず本開示の半導体装置１００の比較例である半導体装置５０について説明し、その後、本開示の半導体装置１００について説明する。比較例の半導体装置５０は、本開示の半導体装置１００と基本的な構成が共通している。このため、後に説明する本開示の半導体装置１００については、比較例の半導体装置５０と異なる構成部分を中心に説明する。
【００１０】
＜比較例の半導体装置について＞
図１は、半導体装置５０を示す回路図である。半導体装置５０は、オシレータ回路１ｙと、メモリ回路２と、チャージポンプ回路３と、カウンタ回路４と、を備える。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許