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公開番号2024125836
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-19
出願番号2023033929
出願日2023-03-06
発明の名称半導体装置およびその製造方法
出願人株式会社デンソー,トヨタ自動車株式会社,株式会社ミライズテクノロジーズ
代理人弁理士法人ゆうあい特許事務所
主分類H01L 25/07 20060101AFI20240911BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】不具合の発生を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第1引き出し配線18は、第1接続対象15に接続された第1接続部18aと、封止樹脂27から露出した第1頂部18cと、一面11aに対して傾斜し第1接続部18aおよび第1頂部18cを連結する第1立設部18bと、を備え、第2引き出し配線19は、第2接続対象16に接続された第2接続部19aと、封止樹脂27から露出した第2頂部19cと、一面11aに対して傾斜し第2接続部19aおよび第2頂部19cを連結する第2立設部19bと、を備え、第1頂部18cと第2頂部19cとは、互いに対向して配置されている。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
半導体装置であって、
基板（１１）の一面（１１ａ）側に配置された第１接続対象（１２ａ、１５）および第２接続対象（１２ｂ、１６）と、
前記第１接続対象に接続された第１引き出し配線（１８、２５、３１、３２）および前記第２接続対象に接続された第２引き出し配線（１９、２６、３０）と、
前記第１接続対象、前記第２接続対象、前記第１引き出し配線、前記第２引き出し配線を封止する封止樹脂（２７）と、を備え、
前記第１引き出し配線は、前記第１接続対象に接続された第１接続部（１８ａ、２５ａ、３１ａ、３２ａ）と、前記封止樹脂から露出した第１頂部（１８ｃ、２５ｃ、３１ｃ、３２ｃ）と、前記一面に対して傾斜し前記第１接続部および前記第１頂部を連結する第１立設部（１８ｂ、２５ｂ、３１ｂ、３２ｂ）と、を備え、
前記第２引き出し配線は、前記第２接続対象に接続された第２接続部（１９ａ、２６ａ、３０ａ）と、前記封止樹脂から露出した第２頂部（１９ｃ、２６ｃ、３０ｃ）と、前記一面に対して傾斜し前記第２接続部および前記第２頂部を連結する第２立設部（１９ｂ、２６ｂ、３０ｂ）と、を備え、
前記第１頂部と前記第２頂部とは、互いに対向して配置されている半導体装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記第１頂部と前記第２頂部とは、前記封止樹脂に形成された凹部（２８）を挟んで対向している請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１頂部の端面と前記第２頂部の端面とは、前記凹部において前記封止樹脂から露出している請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記凹部を埋め込む埋め込み樹脂（３４）を備える請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１頂部は、前記第１立設部に接続された部分から前記第２頂部に対向する端部に向かって厚さが小さくなる先細り形状とされており、
前記第２頂部は、前記第２立設部に接続された部分から前記第１頂部に対向する端部に向かって厚さが小さくなる先細り形状とされている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体装置の製造方法であって、
基板（１１）の一面（１１ａ）側に複数の接続対象（１２ａ、１２ｂ、１５、１６）を配置することと、
複数の前記接続対象を架橋する形状の架橋配線（２９）を形成することと、
前記接続対象および前記架橋配線を封止樹脂（２７）で封止することと、
前記封止樹脂の表面に前記架橋配線の一部を露出させることと、
該露出した前記架橋配線を分断することと、を行う半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記分断することでは、該露出した前記架橋配線の一部を除去して複数の前記接続対象を絶縁させるように前記封止樹脂の表面に凹部（２８）を形成する請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記架橋配線のうち、前記露出させることで前記封止樹脂から露出する部分に孔部（２９ｔ）を形成することを行い、
