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公開番号2024137696
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-07
出願番号2024000996
出願日2024-01-09
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01J 37/147 20060101AFI20240927BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】電気的接続が容易な半導体装置を提供する。
【解決手段】第1基板面と、第1基板面の反対側に設けられた第2基板面と、複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過する複数の第1貫通孔と、を有する第1チップと、第1チップの上に設けられ、第2基板面に対向する第3基板面と、第4基板面と、第1貫通孔の上に設けられた複数の第2貫通孔と、を有する第2チップと、第1基板面上に、複数の第1貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第1電極と、複数の第2電極と、第4基板面上に、複数の第2貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第3電極と、複数の第4電極と、を備え、第1、第3電極は荷電粒子ビームを偏向するための対となる電極であり、第2、第4電極は上記以外の追加電極パターンであり、第1、第2電極からなるパターンと、第3、第4電極からなる電極パターンとは、2つのチップの対向基板面に対して対称ではない、半導体装置である。
【選択図】図8
特許請求の範囲【請求項１】
第１基板面と、前記第１基板面の反対側に設けられた第２基板面と、複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過する複数の第１貫通孔と、を有する第１チップと、
前記第１チップの上に設けられ、前記第２基板面に対向する第３基板面と、第４基板面と、前記複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過しそれぞれ前記複数の第１貫通孔の上に設けられた複数の第２貫通孔と、を有する第２チップと、
前記第１基板面上に、前記複数の第１貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第１電極と、
前記第１基板面上に設けられた、複数の第２電極と、
前記第４基板面上に、前記複数の第２貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第３電極と、
前記第４基板面上に設けられた、複数の第４電極と、
を備え、
前記第１電極および前記第３電極は前記荷電粒子ビームを偏向するための対となる電極であり、
前記第２電極および前記第４電極は前記荷電粒子ビームを偏向するための対となる電極以外の追加電極パターンであり、
前記第１基板面上の前記第１電極と前記第２電極からなる電極パターンが、前記第４基板面上の前記第３電極と前記第４電極からなる電極パターンと、前記２つのチップの対向基板面に対して対称ではない、
半導体装置。
続きを表示（約 1,600 文字）【請求項２】
前記第１基板面上に設けられた前記複数の第２電極は前記複数の第１電極と電気的に接続された複数の第１パッドであり、
前記第４基板面上に設けられた前記複数の第４電極は前記複数の第３電極と電気的に接続された複数の第２パッドであり、
前記第１パッドと前記第２パッドは、前記第２チップ上面から見て重ならないように配置されており、
前記第１チップと前記第２チップは支持体に保持され、
前記複数の第１パッドと前記複数の第２パッドは、前記支持体に設けられたパッドと接続されている、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記複数の第１パッド及び前記複数の第２パッドは、前記支持体に設けられたパッドと、複数のワイヤを用いて電気的に接続されている、
請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記支持体は、前記第１基板面に対向する第１面に設けられたパッドを有しており、
前記複数の第１パッドと複数のバンプを介して電気的に接続されている、
請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１チップは、
前記第１チップを貫通する複数のビアと、
前記第１電極と、前記複数のビアを介して電気的に接続され、前記第２基板面に設けられた複数の第３のパッドと、
を有し、
前記複数の第２のパッドと前記複数の第３のパッドは、前記支持体に設けられたパッド
と、複数のワイヤを用いて電気的に接続されている、
請求項２記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１チップは矩形形状を有し、
前記第２チップは矩形形状を有し、
前記複数の第１パッドは、前記第１基板面に平行な第１方向に沿った端部に並んで設けられ、
前記複数の第２パッドは、前記第４基板面に平行で前記第１方向に交差する第２方向に沿った端部に並んで設けられた、
請求項２記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１チップは矩形形状を有し、
前記第２チップは矩形形状を有し、
前記複数の第１パッドは、前記第１基板面に平行な第１方向に沿った端部に並んで設けられ、
前記複数の第２パッドは、前記第４基板面に平行で前記第１方向に交差する第２方向に沿った端部に並んで設けられた、
請求項３記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１チップは矩形形状を有し、
前記第２チップは矩形形状を有し、
