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公開番号2025098268
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-01
出願番号2025061331,2023207826
出願日2025-04-02,2018-08-10
発明の名称SiC半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人あい特許事務所
主分類H10D 8/60 20250101AFI20250624BHJP()
要約【課題】粗面領域を有する側面を含むSiC半導体層において、導電接合材の濡れ拡がりを抑制できるSiC半導体装置を提供する。
【解決手段】SiC半導体装置1は、SiC半導体基板6(SiC基板)およびSiCエピタキシャル層7を含む積層構造を有し、SiCエピタキシャル層7側の第1主面3、SiC半導体基板6の第2主面4および側面5A～5Dを含むSiC半導体層2(SiCチップ)と、側面5A～5DのうちSiC半導体基板6からなる部分に形成された第1粗面領域20A～20Dと、側面5A～5DのうちSiCエピタキシャル層7からなる部分に形成された第2粗面領域20A～20Dと、側面5A～5DのうちSiC半導体基板6からなる部分に形成された滑面領域21A～21Dと、を含む。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
ＳｉＣ基板およびＳｉＣエピタキシャル層を含む積層構造を有し、前記ＳｉＣエピタキシャル層側の第１主面、前記ＳｉＣ基板側の第２主面および側面を含むＳｉＣチップと、
前記側面のうち前記ＳｉＣ基板からなる部分に形成された第１粗面領域と、
前記側面のうち前記ＳｉＣエピタキシャル層からなる部分に形成された第２粗面領域と、
前記側面のうち前記ＳｉＣ基板からなる部分に形成された滑面領域と、を含む、ＳｉＣ半導体装置。
続きを表示（約 650 文字）【請求項２】
前記第１主面は、ＳｉＣ単結晶のシリコン面によって形成されている、請求項１に記載のＳｉＣ半導体装置。
【請求項３】
前記第１主面は、ＳｉＣ単結晶のａ軸方向に傾斜したオフ角を有している、請求項１または２に記載のＳｉＣ半導体装置。
【請求項４】
前記ＳｉＣエピタキシャル層は、前記ＳｉＣ基板の不純物濃度とは異なる不純物濃度を有している、請求項１～３のいずれか一項に記載のＳｉＣ半導体装置。
【請求項５】
前記ＳｉＣエピタキシャル層は、前記ＳｉＣ基板の厚さ未満の厚さを有している、請求項１～４のいずれか一項に記載のＳｉＣ半導体装置。
【請求項６】
前記第１主面を被覆する絶縁層をさらに含む、請求項１～５のいずれか一項に記載のＳｉＣ半導体装置。
【請求項７】
前記第１主面の上に配置された第１電極をさらに含む、請求項１～６のいずれか一項に記載のＳｉＣ半導体装置。
【請求項８】
前記第１電極は、前記側面から間隔を空けて前記第１主面の上に配置されている、請求項７に記載のＳｉＣ半導体装置。
【請求項９】
前記第１主面を被覆する樹脂層をさらに含む、請求項１～８のいずれか一項に記載のＳｉＣ半導体装置。
【請求項１０】
前記樹脂層は、前記側面から間隔を空けて前記第１主面の上に配置されている、請求項９に記載のＳｉＣ半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳｉＣ半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、ステルスダイシング法と称されるＳｉＣ半導体ウエハの加工方法が注目されている。ステルスダイシング法では、ＳｉＣ半導体ウエハにレーザ光が選択的に照射された後、レーザ光が照射された部分に沿ってＳｉＣ半導体ウエハが切断される。この方法によれば、ダイシングブレード等の切断部材を用いずに、比較的高い硬度を有するＳｉＣ半導体ウエハを切断できるので、製造時間を短縮できる。
【０００３】
特許文献１は、ステルスダイシング法を利用したＳｉＣ半導体装置の製造方法を開示している。特許文献１の製造方法では、ＳｉＣ半導体ウエハから切り出されたＳｉＣ半導体層の各側面の全域に、レーザ照射によって形成された複数列のレーザ照射痕からなる粗面領域が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１２－１４６８７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＳｉＣ半導体装置は、半田等の導電接合材を介して接続対象物に実装される。リードフレーム、回路基板、電子部品等が、接続対象物として例示される。側面に粗面領域を有するＳｉＣ半導体層では、粗面領域で生じる毛細管現象によって導電接合材がＳｉＣ半導体層の側面に濡れ拡がる。
【０００６】
ＳｉＣ半導体層の側面の全域に粗面領域が形成された構造では、ＳｉＣ半導体層の大部分が導電接合材によって被覆される虞がある。この場合、ＳｉＣ半導体層において、ならびに／または、ＳｉＣ半導体層および接続対象物の間において短絡が生じる虞がある。
【０００７】
一実施形態は、粗面領域を有する側面を含むＳｉＣ半導体層において、導電接合材の濡れ拡がりを抑制できるＳｉＣ半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一実施形態は、ＳｉＣ単結晶を含み、実装面、前記実装面の反対側の非実装面、ならびに、前記実装面および前記非実装面を接続し、粗面領域および前記粗面領域とは異なる領域に形成された滑面領域を含む側面を有するＳｉＣ半導体層を含む、ＳｉＣ半導体装置を提供する。
【０００９】
このＳｉＣ半導体装置によれば、粗面領域で生じる毛細管現象を滑面領域によって抑制できる。よって、ＳｉＣ半導体層の側面において導電接合材の濡れ拡がりを抑制できる。
【００１０】
一実施形態は、ＳｉＣ半導体基板およびＳｉＣエピタキシャル層を含む積層構造を有し、前記ＳｉＣエピタキシャル層からなる素子形成面を有するＳｉＣ半導体層と、前記ＳｉＣ半導体層の側面において前記ＳｉＣ半導体基板からなる部分に形成された第１粗面領域と、前記ＳｉＣ半導体層の側面において前記ＳｉＣ半導体基板からなる部分に形成された滑面領域と、を含む、ＳｉＣ半導体装置を提供する。前記粗面領域が、前記側面のうち前記ＳｉＣエピタキシャル層からなる部分に形成された第２粗面領域をさらに含んでいてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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