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公開番号
2025140991
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-09-29
出願番号
2024040674
出願日
2024-03-15
発明の名称
導電性基材の製造方法、電子デバイスの製造方法、および電磁波シールドフィルムの製造方法、面状発熱体の製造方法
出願人
株式会社サトー
代理人
個人
主分類
H05K
3/12 20060101AFI20250919BHJP(他に分類されない電気技術)
要約
【課題】導電体の密着性を向上できる導電性基材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の導電性基材10の製造方法は、基材1上に、硬化型樹脂層2を形成する工程と、硬化型樹脂層2の基材1側とは反対側の表面に凹部31を形成する工程と、凹部31内に導電性粒子を含む導電性組成物4を配置する工程と、硬化型樹脂層2を硬化させる工程と、導電性組成物4を加圧して導電体5を形成する工程と、を含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
基材上に、硬化型樹脂層を形成する工程と、
前記硬化型樹脂層の前記基材側とは反対側の表面に凹部を形成する工程と、
前記凹部内に導電性粒子を含む導電性組成物を配置する工程と、
前記硬化型樹脂層を硬化させる工程と、
前記導電性組成物を加圧して導電体を形成する工程と、
を含む、導電性基材の製造方法。
続きを表示(約 1,200 文字)
【請求項2】
請求項1に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記凹部を形成する前記工程において、
前記硬化型樹脂層の表面に、ナノインプリント、機械研磨、サンドブラスト研磨、レーザーエッチングおよび化学エッチングの中から選ばれる1または2以上の方法により、前記凹部を形成し、
前記導電性組成物を配置する前記工程において、前記凹部内および前記硬化型樹脂層の面上の前記凹部を除く領域に前記導電性組成物を配置する、導電性基材の製造方法。
【請求項3】
請求項1に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記凹部を形成する前記工程において、
前記硬化型樹脂層の表面に暫定パターンを有するインプリント版を押し付けて前記凹部を形成し、
前記導電体が、当該暫定パターンに対応する導電パターンを有する、導電性基材の製造方法。
【請求項4】
請求項3に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記インプリント版は、平均ピッチ10~1000μmの凹凸形状を有する、導電性基材の製造方法。
【請求項5】
請求項3に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記凹部内に導電性粒子を含む導電性組成物を配置する前記工程において、マスクを用いて前記凹部内に前記導電性組成物を充填する、導電性基材の製造方法。
【請求項6】
請求項1乃至5いずれか一項に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記凹部を形成する前記工程において、前記硬化型樹脂層は半硬化状態である、導電性基材の製造方法。
【請求項7】
請求項1乃至5いずれか一項に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電性粒子の、レーザー回折散乱法により粒子径測定したときに得られる体積基準累積粒子径分布曲線において、累積頻度が50%となる粒子径D
50
が、0.5~100μmである、導電性基材の製造方法。
【請求項8】
請求項1乃至5いずれか一項に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記硬化型樹脂層は、光硬化性樹脂を含み、
前記硬化型樹脂層を硬化させる前記工程において、紫外線照射を行う、導電性基材の製造方法。
【請求項9】
請求項8に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記硬化型樹脂層を硬化させる前記工程において、前記基材側から紫外線照射を行う、導電性基材の製造方法。
【請求項10】
請求項1乃至5いずれか一項に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記硬化型樹脂層を硬化させる前記工程の後に、
前記導電性粒子の表面の酸化膜を除去するための成分Xを浸透させる工程をさらに含む、導電性基材の製造方法。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、導電性基材の製造方法、電子デバイスの製造方法、および電磁波シールドフィルムの製造方法、面状発熱体の製造方法に関する。
続きを表示(約 3,400 文字)
【背景技術】
【0002】
基材上に、導電性粒子を含有する導電性組成物によるパターンを設け、そのパターンを加熱するなどして導電パターンを得る技術が知られている。このような技術は、近年盛んに開発が行われているプリンテッドエレクトロニクスに適用可能と考えられる。プリンテッドエレクトロニクスとは、印刷技術を用いて、フィルムなどの基材の上に電子回路、センサー、素子などを形成する技術のことである。
【0003】
特許文献1(特開2016-099861号公報)には、紫外線硬化型樹脂層に、表面に数百nm台の微細な凹凸構造を持つ溝を形成したナノプリント版を押し付け、紫外線照射を行うことによりインプリント部を形成する工程を含む、タッチパネル配線の形成方法が記載されている。そして、得られたインプリント部に導電性インキを充填することが記載されている。
【0004】
特許文献2(特開昭56-164591号公報)には、ベースフィルムの表面に、抗ピール樹脂を塗布し、これをBステージ化させ、つぎにその表面粗面型版を押圧して粗面を転写形成すると共に、粗面の形成された抗ピール樹脂を硬化させる工程を含み、かつこれらの工程を連続的に実施する粗面フィルムの製法が記載されている。そして、得られた粗面フィルムに化学メッキ等などにより金属層を設けて回路パターンを形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
特開2016-099861号公報
特開昭56-164591号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、特許文献1、2に開示される従来技術においては、基材上の樹脂層に凹凸形状を形成したあと当該樹脂層を硬化させたのちに、導電体を設けて導電パターンを形成するものであったため、導電体の密着性において改善の余地があった。
