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公開番号2025093988
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-24
出願番号2025034534,2024068664
出願日2025-03-05,2024-04-19
発明の名称熱伝達流体用組成物、熱伝達流体、熱伝達用装置、及び熱伝達方法
出願人ダイキン工業株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類C09K 5/04 20060101AFI20250617BHJP(染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用)
要約【課題】比較的高い沸点を有する熱伝達流体の提供。
【解決手段】本開示は、特定の三種類の構造、(I)、(II)、及び(III)を有するヘキサフルオロプロペン三量体を含み、そのうちの構造(I)を有する化合物は、前記三種類の構造のヘキサフルオロプロペン三量体の合計量に対して、10質量%以上85質量%未満含まれる、熱伝達流体用組成物を提供する。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
下記式（Ｉ）～（ＩＩＩ）：
TIFF
2025093988000005.tif
128
169
で表されるヘキサフルオロプロペン三量体を含み、
前記式（Ｉ）で表される化合物は、前記式（Ｉ）～（ＩＩＩ）で表される化合物の合計量に対して、１０質量％以上８５質量％未満含まれる、熱伝達流体用組成物。
続きを表示（約 620 文字）【請求項２】
前記式（Ｉ）で表される化合物は、前記式（Ｉ）～（ＩＩＩ）で表される化合物の合計量に対して、３０質量％以上８５質量％未満含まれる、請求項１に記載の熱伝達流体用組成物。
【請求項３】
前記式（Ｉ）で表される化合物は、前記式（Ｉ）～（ＩＩＩ）で表される化合物の合計量に対して、５０質量％以上６０質量％未満含まれる、請求項１に記載の熱伝達流体用組成物。
【請求項４】
半導体製造工程において使用される、請求項１に記載の熱伝達流体用組成物。
【請求項５】
請求項１に記載の熱伝達流体用組成物を含む、熱伝達流体。
【請求項６】
さらに安定剤を含む、請求項５に熱伝達流体。
【請求項７】
半導体製造工程において使用される、請求項５に記載の熱伝達流体。
【請求項８】
請求項１に記載の熱伝達流体用組成物、又は請求項５に記載の熱伝達流体の熱伝達のための使用。
【請求項９】
デバイスと、
請求項１に記載の熱伝達流体用組成物、又は請求項５に記載の熱伝達流体を含み、前記デバイスへ又は前記デバイスから熱を伝達するための機構と
を備える、熱伝達用装置。
【請求項１０】
前記デバイスが、半導体を製造するために使用されるウエハである、請求項９に記載の熱伝達用装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、熱伝達流体用組成物、熱伝達流体、熱伝達用装置、及び熱伝達方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
熱伝達流体として、ヘキサフルオロプロペン（ＨＦＰ）の三量体用いることが知られている（特許文献１）。
【０００３】
ＨＦＰの三量体は地球温暖化係数（ＧＷＰ：Global Warming Potential）が小さく、毒性が低いことから、クロロフルオロカーボン（ＣＦＣ）及びハイドロクロロフルオロカーボン（ＨＣＦＣ）の代替品として注目されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特表２０２０－５１４４２０号公報
中国特許出願公開第１１３５４８９４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体製造工程において、熱の除去のために熱伝達流体が用いることが考えられるが、沸点が低いと装置から気化した熱伝達流体が漏出する可能性がある。
【０００６】
本発明の目的は、比較的高い沸点を有する熱伝達流体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示は、下記の態様を含む。
［１］下記式（Ｉ）～（ＩＩＩ）：
JPEG
2025093988000001.jpg
128
169
で表されるヘキサフルオロプロペン三量体を含み、
前記式（Ｉ）で表される化合物は、前記式（Ｉ）～（ＩＩＩ）で表される化合物の合計量に対して、１０質量％以上８５質量％未満含まれる、熱伝達流体用組成物。
［２］前記式（Ｉ）で表される化合物は、前記式（Ｉ）～（ＩＩＩ）で表される化合物の合計量に対して、３０質量％以上８５質量％未満含まれる、上記［１］に記載の熱伝達流体用組成物。
［３］半導体製造工程において使用される、上記［１］又は［２］に記載の熱伝達流体用組成物。
［４］上記［１］～［３］のいずれか１項に記載の熱伝達流体用組成物を含む、熱伝達流体。
［５］さらに安定剤を含む、上記［４］に記載の熱伝達流体。
［６］半導体製造工程において使用される、上記［４］又は［５］に記載の熱伝達流体。
［７］上記［１］～［３］のいずれか１項に記載の熱伝達流体用組成物、又は上記［４］又は［５］に記載の熱伝達流体の熱伝達のための使用。
［８］デバイスと、
上記［１］～［３］のいずれか１項に記載の熱伝達流体用組成物、又は上記［４］又は［５］に記載の熱伝達流体を含み、前記デバイスへ又は前記デバイスから熱を伝達するための機構と
を備える、熱伝達用装置。
［９］前記デバイスが、半導体を製造するために使用されるウエハである、上記［８］に記載の熱伝達用装置。
［１０］上記［８］又は［９］に記載の熱伝達用装置を備える、半導体製造装置。
［１１］デバイスを準備する工程と、
上記［１］～［３］のいずれか１項に記載の熱伝達流体用組成物、又は上記［４］又は［５］に記載の熱伝達流体を用いて、前記デバイスへ又は前記デバイスから熱を伝達する工程と
を含む、熱伝達方法。
［１２］前記デバイスが、半導体を製造するために使用されるウエハである、上記［１１］に記載の熱伝達方法。
【発明の効果】
【０００８】
本開示によれば、比較的高い沸点を有する熱伝達流体が提供される。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本明細書で言及する場合、数値範囲「Ａ～Ｂ」は、下限および上限の数値そのものも含むことを意図している。即ち、数値範囲「Ａ～Ｂ」は、Ａ以上Ｂ以下を意味する。
【００１０】
以下、本開示の熱伝達流体用組成物について説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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