前記複数の第１パッドは、前記第１基板面に平行な第１方向に沿った端部に並んで設けられ、
前記複数の第２パッドは、前記第４基板面に平行で前記第１方向に交差する第２方向に沿った端部に並んで設けられた、
請求項４記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１チップは矩形形状を有し、
前記第２チップは矩形形状を有し、
前記複数の第３パッドは、前記第２基板面に平行な第１方向に沿った端部に並んで設けられ、
前記複数の第２パッドは、前記第４基板面に平行で前記第１方向に交差する第２方向に沿った端部に並んで設けられた、
請求項５記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記複数の第２電極は、前記複数の第１電極の偏向電極と前記複数の第１貫通孔の少なくとも一部を囲むように配置され、
前記第３電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記複数の第４電極は、前記複数の第３電極の偏向電極と前記複数の第２貫通孔の少なくとも一部を囲むように配置されている、
請求項１記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施の形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
荷電粒子ビーム装置、特に電子ビームを用いた装置は、リソグラフィーにおけるマスクやウェハの描画装置として使用されている。
【０００３】
また、荷電粒子ビーム装置は、走査型電子顕微鏡、Ｈｅ（ヘリウム）イオン顕微鏡等の、物質の表面形状を観察する顕微鏡としても使用されている。さらに、荷電粒子ビーム装置のかかる顕微鏡機能を利用して、半導体ウェハ製品、半導体に使用するマスク、液晶ディスプレイ等に発生した欠陥を観察する欠陥検査装置としても使用されている。
【０００４】
また、最近、速度の向上のために、複数のビームを使用することが可能な、マルチビーム装置も使用されるようになっている。かかるマルチビーム装置では、例えば、電子銃から放出された電子ビームを、成形アパーチャを通過させることによりマルチビームを形成し、ブランキング制御され、遮蔽されなかった各ビームが光学系で縮小され、マスク像が縮小されて、偏向器で偏向され試料上の所望の位置へと照射される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０００－２５２１９８号公報
特許第５６７５２４９号公報
【非特許文献】
【０００６】
Ｈ．Ｙａｓｕｄａｅｔ．ａｌ．：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．３２（１９９３）６０１２．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、電気的接続が容易な半導体装置を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態の半導体装置は、第１基板面と、第１基板面の反対側に設けられた第２基板面と、複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過する複数の第１貫通孔と、を有する第１チップと、第１チップの上に設けられ、第２基板面に対向する第３基板面と、第４基板面と、複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過しそれぞれ複数の第１貫通孔の上に設けられた複数の第２貫通孔と、を有する第２チップと、第１基板面上に、複数の第１貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第１電極と、第１基板面上に設けられた、複数の第２電極と、第４基板面上に、複数の第２貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第３電極と、第４基板面上に設けられた、複数の第４電極と、を備え、第１電極および第３電極は荷電粒子ビームを偏向するための対となる電極であり、第２電極および第４電極は荷電粒子ビームを偏向するための対となる電極以外の追加電極パターンであり、第１基板面上の第１電極と第２電極からなる電極パターンが、第４基板面上の第３電極と第４電極からなる電極パターンと、２つのチップの対向基板面に対して対称ではない。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
第１実施形態の電子ビーム描画装置の模式断面図である。
第１実施形態のブランキングアパーチャアレイの原理を示す模式図である。
第１実施形態の第１態様の半導体装置の模式図である。
第１実施形態の第２態様の半導体装置の模式図である。
第１実施形態の第３態様の半導体装置の模式図である。
第１実施形態の比較形態となる半導体装置の模式図である。
第１実施形態の比較形態となる半導体装置の模式平面図である。
第１実施形態の半導体装置の模式平面図である。
第１実施形態の半導体装置の模式断面図である。
第１実施形態の半導体装置の要部の模式平面図である。
第２実施形態の半導体装置の模式断面図である。
第３実施形態の半導体装置の模式断面図である。
第４実施形態の比較形態となる半導体装置の要部の模式図である。
第４実施形態の比較形態となる半導体装置の要部の模式図である。
第４実施形態の半導体装置の模式図である。
第４実施形態の半導体装置の模式図である。
第４実施形態の半導体装置の模式図である。
第４実施形態の半導体装置の模式図である。
第４実施形態の半導体装置の模式図である。
第４実施形態の半導体装置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を用いて実施の形態を説明する。尚、図面中、同一又は類似の箇所には、同一又は類似の符号を付している。
（【００１１】以降は省略されています）

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