【0007】
本発明者らは、導電体の密着性を向上する点から鋭意検討を行ったところ、樹脂層を完全硬化させる前に樹脂層に導電性組成物を配置し、その後に導電性組成物を加圧して導電体を得ることによって、導電体の樹脂層への密着性を向上できることを見出し、本発明を完成させた。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明によれば、以下の技術が提供される。
【0009】
[1] 基材上に、硬化型樹脂層を形成する工程と、
前記硬化型樹脂層の前記基材側とは反対側の表面に凹部を形成する工程と、
前記凹部内に導電性粒子を含む導電性組成物を配置する工程と、
前記硬化型樹脂層を硬化させる工程と、
前記導電性組成物を加圧して導電体を形成する工程と、
を含む、導電性基材の製造方法。
[2] [1]に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記凹部を形成する前記工程において、
前記硬化型樹脂層の表面に、ナノインプリント、機械研磨、サンドブラスト研磨、レーザーエッチングおよび化学エッチングの中から選ばれる1または2以上の方法により、前記凹部を形成し、
前記導電性組成物を配置する前記工程において、前記凹部内および前記硬化型樹脂層の面上の前記凹部を除く領域に前記導電性組成物を配置する、導電性基材の製造方法。
[3] [1]に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記凹部を形成する前記工程において、
前記硬化型樹脂層の表面に暫定パターンを有するインプリント版を押し付けて前記凹部を形成し、
前記導電体が、当該暫定パターンに対応する導電パターンを有する、導電性基材の製造方法。
[4] [3]に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記インプリント版は、平均ピッチ10~1000μmの凹凸形状を有する、導電性基材の製造方法。
[5] [3]または[4]に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記凹部内に導電性粒子を含む導電性組成物を配置する前記工程において、マスクを用いて前記凹部内に前記導電性組成物を充填する、導電性基材の製造方法。
[6] [1]乃至[5]いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記凹部を形成する前記工程において、前記硬化型樹脂層は半硬化状態である、導電性基材の製造方法。
[7] [1]乃至[6]いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電性粒子の、レーザー回折散乱法により粒子径測定したときに得られる体積基準累積粒子径分布曲線において、累積頻度が50%となる粒子径D
50
が、0.5~100μmである、導電性基材の製造方法。
[8] [1]乃至[7]いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記硬化型樹脂層は、光硬化性樹脂を含み、
前記硬化型樹脂層を硬化させる前記工程において、紫外線照射を行う、導電性基材の製造方法。
[9] [8]に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記硬化型樹脂層を硬化させる前記工程において、前記基材側から紫外線照射を行う、導電性基材の製造方法。
[10] [1]乃至[9]いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記硬化型樹脂層を硬化させる前記工程の後に、
前記導電性粒子の表面の酸化膜を除去するための成分Xを浸透させる工程をさらに含む、導電性基材の製造方法。
[11] [10]に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記成分Xが、有機酸、リンのオキソ酸、および、ヒドラジンまたはその誘導体、からなる群より選ばれる少なくともいずれかを含む、導電性基材の製造方法。
[12] [1]乃至[11]いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電体を形成する前記工程において、前記導電性組成物を加熱しながら加圧する、導電性基材の製造方法。
[13] [1]乃至[12]いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電体を形成する前記工程において、前記導電性組成物の上面を部材で覆ったうえで加圧する、導電性基材の製造方法。
[14][1]乃至[13]いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電性組成物が、樹脂および結着剤の一方または両方を含む、導電性基材の製造方法。
[15] [1]乃至[13]いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電性組成物が、樹脂および結着剤を実質的に含まない、導電性基材の製造方法。
[16] [1]乃至[15]いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記基材は可撓性を有する、導電性基材の製造方法。
[17] [1]乃至[16]いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記基材は光透過性を有する、導電性基材の製造方法。
[18] [1]乃至[17]いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記基材は、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリイミド、ポリカーボネートおよび紙からなる群より選択される1種または2種以上である、導電性基材の製造方法。
[19] [1]乃至[18]いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電体は導電パターンを有する、導電性基材の製造方法。
[20] [1]乃至[19]いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法により得られた導電性基材を用いて電子デバイスを製造する、電子デバイスの製造方法。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、導電体の密着性を向上できる導電体基材の製造方法が提供できる。
【図面の簡単な説明】
(【0011】以降は省略されています)
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