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公開番号2025127121
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-01
出願番号2024023654
出願日2024-02-20
発明の名称発光装置及び発光装置の製造方法
出願人日亜化学工業株式会社
代理人個人,個人
主分類H10H 20/857 20250101AFI20250825BHJP()
要約【課題】配線の腐食を低減する発光装置及び発光装置の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本開示の一実施形態に係る発光装置は、基材と、前記基材の上面側に配置されるCu配線と、を備える基板と、前記基板上に配置され、前記Cu配線の上面の少なくとも一部の上にある開口部を有する絶縁層と、少なくとも、前記Cu配線の前記上面を被覆するTi層と、前記Ti層上に配置されるTiN層と、前記TiN層上に配置されるTiW層と、前記TiW層上に配置され、Au、Pt、Ru、Pd、及びRhの少なくとも1つを含む金属層と、前記金属層上に配置され、Auを含む導電部材と、前記導電部材上に配置される電極を備える発光素子と、を備える。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
基材と、前記基材の上面側に配置されるＣｕ配線と、を備える基板と、
前記基板上に配置され、前記Ｃｕ配線の上面の少なくとも一部の上にある開口部を有する絶縁層と、
少なくとも、前記Ｃｕ配線の前記上面を被覆するＴｉ層と、
前記Ｔｉ層上に配置されるＴｉＮ層と、
前記ＴｉＮ層上に配置されるＴｉＷ層と、
前記ＴｉＷ層上に配置され、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、及びＲｈの少なくとも１つを含む金属層と、
前記金属層上に配置され、Ａｕを含む導電部材と、
前記導電部材上に配置される電極を備える発光素子と、
を備える、発光装置。
続きを表示（約 2,200 文字）【請求項２】
前記ＴｉＷ層の厚さは、前記金属層の厚さより小さい、
請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記ＴｉＮ層の厚さは、前記ＴｉＷ層の厚さより小さい、
請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
上面視において、前記ＴｉＷ層の外縁は、前記金属層の外縁に比べて、前記金属層の中央側に位置する、
請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
【請求項５】
基材と、前記基材の上面側に配置されるＣｕ配線と、を備える基板と、
前記基板上に配置され、前記Ｃｕ配線の上面の少なくとも一部の上にある開口部を有する絶縁層と、
前記Ｃｕ配線の前記上面と、前記開口部を規定する前記絶縁層の内面と、前記内面に連なる、前記絶縁層の上面の一部と、を被覆するＴｉＷ層と、
前記ＴｉＷ層の上面を被覆するとともに、前記ＴｉＷ層の前記上面と前記絶縁層の前記上面との間にある、前記ＴｉＷ層の外側面を被覆する第１Ｔｉ層と、
前記第１Ｔｉ層上に配置され、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、及びＲｈの少なくとも１つを含む金属層と、
前記金属層上に配置され、Ａｕを含む導電部材と、
前記導電部材上に配置される電極を備える発光素子と、
を備える、発光装置。
【請求項６】
前記第１Ｔｉ層と前記金属層との間に配置されるＰｔ層をさらに備え、
前記金属層は、Ａｕから構成される、
請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第１Ｔｉ層上に配置されるＴｉＮ層と、
前記ＴｉＮ層上に配置される第２Ｔｉ層と、
をさらに備える、請求項５に記載の発光装置。
【請求項８】
基材と、前記基材の上面側に配置されるＣｕ配線と、を備える基板と、
前記基板上に配置され、前記Ｃｕ配線の上面の少なくとも一部の上にある開口部を有する絶縁層と、
前記Ｃｕ配線の前記上面と、前記開口部を規定する前記絶縁層の内面と、前記内面に連なる、前記絶縁層の上面の一部と、を被覆する下地層と、
前記下地層上に配置され、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、及びＲｈの少なくとも１つを含む金属層と、
前記金属層上に配置され、Ａｕを含む導電部材と、
