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公開番号2025120927
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-18
出願番号2025006291
出願日2025-01-16
発明の名称光デバイス、光コネクタ接続構造
出願人古河電気工業株式会社
代理人個人
主分類G02B 6/36 20060101AFI20250808BHJP(光学)
要約【課題】接続作業性に優れた光デバイスおよび光接続構造を提供する。
【解決手段】光コネクタ3の幅方向の略中央には、接続対象の光コネクタと光接続される光導波路7が配置される。また、光コネクタ3の幅方向に対して、光導波路7を挟んで両側にそれぞれ磁石5a、5bが配置される。一の光コネクタ3と、一の光コネクタ3の隣の他の光コネクタ3との、互いに隣り合って配置される磁石の極性が互いに異なる。一の光コネクタ3と光コネクタ9とを接続する際、一の光コネクタ3の磁石5a、5bと、光コネクタ9の磁石11a、11bとを吸着させて接続可能であるとともに、当該一の光コネクタ3の磁石に対して隣り合う他の光コネクタ3の磁石5a又は磁石5bと、光コネクタ9の磁石11b又は磁石11aとを反発させることが可能である。
【選択図】図2

特許請求の範囲【請求項１】
複数の光コネクタが併設される光デバイスであって、
それぞれの前記光コネクタにおいて磁石が配置され、
一の前記光コネクタと、前記一の光コネクタの隣の他の前記光コネクタとの、互いに隣り合って配置される前記磁石の極性が互いに異なることで、
前記一の光コネクタと接続対象の光接続端末とを接続する際、前記一の光コネクタの前記磁石と、接続対象の光接続端末の端末側磁石とを吸着させて接続可能であるとともに、前記一の光コネクタの前記磁石に対して隣り合う他の前記光コネクタの前記磁石と、接続対象の光接続端末の端末側磁石とを反発させることが可能であることを特徴とする光デバイス。
続きを表示（約 780 文字）【請求項２】
前記光コネクタの併設方向に対して、前記光コネクタの一方の側の前記磁石の極性と、前記光コネクタの他方の側の前記磁石の極性とが異なることを特徴とする請求項１記載の光デバイス。
【請求項３】
前記磁石は、前記光コネクタの併設方向の両側にそれぞれ配置されることを特徴とする請求項１記載の光デバイス。
【請求項４】
前記磁石は、前記光コネクタの併設方向に垂直な高さ方向の上下にそれぞれ配置されることを特徴とする請求項１記載の光デバイス。
【請求項５】
前記光コネクタには、中心を挟んで前記光コネクタの併設方向又は併設方向に垂直な方向に対向するように、接続対象の光接続端末のためのガイド機構が設けられることを特徴とする請求項１記載の光デバイス。
【請求項６】
前記光コネクタには、接続対象の光接続端末のガイドピン又はボスが挿入可能な孔が設けられることを特徴とする請求項１記載の光デバイス。
【請求項７】
前記磁石は、前記光コネクタに対して軟磁性体からなる弾性部材によって固定されることを特徴とする請求項１記載の光デバイス。
【請求項８】
前記光コネクタは、
接続対象とのガイド機構を有する位置決め部材と、
前記位置決め部材に固定されるレンズアレイと、
前記レンズアレイに光接続される光導波部材と、
を具備することを特徴とする請求項１記載の光デバイス。
【請求項９】
前記位置決め部材には、ヨークが固定されることを特徴とする請求項８記載の光デバイス。
【請求項１０】
前記磁石は、サマリウムコバルト磁石であることを特徴とする請求項１記載の光デバイス。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、接続対象と光接続可能なコネクタを有する光デバイス等に関するものである。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
光電融合（ＣＰＯ）やシリコンフォトニクス（ＳｉＰ）分野では、ＰＩＣ（ＰｈｏｔｏｎｉｃＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）等と光ファイバとを接続する光接続機構が必要である。例えば、基板にＳｉＰ等のＰＩＣ（光集積回路）や集積回路等が搭載され、光集積回路に対しては、他の機器との接続のためのコネクタを有する光ファイバが接続される。
【０００３】
このような、光接続構造を構築する際には、例えば基板と光集積回路とがリフロー工程によって接続される。しかし、このようにコネクタが取り付けられた多数の光ファイバが基板に接続されていると、ハンドリングが煩雑となり、取り扱い性が悪い。また、コネクタの自重や、光ファイバの引張により、光ファイバと光集積回路との接続部へ応力がかかり、接続部へのダメージのリスクがある。また、光ファイバやコネクタにも、リフローに耐えうる耐熱性が必要となる。
【０００４】
これに対し、リフロー工程後に、光配線部材を光集積素子に固定されたスタブへ接着固定する方法が提案されている（特許文献１）。特許文献１では、光集積素子やプリズム及び接着剤等を、耐熱性に優れた材料から選択することで、リフロー工程に耐えることができる。また、その後、光ファイバ等を接続することで、光ファイバやコネクタが熱で劣化することを抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１６－９０６１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、前述したように、多数の光ファイバを基板等へ接続する際には、それぞれの光ファイバの調心を行い、接着剤によって固定する必要がある。このため、その接続作業にはかなりの時間を要する。また、先に接続した光ファイバが、その後の光ファイバの調心及び接続作業の際に邪魔となるなど、作業性を悪化させる要因となりうる。
【０００７】
これに対し、光ファイバと光デバイスとを容易に脱着可能な構造が提案されている。図２３は、光デバイス１００を示す概念図である。光デバイス１００には、多数の光コネクタ１０１ａが併設され、それぞれの光コネクタ１０１ａには、一端に光コネクタ１０１ｂを有し、他端に光コネクタ１０５を有する光ファイバ１０３が接続される。すなわち、光コネクタ１０１ａと光コネクタ１０１ｂとが接続される。
【０００８】
このような光デバイス１００において、より高密度化を考慮し、光コネクタ１０１ａ、１０１ｂの接続構造として、脱着が容易であり小型化も容易な磁石を用いた光接続構造が提案されている。このようにすることで、機械的なラッチ等による接続構造と比較して小型であり、リフロー工程後に容易に光ファイバを接続することもできるため、取り扱いが容易となる。
【０００９】
図２４は、光コネクタ１０１ａと光コネクタ１０１ｂの接続構造を示す概略図である。光コネクタ１０１ａには、光導波路を挟んで対称な位置に一対の磁石１０７ａが配置される。一方、光コネクタ１０１ｂには、光ファイバ１０３を挟んで対称な位置に一対の磁石１０７ｂが配置される。図示した例では、光コネクタ１０１ａは、光コネクタ１０１ｂとの対向面側にはＮ極が配置され、光コネクタ１０１ｂは、光コネクタ１０１ａとの対向面側にはＳ極が配置されるため、両者が吸着して光コネクタ１０１ａ、１０１ｂが接続される。
【００１０】
しかし、前述したように、高密度化のため、隣り合う光コネクタ１０１ａ同士の間隔は極めて狭くなる。このため、図２４の下方に示したように、隣り合う光コネクタ１０１ａにまたがるようにして、光コネクタ１０１ｂが誤接続されてしまう恐れがある。このため、接続作業のやり直し等、作業性が悪化する要因となる。
（【００１１】以降は省略されています）

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