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公開番号2025105562
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-10
出願番号2024229062
出願日2024-12-25
発明の名称フラックス残渣除去用洗浄剤組成物
出願人花王株式会社
代理人弁理士法人池内アンドパートナーズ
主分類C11D 7/32 20060101AFI20250703BHJP(動物性または植物性油,脂肪,脂肪性物質またはろう;それに由来する脂肪酸;洗浄剤;ろうそく)
要約【課題】一態様において、200℃以上の加熱処理後の変色した金属及びフラックス残渣の両方の除去性に優れるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】本開示は、一態様において、下記式(I)で表される化合物及び下記式(II)で表される化合物から選ばれる少なくとも1種の有機溶剤(成分A)と、下記式(III)で表されるイミダゾール化合物(成分B)と、カルボン酸(成分C)と、水(成分D)と、を含むフラックス残渣除去用洗浄剤組成物に関する。
R¹-O-(AO)_n-R² (I)
R³-CH₂OH (II)
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特許請求の範囲【請求項１】
下記式（Ｉ）で表される化合物及び下記式（ＩＩ）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種の有機溶剤（成分Ａ）と、下記式（ＩＩＩ）で表されるイミダゾール化合物（成分Ｂ）と、カルボン酸（成分Ｃ）と、水（成分Ｄ）と、を含むフラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
Ｒ
1
－Ｏ－（ＡＯ）
n
－Ｒ
2
（Ｉ）
上記式（Ｉ）において、Ｒ
1
はフェニル基又は炭素数１以上８以下のアルキル基であり、Ｒ
2
は水素原子又は炭素数１以上４以下のアルキル基であり、ＡＯはエチレンオキシド基又はプロピレンオキシド基であり、ｎはＡＯの付加モル数であり、１以上３以下の整数である。
Ｒ
3
－ＣＨ
2
ＯＨ（ＩＩ）
上記式（ＩＩ）において、Ｒ
3
はフェニル基、ベンジル基、シクロヘキシル基、フリル基、テトラヒドロフリル基、フルフリル基又はテトラヒドロフルフリル基である。
TIFF
2025105562000007.tif
41
170
式（ＩＩＩ）において、Ｒ
4
、Ｒ
5
、Ｒ
6
及びＲ
7
はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、フェニル基、アルデヒド基、カルボキシ基、アミノエチル基、アミノプロピル基、アセチル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基を示す。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
成分Ａの含有量が、１０質量％以上９０質量％以下である、請求項１に記載のフラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
【請求項３】
成分Ｂの含有量が、０．５質量％以上１５質量％以下である、請求項１又は２に記載のフラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
【請求項４】
成分Ｂは、イミダゾール、１－メチルイミダゾール、１－エチルイミダゾール、１－プロピルイミダゾール、１－イソプロピルイミダゾール、１－アセチルイミダゾール、１－アミノプロピルイミダゾール、１－ヒドロキシエチルイミダゾール、２－メチルイミダゾール、２－エチルイミダゾール、２－プロピルイミダゾール、２－イソプロピルイミダゾール、２－アセチルイミダゾール、２－アミノプロピルイミダゾール、２－ヒドロキシエチルイミダゾール、４－メチルイミダゾール、４－エチルイミダゾール、４－プロピルイミダゾール、４－イソプロピルイミダゾール、４－アセチルイミダゾール、４－アミノプロピルイミダゾール、４－ヒドロキシエチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、１－イソブチル－２－メチルイミダゾール及び２－エチル－４－メチルイミダゾールから選ばれる少なくとも１種である、請求項１又は２に記載のフラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
【請求項５】
成分Ｃの含有量が、０．５質量％以上１０質量％以下である、請求項１又は２に記載のフラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
【請求項６】
成分Ｃと成分Ａとの質量比（Ｃ／Ａ）が、０．０００１以上である、請求項１又は２に記載のフラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
【請求項７】
成分Ｂと成分Ａとの質量比（Ｂ／Ａ）は、０．００５以上１．０以下である、請求項１又は２に記載のフラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
【請求項８】
成分Ｂと成分Ｃとの質量比（Ｂ／Ｃ）は、０．０１以上２５以下である、請求項１又は２に記載のフラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
【請求項９】
成分Ｄの含有量が、０．５％質量以上２０質量％以下である、請求項１又は２に記載のフラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
【請求項１０】
成分Ｃが炭素数８以上のカルボン酸である、請求項１又は２に記載のフラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、及び該洗浄剤組成物を用いた洗浄方法に関する。
続きを表示（約 2,700 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージ等の電子基板の回路を形成する電極には、製造コストを低減する為に、銅、銅合金等の金属が用いられている。
