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公開番号2025082256
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-28
出願番号2024153135
出願日2024-09-05
発明の名称導電性高分子組成物及びその用途
出願人東ソー株式会社
代理人弁理士法人 HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
主分類C08L 65/00 20060101AFI20250521BHJP(有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物)
要約【課題】微小構造金属が沈降し難く、更に表面抵抗率の低い導電性高分子膜を製造可能な導電性高分子組成物等を提供する。
【解決手段】π共役系導電性高分子(A)を0.01～10質量%含み、分散性金属(B)を0.01～1.0質量%含み、更にセルロースナノファイバ(C)を前記分散性金属(B)1質量部に対して、0.01～4質量部含むことを特徴とする、導電性高分子組成物を用いる。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
π共役系導電性高分子（Ａ）を０．０１～１０質量％含み、分散性金属（Ｂ）を０．０１～１．０質量％含み、更にセルロースナノファイバ（Ｃ）を前記分散性金属（Ｂ）１質量部に対して、０．０１～４質量部含むことを特徴とする、導電性高分子組成物。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記π共役系導電性高分子（Ａ）が、下記一般式（１）で表される構造単位を２つ以上含むポリチオフェンである、請求項１に記載の導電性高分子組成物。
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24
141
［前記一般式（１）において、Ｒは、スルホン酸基、及びホスホン酸基からなる群より選ばれる少なくとも一つの置換基を有する総炭素数が１～１０の有機基を表す。］
【請求項３】
前記π共役系導電性高分子（Ａ）が、下記一般式（３）で表される構造単位及び下記一般式（４）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造単位を２つ以上含むポリチオフェンである、請求項１に記載の導電性高分子組成物。
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［前記一般式（３）及び（４）において、Ｒ
１
は、水素原子、メチル基、エチル基、炭素数３～６の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又はフッ素原子を表し、ｍは独立して１～１０の整数を表し、ｎは独立して０又は１を表す。］
【請求項４】
前記分散性金属（Ｂ）が、銀ナノ粒子、銀ナノプレート、銀ナノワイヤー、銅ナノ粒子、銅ナノプレート、及び銅ナノワイヤーからなる群より選択される少なくとも１種である、請求項１に記載の導電性高分子組成物。
【請求項５】
前記分散性金属（Ｂ）が、銀ナノワイヤーである、請求項１に記載の導電性高分子組成物。
【請求項６】
前記π共役系導電性高分子（Ａ）の含有量が、前記導電性高分子組成物全体を１００質量％として、０．０５～５質量％である、請求項１に記載の導電性高分子組成物。
【請求項７】
前記分散性金属（Ｂ）の含有量が、前記π共役系導電性高分子（Ａ）１質量部に対して、０．０１～１００質量部である、請求項１に記載の導電性高分子組成物。
【請求項８】
アミン化合物（Ｄ）を更に含む、請求項１に記載の導電性高分子組成物。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の導電性高分子組成物を、支持体に塗布し、次いで、乾燥させることを特徴とする、導電性高分子膜の製造方法。
【請求項１０】
π共役系導電性高分子（Ａ）と、分散性金属（Ｂ）と、セルロースナノファイバ（Ｃ）とを含む、導電性高分子膜。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性高分子組成物及びその用途に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
ポリアセチレン、ポリチオフェン、ポリアニリン、又はポリピロール等に代表されるπ共役系高分子に、電子受容性化合物をドーパントとしてドープした導電性高分子材料が開発されている。前記導電性高分子材料については、例えば、帯電防止剤、コンデンサの固体電解質、太陽電池材料、導電性塗料、電波遮蔽材、エレクトロクロミック素子、電極材料、熱電変換材料、透明導電膜、化学センサー、及びアクチュエータ等への応用が検討されている。これらの中でも、化学的安定性の面からポリチオフェン系導電性高分子材料が実用上有用である（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００３】
ポリチオフェン系導電性高分子材料としては、例えば、ドーパントとなるポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）の水溶液中で３，４－エチレンジオキシチオフェン（ＥＤＯＴ）を重合させることで得られるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水分散体溶液が挙げられる。また、水溶性の付与とドーピング作用とを兼ね備えた置換基（スルホ基、スルホネート基等）を、直接又はスペーサを介してポリマー主鎖中に有する、いわゆる自己ドープ型導電性高分子についても例示できる。これらのポリチオフェン系導電性高分子材料の用途として、例えば、微小構造金属を含む態様による透明電極への展開が検討されている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１１－１５２６６７号公報
特開２００８－２３５６４５号公報
特開２００９－２０５９２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来公知の、ポリチオフェン系導電性高分子材料と微小構造金属との混合物からなる導電性高分子組成物は、微小構造金属が時間の経過とともに徐々に沈降してしまう点において、改善の余地があった。
【０００６】
本発明の一態様は、微小構造金属が沈降し難く、更に表面抵抗率の低い導電性高分子膜を製造可能な導電性高分子組成物等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下に示す導電性高分子組成物を見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
すなわち、本発明の一態様は以下に示す通りの導電性高分子組成物に関するものである。
【０００９】
［１］
π共役系導電性高分子（Ａ）を０．０１～１０質量％含み、分散性金属（Ｂ）を０．０１～１．０質量％含み、更にセルロースナノファイバ（Ｃ）を前記分散性金属（Ｂ）１質量部に対して、０．０１～４質量部含むことを特徴とする、導電性高分子組成物。
【００１０】
［２］
前記π共役系導電性高分子（Ａ）が、下記一般式（１）で表される構造単位を２つ以上含むポリチオフェンである、［１］に記載の導電性高分子組成物。
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141
［前記一般式（１）において、Ｒは、スルホン酸基、及びホスホン酸基からなる群より選ばれる少なくとも一つの置換基を有する総炭素数が１～１０の有機基を表す。］
（【００１１】以降は省略されています）

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