前記分断することでは、前記架橋配線のうち前記孔部が形成された部分を除去する請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記架橋配線は、複数の前記接続対象に接続される複数の接続部（２９ａ、２９ｄ、２９ｆ、２９ｈ、２９ｊ、２９ｌ、２９ｎ）と、前記接続部に対して前記接続対象とは反対側に配置される頂部（２９ｃ）と、前記一面に対して傾斜し前記接続部および前記頂部を連結する複数の立設部（２９ｂ、２９ｅ、２９ｇ、２９ｉ、２９ｋ、２９ｍ、２９ｏ）と、を備え、
前記頂部は、前記立設部に接続された部分から中央部に向かって厚さが小さくなっており、
前記封止することでは、前記接続部と、前記立設部と、前記頂部の少なくとも一部とが封止されるように前記封止樹脂を配置し、
前記分断することでは、前記頂部のうち該厚さが小さくされた部分を除去して前記頂部を複数に分断する請求項６に記載の半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関するものである。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、ＩＧＢＴ（Insulated-Gate Bipolar Transistor）素子等の半導体素子を樹脂封止した構成の半導体装置では、半導体素子の電極を、半導体素子に接続されたボンディングワイヤと、封止樹脂の側面から突出したリードとを介してゲート駆動回路に接続している。このような接続方法では、配線が横方向に広がるため、半導体装置の横方向の寸法が大きくなる。また、経路長が長くなるため、寄生インダクタンスが大きくなる。
【０００３】
例えば特許文献１では、半導体素子の上面に対して垂直に延設された配線を形成し、この配線により半導体素子と駆動回路とを接続している。これによれば、ワイヤボンドレス化による半導体装置の小型化や、経路短縮による寄生インダクタンスの低減を図ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１０－１２９５５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、垂直に引き出された配線は単独では保持が困難であるため、樹脂封止時に配線が倒れて工程不具合が発生するおそれがある。
【０００６】
本発明は上記点に鑑みて、不具合の発生を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、半導体装置であって、基板（１１）の一面（１１ａ）側に配置された第１接続対象（１２ａ、１５）および第２接続対象（１２ｂ、１６）と、第１接続対象に接続された第１引き出し配線（１８、２５、３１、３２）および第２接続対象に接続された第２引き出し配線（１９、２６、３０）と、第１接続対象、第２接続対象、第１引き出し配線、第２引き出し配線を封止する封止樹脂（２７）と、を備え、第１引き出し配線は、第１接続対象に接続された第１接続部（１８ａ、２５ａ、３１ａ、３２ａ）と、封止樹脂から露出した第１頂部（１８ｃ、２５ｃ、３１ｃ、３２ｃ）と、一面に対して傾斜し第１接続部および第１頂部を連結する第１立設部（１８ｂ、２５ｂ、３１ｂ、３２ｂ）と、を備え、第２引き出し配線は、第２接続対象に接続された第２接続部（１９ａ、２６ａ、３０ａ）と、封止樹脂から露出した第２頂部（１９ｃ、２６ｃ、３０ｃ）と、一面に対して傾斜し第２接続部および第２頂部を連結する第２立設部（１９ｂ、２６ｂ、３０ｂ）と、を備え、第１頂部と第２頂部とは、互いに対向して配置されている。
【０００８】
第１頂部と第２頂部とが互いに対向して配置された第１引き出し配線および第２引き出し配線は、半導体装置の製造時に、第１接続対象と第２接続対象とを架橋する形状の配線を形成し、樹脂封止後にこの配線の一部を除去することによって形成することができる。配線を複数の接続対象を架橋する形状とすることにより、配線が複数の点で支持されるため、樹脂封止による配線の倒れを抑制し、不具合の発生を抑制することができる。
【０００９】
また、請求項６に記載の発明では、半導体装置の製造方法であって、基板（１１）の一面（１１ａ）側に複数の接続対象（１２ａ、１２ｂ、１５、１６）を配置することと、複数の接続対象を架橋する形状の架橋配線（２９）を形成することと、接続対象および架橋配線を封止樹脂（２７）で封止することと、封止樹脂の表面に架橋配線の一部を露出させることと、該露出した架橋配線を分断することと、を行う。
【００１０】
これによれば、配線が複数の接続対象を架橋する形状とされ、複数の点で支持されるため、樹脂封止による配線の倒れを抑制し、不具合の発生を抑制することができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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