前記導電部材上に配置される電極を備える発光素子と、
を備え、
前記下地層において、前記絶縁層の上面の一部を被覆する部分は、前記下地層の外縁を規定する外側面と、前記外側面の少なくとも一部の領域から、上面視において前記下地層の中央側へ窪む凹部と、を備える、発光装置。
【請求項９】
基材と、前記基材の上面側に配置されるＣｕ配線と、を備える基板を準備する工程と、
前記Ｃｕ配線の上面の少なくとも一部の上に開口部が配置されるよう、前記基板上に絶縁層を形成する工程と、
前記Ｃｕ配線の前記上面を被覆するよう、Ｔｉ層を形成する工程と、
前記Ｔｉ層上にＴｉＮ層を形成する工程と、
前記ＴｉＮ層上にＴｉＷ層を形成する工程と、
前記ＴｉＷ層上に、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、及びＲｈの少なくとも１つを含む金属層を形成する工程と、
前記絶縁層の少なくとも一部にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層上であって、前記金属層と離隔する位置に、発光素子を配置する工程と、
めっき法を用いて、前記金属層上にＡｕを含む導電部材を形成し、前記導電部材と前記発光素子の電極とを接合する工程と、
前記レジスト層を除去する工程と、
少なくとも、上面視において前記導電部材と重ならない、前記ＴｉＷ層の一部をエッチングする工程と、
を含む、発光装置の製造方法。
【請求項１０】
基材と、前記基材の上面側に配置されるＣｕ配線と、を備える基板を準備する工程と、
前記Ｃｕ配線の上面の少なくとも一部の上に開口部が配置されるよう、前記基板上に絶縁層を形成する工程と、
第１ＴｉＷ層及び第２ＴｉＷ層を形成する工程であって、前記Ｃｕ配線の前記上面と、前記開口部を規定する前記絶縁層の内面と、前記内面に連なる、前記絶縁層の上面の一部とをそれぞれ被覆する前記第１ＴｉＷ層を形成するとともに、前記絶縁層の前記上面上であって、前記第１ＴｉＷ層から離隔する位置に、前記第２ＴｉＷ層を形成する工程と、
前記第１ＴｉＷ層の上面と、前記第１ＴｉＷ層の上面と前記絶縁層の前記上面との間にある、前記第１ＴｉＷ層の外側面とを被覆するよう、第１Ｔｉ層を形成する工程と、
前記第１Ｔｉ層上に、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、及びＲｈの少なくとも１つを含む金属層を形成する工程と、
前記絶縁層の少なくとも一部にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層上であって、前記金属層と離隔する位置に、発光素子を配置する工程と、
めっき法を用いて、前記金属層上にＡｕを含む導電部材を形成し、前記導電部材と前記発光素子の電極とを接合する工程と、
前記レジスト層を除去する工程と、
前記第２ＴｉＷ層をエッチングする工程と、
を含む、発光装置の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体基板と、半導体基板の電極に形成された金属パッドと、金属パッド上に積層されるバリアメタル層と、バリアメタル層上に形成されたバンプと、を備えた半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００５－１５０４４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
めっき法を用いてバンプを形成した後、バンプをマスクとして、バリアメタル層の一部をエッチングするとき、バリアメタル層のサイドエッチング量が多いと、外界と金属パッド等の配線とをつなぐ空間が形成され、配線と腐食物質とが接触する可能性が高まる。
【０００５】
本開示は、配線の腐食を低減する発光装置及び発光装置の製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一実施形態に係る発光装置は、基材と、前記基材の上面側に配置されるＣｕ配線と、を備える基板と、前記基板上に配置され、前記Ｃｕ配線の上面の少なくとも一部の上にある開口部を有する絶縁層と、少なくとも、前記Ｃｕ配線の前記上面を被覆するＴｉ層と、前記Ｔｉ層上に配置されるＴｉＮ層と、前記ＴｉＮ層上に配置されるＴｉＷ層と、前記ＴｉＷ層上に配置され、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、及びＲｈの少なくとも１つを含む金属層と、前記金属層上に配置され、Ａｕを含む導電部材と、前記導電部材上に配置される電極を備える発光素子と、を備える。
