TOP
|
特許
|
意匠
|
商標
特許ウォッチ
Twitter
他の特許を見る
公開番号
2025109922
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-07-25
出願番号
2025084612,2022071356
出願日
2025-05-21,2022-04-25
発明の名称
ウエハ載置台
出願人
日本碍子株式会社
代理人
弁理士法人アイテック国際特許事務所
主分類
H01L
21/683 20060101AFI20250717BHJP(基本的電気素子)
要約
【課題】セラミック基材の直上領域のプラズマ密度を高くする。
【解決手段】ウエハ載置台10は、上面にウエハ載置面22aを有し、電極26を内蔵するセラミック基材20と、セラミック基材20の下面側に設けられ、プラズマ発生電極を兼用し、セラミック基材20と同径の導電性基材30と、導電性基材30の下面側に設けられ、導電性基材30よりも径が大きく、導電性基材30と電気的に絶縁された支持基材40と、支持基材40のうち導電性基材30よりも半径方向外側にはみ出した部分である取付用フランジ42と、を備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
上面にウエハ載置面を有し、電極を内蔵するセラミック基材と、
前記セラミック基材の下面側に設けられ、冷媒流路又は冷媒流路溝を有し、プラズマ発生電極を兼用し、前記セラミック基材と同径の導電性基材と、
前記導電性基材の下面側に設けられ、前記導電性基材よりも径が大きく、前記導電性基材と電気的に絶縁された支持基材と、
前記支持基材のうち前記導電性基材よりも半径方向外側にはみ出した部分である取付用フランジと、
を備えたウエハ載置台。
続きを表示(約 410 文字)
【請求項2】
前記支持基材は、絶縁性材料で形成されている、
請求項1に記載のウエハ載置台。
【請求項3】
前記セラミック基材と前記導電性基材とを接合する第1接合層及び前記導電性基材と前記支持基材とを接合する第2接合層は、いずれも金属接合層である、
請求項2に記載のウエハ載置台。
【請求項4】
前記導電性基材は、前記冷媒流路溝を有し、
前記冷媒流路溝は、前記導電性基材のうち前記支持基材に対向する面に開口を有している、
請求項2又は3に記載のウエハ載置台。
【請求項5】
前記支持基材は、金属で形成され、前記支持基材と前記導電性基材との間には絶縁層が設けられている、
請求項1に記載のウエハ載置台。
【請求項6】
前記支持基材の下面には、ネジ穴が設けられている、
請求項5に記載のウエハ載置台。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、ウエハ載置台に関する。
続きを表示(約 1,500 文字)
【背景技術】
【0002】
従来、ウエハ載置台として、ウエハ載置面を有すると共に電極を内蔵するセラミック基材と、セラミック基材の下面側に設けられた導電性の冷却基材とを備えたものが知られている。例えば、特許文献1には、この種のウエハ載置台として、セラミック基材よりも径の大きな冷却基材を備えたものが開示されている。ウエハ載置台の使用例の説明には、プラズマを発生させる際、高周波電圧を冷却基材に印加してもよいと記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特許第6637184号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、冷却基材はセラミック基材よりも径が大きいため、平面視でウエハと重複する領域のみならずウエハからはみ出した領域でもプラズマが発生する。ウエハからはみ出した領域で発生したプラズマは、ウエハの処理に使われないため、無駄になってしまう。そのため、セラミック基材の直上領域(設計上のプラズマ発生領域)のプラズマ密度が下がってしまうという問題があった。
【0005】
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、セラミック基材の直上領域のプラズマ密度を高くすることを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
[1]本発明のウエハ載置台は、
上面にウエハ載置面を有し、電極を内蔵するセラミック基材と、
前記セラミック基材の下面側に設けられ、冷媒流路又は冷媒流路溝を有し、プラズマ発生電極を兼用し、前記セラミック基材と同径の導電性基材と、
前記導電性基材の下面側に設けられ、前記導電性基材よりも径が大きく、前記導電性基材と電気的に絶縁された支持基材と、
前記支持基材のうち前記導電性基材よりも半径方向外側にはみ出した部分である取付用フランジと、
を備えたものである。
【0007】
本発明のウエハ載置台では、支持基材のうち導電性基材よりも半径方向外側にはみ出した部分を取付用フランジとして使用するが、支持基材は導電性基材と電気的に絶縁されている。そのため、取付用フランジがプラズマ発生電極として機能することはなく、取付用フランジの直上領域でのプラズマの発生が抑制される。その結果、セラミック基材の直上領域のプラズマ密度を高くすることができる。
【0008】
なお、本明細書では、上下、左右、前後などを用いて本発明を説明することがあるが、上下、左右、前後は、相対的な位置関係に過ぎない。そのため、ウエハ載置台の向きを変えた場合には上下が左右になったり左右が上下になったりすることがあるが、そうした場合も本発明の技術的範囲に含まれる。
【0009】
[2]上述したウエハ載置台(前記[1]に記載のウエハ載置台)において、前記支持基材は、絶縁性材料で形成されているものとしてもよい。こうすれば、比較的簡単に支持基材を導電性基材と電気的に絶縁することができる。
【0010】
[3]上述したウエハ載置台(前記[2]に記載のウエハ載置台)において、前記セラミック基材と前記導電性基材とを接合する第1接合層及び前記導電性基材と前記支持基材とを接合する第2接合層は、いずれも金属接合層であるものとしてもよい。こうすれば、セラミック基材と導電性基材との接合と、導電性基材と支持基材との接合を同じ工程で行うことができるため、製造コストを抑えることができる。
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPat(特許庁公式サイト)で参照する
関連特許
日本碍子株式会社
電池
23日前
日本碍子株式会社
ガスセンサ
13日前
日本碍子株式会社
ハニカム構造体
3日前
日本碍子株式会社
ハニカム構造体
18日前
日本碍子株式会社
半導体製造装置用部材
11日前
日本碍子株式会社
ハニカム構造体の電気抵抗を測定するための方法
3日前
日本碍子株式会社
微細構造材料のモデル生成方法およびモデル生成装置
1か月前
日本碍子株式会社
フォトニック結晶素子
4日前
日本碍子株式会社
半導体製造装置用部材
11日前
個人
雄端子
1か月前
個人
安全なNAS電池
16日前
愛知電機株式会社
電力機器
1か月前
ヒロセ電機株式会社
端子
1か月前
東レ株式会社
多孔質炭素シート
11日前
日機装株式会社
加圧装置
1か月前
個人
フリー型プラグ安全カバー
23日前
エイブリック株式会社
半導体装置
13日前
ローム株式会社
半導体装置
1か月前
キヤノン株式会社
電子機器
11日前
エイブリック株式会社
半導体装置
13日前
ローム株式会社
半導体装置
11日前
株式会社ティラド
面接触型熱交換器
3日前
ニチコン株式会社
コンデンサ
4日前
オムロン株式会社
電磁継電器
20日前
ニチコン株式会社
コンデンサ
4日前
株式会社GSユアサ
蓄電装置
27日前
東レ株式会社
ガス拡散層の製造方法
11日前
住友電装株式会社
端子
1か月前
株式会社GSユアサ
蓄電装置
27日前
沖電気工業株式会社
アンテナ
23日前
株式会社GSユアサ
蓄電装置
19日前
三菱電機株式会社
回路遮断器
1か月前
マクセル株式会社
配列用マスク
3日前
日本特殊陶業株式会社
保持装置
18日前
トヨタ自動車株式会社
蓄電装置
1か月前
株式会社カネカ
二次電池
26日前
続きを見る
他の特許を見る