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公開番号2025072420
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-09
出願番号2025011828,2021552981
出願日2025-01-28,2020-03-04
発明の名称プラズマ処理チャンバ用のチャック
出願人ラムリサーチコーポレーション,LAM RESEARCH CORPORATION
代理人弁理士法人明成国際特許事務所
主分類H01L 21/683 20060101AFI20250430BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】-60℃未満の温度に冷却され、200℃を超える温度に加熱される温度範囲で動作し得るプラズマ処理チャンバ用の静電チャックシステムを提供する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバ用の静電チャックシステム100には、Al-SiCを含むベースプレート108が設けられ、セラミックプレート104が、ベースプレートの上に配置され、ボンディング層105が、セラミックプレートをベースプレートに結合する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
プラズマ処理チャンバ用の静電チャックシステムであって、
Ａｌ－ＳｉＣを含むベースプレートと、
前記ベースプレートの上に配置されたセラミックプレートと、
前記セラミックプレートを前記ベースプレートに結合するボンディング層と
を備える、静電チャックシステム。
続きを表示（約 810 文字）【請求項２】
請求項１に記載の静電チャックシステムであって、
前記ベースプレート内にチャネルをさらに備える、静電チャックシステム。
【請求項３】
請求項２に記載の静電チャックシステムであって、
前記チャネルは、温度制御チャネルである、静電チャックシステム。
【請求項４】
請求項１に記載の静電チャックシステムであって、
前記ベースプレートを囲むエッジリングをさらに備える、静電チャックシステム。
【請求項５】
請求項４に記載の静電チャックシステムであって、
前記ベースプレートのＣＴＥと前記エッジリングのＣＴＥとの間の差は、１２．５～１４．５ｐｐｍ／℃である、静電チャックシステム。
【請求項６】
請求項４に記載の静電チャックシステムであって、
前記エッジリングは、石英、セラミック、プラズマ耐食性ガラス、またはケイ素の少なくとも１つを含む、静電チャックシステム。
【請求項７】
請求項１に記載の静電チャックシステムであって、
前記セラミックプレートは、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムの少なくとも１つを含む、静電チャックシステム。
【請求項８】
請求項１に記載の静電チャックシステムであって、
前記ボンディング層は、シリコンを含む、静電チャックシステム。
【請求項９】
請求項８に記載の静電チャックシステムであって、
前記ボンディング層は、熱伝導性フィラー材料をさらに含む、静電チャックシステム。
【請求項１０】
請求項１に記載の静電チャックシステムであって、
前記ベースプレートは、１８重量％～６５重量％のＳｉＣを有するＡｌ－ＳｉＣを含む、静電チャックシステム。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
［関連出願の相互参照］
本出願は、２０１９年３月８日に出願された米国出願第６２／８１５，８７６号の優先権の利益を主張し、上記の出願は、参照によりあらゆる目的で本明細書に組み込まれる。
続きを表示（約 900 文字）【０００２】
本開示は、半導体処理で使用されるプラズマ処理チャンバの構成要素に関する。より具体的には、本開示は、プラズマ処理チャンバで使用される静電チャックに関する。
【背景技術】
【０００３】
プラズマ処理チャンバでは、静電チャックを使用して処理中の基板をサポートする。静電チャックは、異なる温度に曝される可能性がある。
【発明の概要】
【０００４】
前述を達成するために、そして本開示の目的に従って、プラズマ処理チャンバ用の静電チャックシステムが提供される。Ａｌ－ＳｉＣを含むベースプレートが設けられる。セラミックプレートが、ベースプレートの上に配置される。ボンディング層が、セラミックプレートをベースプレートに結合する。
【０００５】
本開示のこれらおよび他の特徴は、本開示の詳細な説明において、および以下の図と併せて、以下により詳細に説明される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
開示された実施形態は、限定ではなく例示として添付の図面の図に示されており、類似の参照番号は、同様の要素を指す。
【０００７】
図１は、静電チャックの一実施形態の部分断面図である。
【０００８】
図２は、別の実施形態の部分断面図である。
【０００９】
図３は、一実施形態で使用され得るエッチングリアクタの概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
ここで実施形態が、添付の図面に示されているような、いくつかのその実施形態を参照して詳細に説明される。以下の説明では、本開示の完全な理解を提供するために、特定の詳細が記載されている。しかし、本開示は、これらの特定の詳細の一部またはすべてがなくても実施され得、本開示は、この技術分野内で一般に利用可能な知識に従って行われ得る修正を包含する。本開示を不必要に不明瞭にしないために、周知のプロセスステップおよび／または構造は、詳細に説明されていない。
（【００１１】以降は省略されています）

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