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公開番号2025132658
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-10
出願番号2024030371
出願日2024-02-29
発明の名称半導体製造装置
出願人株式会社天谷製作所
代理人個人,個人
主分類H01L 21/677 20060101AFI20250903BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体ウエハのあらゆる反り形状に対応可能であり、半導体ウエハの反りを平坦化するための作業時間を短縮し、噴射吸着面に半導体ウエハを吸着させ易くした半導体製造装置を提供する。
【解決手段】スライダ載置部42に載置した半導体ウエハ1と噴射吸着面62とを相対的に接近させる接近手段と、半導体ウエハ1の上面に不活性ガスを噴射する一方、接近手段により半導体ウエハ1と噴射吸着面62とを相対的に接近させた噴射吸着面62に半導体ウエハ1を吸着させる噴射吸着部60と、半導体ウエハ1を上側から加熱する上側加熱部55と、半導体ウエハ1を噴射吸着面62に吸着させた状態で加工する加工手段と、を備え、噴射吸着部60が複数の噴射吸着孔73a,73b,73cを有し、これらの噴射吸着孔73a,73b,73cが中央部及び該中央部の周囲に配設されている。
【選択図】図2

特許請求の範囲【請求項１】
載置部に載置した板状の半導体ウエハと噴射吸着面とを相対的に接近させる接近手段と、
前記半導体ウエハの上面に不活性ガスを噴射する一方、前記接近手段により前記半導体ウエハと前記噴射吸着面とを相対的に接近させた前記噴射吸着面に前記半導体ウエハを吸着させる噴射吸着手段と、
前記半導体ウエハを上側から加熱する加熱部と、
前記半導体ウエハを前記噴射吸着面に吸着させた状態で加工する加工手段と、を備え、
前記噴射吸着手段が複数の噴射吸着孔を有し、これらの噴射吸着孔が中央部及び該中央部の周囲に配設されていることを特徴とする半導体製造装置。
続きを表示（約 620 文字）【請求項２】
前記噴射吸着手段は、上側に配設された上板と、該上板の下側に配設された下板とを有し、該下板に前記複数の噴射吸着孔が形成され、前記上板と前記下板との間に、前記複数の噴射吸着孔に前記不活性ガスを案内する案内通路が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記上板と前記下板の中央位置から前記案内通路に前記不活性ガスが供給され、この案内通路が前記不活性ガスを前記中央位置から周囲に案内するように放射状に複数形成された放射状溝と、これらの放射状溝と連通するように同心状に複数形成された同心状溝とを有し、前記複数の放射状溝及び前記複数の同心状溝に連通して前記噴射吸着孔がそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記噴射吸着孔は、閉止部材が着脱自在に設けられ、該閉止部材が装着されることによって前記噴射吸着孔が閉止可能に構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記噴射吸着孔は、円筒パイプが着脱自在に設けられ、該円筒パイプが装着されることによって前記噴射吸着孔の孔径が変更可能に構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記半導体ウエハがＳｉＣであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体製造装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、板状の半導体ウエハを用いた半導体製造装置に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、半導体製造装置には、例えば特許文献１に記載された技術がある。この半導体製造装置は、サファイア基板を大気中で昇温させるホットプレートと、ホットプレートと所定の間隔を隔てて設置された支持板と、サファイア基板をホットプレートと支持板との間に所定の間隔を隔てて支持すると共に、ホットプレートとサファイア基板の裏面とが対向するように支持する支持部を設けた支持台と、支持台を昇降させる昇降装置と、支持板上に、サファイア基板と所定の間隔を隔てると共に、サファイア基板のおもて面と対向するように配置され、ホットプレートからの輻射熱を吸収する輻射熱吸収プレートと、を備える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００８－２１９４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１に記載された技術は、ホットプレートからサファイア基板を透過した輻射熱を輻射熱吸収プレートで吸収してサファイア基板の周囲の空気をサファイア基板の表裏の面から加熱するようにしている。すなわち、特許文献１に記載された技術は、空気を介した熱伝達によってサファイア基板を予熱してサファイア基板の反りを抑制するようにしているため、サファイア基板を平坦化するための作業時間が長くかかるとともに、サファイア基板の望ましい平坦度が得られないという問題がある。その結果、半導体ウエハを吸着面に吸着させにくい不具合がある。
【０００５】
そこで、本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、半導体ウエハのあらゆる反り形状に対応可能であり、半導体ウエハの反りを平坦化するための作業時間を短縮し、噴射吸着面に半導体ウエハを吸着させ易くした半導体製造装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
かかる課題を達成するために、請求項１に記載の発明は、載置部に載置した板状の半導体ウエハと噴射吸着面とを相対的に接近させる接近手段と、前記半導体ウエハの上面に不活性ガスを噴射する一方、前記接近手段により前記半導体ウエハと前記噴射吸着面とを相対的に接近させた前記噴射吸着面に前記半導体ウエハを吸着させる噴射吸着手段と、前記半導体ウエハを上側から加熱する加熱部と、前記半導体ウエハを前記噴射吸着面に吸着させた状態で加工する加工手段と、を備え、前記噴射吸着手段が複数の噴射吸着孔を有し、これらの噴射吸着孔が中央部及び該中央部の周囲に配設されていることを特徴とする。
【０００７】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の構成に加え、前記噴射吸着手段は、上側に配設された上板と、該上板の下側に配設された下板とを有し、該下板に前記複数の噴射吸着孔が形成され、前記上板と前記下板との間に、前記複数の噴射吸着孔に前記不活性ガスを案内する案内通路が設けられていることを特徴とする。
【０００８】
また、請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の構成に加え、前記上板と前記下板の中央位置から前記案内通路に前記不活性ガスが供給され、この案内通路が前記不活性ガスを前記中央位置から周囲に案内するように放射状に複数形成された放射状溝と、これらの放射状溝と連通するように同心状に複数形成された同心状溝とを有し、前記複数の放射状溝及び前記複数の同心状溝に連通して前記噴射吸着孔がそれぞれ設けられていることを特徴とする。
【０００９】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の構成に加え、前記噴射吸着孔は、閉止部材が着脱自在に設けられ、該閉止部材が装着されることによって前記噴射吸着孔が閉止可能に構成されていることを特徴とする。
【００１０】
また、請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の構成に加え、前記噴射吸着孔は、円筒パイプが着脱自在に設けられ、該円筒パイプが装着されることによって前記噴射吸着孔の孔径を変更可能に構成されていることを特徴とする。
（【００１１】以降は省略されています）

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