【０００７】
本開示の一実施形態に係る発光装置は、基材と、前記基材の上面側に配置されるＣｕ配線と、を備える基板と、前記基板上に配置され、前記Ｃｕ配線の上面の少なくとも一部の上にある開口部を有する絶縁層と、前記Ｃｕ配線の前記上面と、前記開口部を規定する前記絶縁層の内面と、前記内面に連なる、前記絶縁層の上面の一部と、を被覆するＴｉＷ層と、前記ＴｉＷ層の上面を被覆するとともに、前記ＴｉＷ層の前記上面と前記絶縁層の前記上面との間にある、前記ＴｉＷ層の外側面を被覆する第１Ｔｉ層と、前記第１Ｔｉ層上に配置され、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、及びＲｈの少なくとも１つを含む金属層と、前記金属層上に配置され、Ａｕを含む導電部材と、前記導電部材上に配置される電極を備える発光素子と、を備える。
【０００８】
本開示の一実施形態に係る発光装置は、基材と、前記基材の上面側に配置されるＣｕ配線と、を備える基板と、前記基板上に配置され、前記Ｃｕ配線の上面の少なくとも一部の上にある開口部を有する絶縁層と、前記Ｃｕ配線の前記上面と、前記開口部を規定する前記絶縁層の内面と、前記内面に連なる、前記絶縁層の上面の一部と、を被覆する下地層と、前記下地層上に配置され、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、及びＲｈの少なくとも１つを含む金属層と、前記金属層上に配置され、Ａｕを含む導電部材と、前記導電部材上に配置される電極を備える発光素子と、を備え、前記下地層において、前記絶縁層の上面の一部を被覆する部分は、前記下地層の外縁を規定する外側面と、前記外側面の少なくとも一部の領域から、上面視において前記下地層の中央側へ窪む凹部と、を備える。
【０００９】
本開示の一実施形態に係る発光装置の製造方法は、基材と、前記基材の上面側に配置されるＣｕ配線と、を備える基板を準備する工程と、前記Ｃｕ配線の上面の少なくとも一部の上に開口部が配置されるよう、前記基板上に絶縁層を形成する工程と、前記Ｃｕ配線の前記上面を被覆するよう、Ｔｉ層を形成する工程と、前記Ｔｉ層上にＴｉＮ層を形成する工程と、前記ＴｉＮ層上にＴｉＷ層を形成する工程と、前記ＴｉＷ層上に、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、及びＲｈの少なくとも１つを含む金属層を形成する工程と、前記絶縁層の少なくとも一部にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層上であって、前記金属層と離隔する位置に、発光素子を配置する工程と、めっき法を用いて、前記金属層上にＡｕを含む導電部材を形成し、前記導電部材と前記発光素子の電極とを接合する工程と、前記レジスト層を除去する工程と、少なくとも、上面視において前記導電部材と重ならない、前記ＴｉＷ層の一部をエッチングする工程と、を含む。
【００１０】
本開示の一実施形態に係る発光装置の製造方法は、基材と、前記基材の上面側に配置されるＣｕ配線と、を備える基板を準備する工程と、前記Ｃｕ配線の上面の少なくとも一部の上に開口部が配置されるよう、前記基板上に絶縁層を形成する工程と、第１ＴｉＷ層及び第２ＴｉＷ層を形成する工程であって、前記Ｃｕ配線の前記上面と、前記開口部を規定する前記絶縁層の内面と、前記内面に連なる、前記絶縁層の上面の一部とをそれぞれ被覆する前記第１ＴｉＷ層を形成するとともに、前記絶縁層の前記上面上であって、前記第１ＴｉＷ層から離隔する位置に、前記第２ＴｉＷ層を形成する工程と、前記第１ＴｉＷ層の上面と、前記第１ＴｉＷ層の上面と前記絶縁層の前記上面との間にある、前記第１ＴｉＷ層の外側面とを被覆するよう、第１Ｔｉ層を形成する工程と、前記第１Ｔｉ層上に、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、及びＲｈの少なくとも１つを含む金属層を形成する工程と、前記絶縁層の少なくとも一部にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層上であって、前記金属層と離隔する位置に、発光素子を配置する工程と、めっき法を用いて、前記金属層上にＡｕを含む導電部材を形成し、前記導電部材と前記発光素子の電極とを接合する工程と、前記レジスト層を除去する工程と、前記第２ＴｉＷ層をエッチングする工程と、を含む。
（【００１１】以降は省略されています）

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