【０００３】
プリント配線板の実装方法として、実装密度を向上させた表面実装が広く採用されている。実装密度を向上するために、基板上の配線と電子素子の端子間にナノ金属ペーストを塗布し、加熱によりナノ金属を溶融及び固化させ、基板上の配線と電子素子の端子間を結合させる技術が知られている。
【０００４】
一方、はんだ付け後の電子部品のはんだフラックスを洗浄する技術が知られている。
例えば、特許文献１には、溶剤とハンセン溶解度パラメータの極性項δｐが７．８以下のアミンと特定のジホスホン酸とを含むフラックス残渣除去用洗浄剤組成物が提案されている。
特許文献２には、フラックス残渣を有する被洗浄物を洗浄剤組成物で洗浄する工程を含む洗浄方法であって、前記洗浄剤組成物は、有機溶剤とイミダゾール環又はピペラジン環の窒素原子に炭素数１以上４以下のアルキル基を有する化合物とを含有する洗浄方法が提案されている。
特許文献３には、水０～３０重量％を含むＮ－メチル－２－ピロリドンとホスフィン類、フェノール類、イミダゾリドン類、イミダゾール類又はフルオレン類の化合物から選ばれられる１種以上の化合物からなる洗浄剤組成物が提案されている。
特許文献４には、基板表面にＣｕ配線と低誘電率絶縁膜を有し、かつ、化学的機械的研磨を行った後の半導体デバイス用基板を洗浄するｐＨが８以上の洗浄組成液であって、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドと、エチレンジアミン及び１，２ジアミノプロパンから選ばれるジアミン類と、シュウ酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸及びピコリン酸から選ばれる有機酸と、ヒスチジン又はその誘導体と、ベンゾトリアゾール、イミダゾール、トリアゾール、テトラゾール及びその誘導体から選ばれる少なくとも１種と、水とを含む半導体デバイス用基板洗浄液が提案されている。
特許文献５には、約０．５～２０重量％のヒドロキシルアミン、約０．０１～１重量％の少なくとも２つの窒素含有基を含むキレート剤、アルキレングリコール、及び水を含む洗浄用組成物であって、組成物のｐＨが約７．５～１１であり、組成物は半導体基板から残渣を除去するように構成され、半導体基板はコバルトを含む相互接合体を含む洗浄用組成物が提案されている。
特許文献６には、ヒドロキシルアミン、アルカノールアミン、アルキレングリコール及び水を含み、ｐＨが７以上１１以下である洗浄用組成物が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
国際公開第２０２０／１１６５２４号
国際公開第２０２０／１１６５３４号
特開平７－１７９８９３号公報
特開２０１５－２０３０４７号公報
特開２０２３－１４０９９号公報
特開２０２１－１０２７７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
酸（フラックス成分）を含むナノ金属ペーストを塗布し、加熱によりナノ金属を溶融及び固化させて、基板上の配線と電子素子の端子間を結合させる際には、金属を溶融させるために基板を２００℃以上の高温で保持する工程が必要となる。この工程を経た基板上に酸を主成分とするフラックス残渣が残存すると、これを洗浄する必要がある。
また、基板表面や金属部材の金属の種類によっては、２００℃以上の高温で保持することによって表面が酸化して変色する場合がある。そのため、２００℃以上の加熱処理により変色した部分、すなわち、酸化した金属（金属酸化物）を除去できる洗浄剤組成物が求められる。
【０００７】
そこで、本開示は、２００℃以上の加熱処理後の変色した金属及びフラックス残渣の両方の除去性に優れるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物及び洗浄方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示は、一態様において、下記式（Ｉ）で表される化合物及び下記式（ＩＩ）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種の有機溶剤（成分Ａ）と、下記式（ＩＩＩ）で表されるイミダゾール化合物（成分Ｂ）と、カルボン酸（成分Ｃ）と、水（成分Ｄ）と、を含むフラックス残渣除去用洗浄剤組成物に関する。
Ｒ
1
－Ｏ－（ＡＯ）
n
－Ｒ
2
（Ｉ）
上記式（Ｉ）において、Ｒ
1
はフェニル基又は炭素数１以上８以下のアルキル基であり、Ｒ
2
は水素原子又は炭素数１以上４以下のアルキル基であり、ＡＯはエチレンオキシド基又はプロピレンオキシド基であり、ｎはＡＯの付加モル数であり、１以上３以下の整数である。
Ｒ
3
－ＣＨ
2
ＯＨ（ＩＩ）
上記式（ＩＩ）において、Ｒ
3
はフェニル基、ベンジル基、シクロヘキシル基、フリル基、テトラヒドロフリル基、フルフリル基又はテトラヒドロフルフリル基である。
TIFF
2025105562000001.tif
41
170
式（ＩＩＩ）において、Ｒ
4
、Ｒ
5
、Ｒ
6
及びＲ
7
はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、フェニル基、アルデヒド基、カルボキシ基、アミノエチル基、アミノプロピル基、アセチル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基を示す。
【０００９】
本開示は、一態様において、フラックス残渣を有する被洗浄物を本開示のフラックス残渣除去用洗浄剤組成物で洗浄する洗浄工程を含み、被洗浄物は２００℃以上に加熱する工程を経た基板である、洗浄方法に関する。
【発明の効果】
【００１０】
本開示によれば、２００℃以上の加熱処理後の変色した金属及びフラックス残渣の両方の除去性に優れるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物及び洗浄方法を提供できる。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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