特許ウォッチ

公開番号2024106237
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-08-07
出願番号2023010463
出願日2023-01-26
発明の名称成膜装置
出願人日新電機株式会社
代理人弁理士法人 HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
主分類C23C 16/509 20060101AFI20240731BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】アンテナの材質に関わらず、被処理物の温度を所望の温度にした状態で被処理物に対して成膜を行う。
【解決手段】成膜装置(1)は、被処理物(W)を内部に収容する真空容器(2)と、真空容器(2)の内部にプラズマを発生させるためのアンテナ(3)と、被処理物(W)を加熱するヒータ(81)と、アンテナ(3)とヒータ(81)との間に配置され、ヒータ(81)からアンテナ(3)への輻射を抑制する輻射抑制部材(5)と、を備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
被処理物に対して成膜を行う成膜装置であって、
前記被処理物を内部に収容する真空容器と、
前記真空容器の内部にプラズマを発生させるためのアンテナと、
前記被処理物を加熱する加熱部と、
前記アンテナと前記加熱部との間に配置され、前記加熱部から前記アンテナへの輻射を抑制する輻射抑制部材と、を備えることを特徴とする成膜装置。
続きを表示（約 570 文字）【請求項２】
前記被処理物を支持するホルダと、
前記ホルダにバイアス電圧を印加するバイアス電源と、をさらに備え、
前記輻射抑制部材の電位が前記被処理物の電位と同一になるように、前記輻射抑制部材は、前記ホルダと電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記輻射抑制部材には開口部が形成されており、
前記被処理物の一部が前記開口部内に配置されることにより、前記被処理物と前記輻射抑制部材との間に隙間が形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記アンテナは、
少なくとも２つの導体要素と、互いに隣り合う前記導体要素の間を絶縁する絶縁要素と、を有し、
前記輻射抑制部材は、
前記絶縁要素と前記加熱部との間に配置され、前記加熱部から前記絶縁要素への輻射を抑制するとともに、前記加熱部に対して、前記アンテナのうち前記絶縁要素を含む一部を遮蔽するものであることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記輻射抑制部材の熱を前記輻射抑制部材の外部に導くことにより、前記輻射抑制部材を冷却する冷却機構をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、成膜装置に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、真空容器内に配置された直線状のアンテナと、真空容器内に誘導結合型のプラズマを生成するための高周波をアンテナに印加する高周波電源と、を備え、プラズマを用いて真空容器内の基板に処理を施すプラズマ処理装置が開示されている。アンテナは、少なくとも２つの導体要素と、互いに隣り合う導体要素と電気的に直列接続された容量素子と、を備える。真空容器内には、基板を保持する基板ホルダが設けられており、基板ホルダ内には、基板を加熱するヒータが設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許第６３４１３２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示のプラズマ処理装置において、プラズマを用いて処理を施す対象を、３００℃以上に加熱する必要があるものに変更した場合、アンテナの温度が上昇し、アンテナが許容する温度を上回る可能性がある。よって、当該プラズマ処理装置では、アンテナを用いた処理を安定して継続できなくなるという問題がある。本開示の一態様は、アンテナの材質に関わらず、被処理物の温度を所望の温度にした状態で被処理物に対して成膜を行うことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係る成膜装置は、被処理物に対して成膜を行う成膜装置であって、前記被処理物を内部に収容する真空容器と、前記真空容器の内部にプラズマを発生させるためのアンテナと、前記被処理物を加熱する加熱部と、前記アンテナと前記加熱部との間に配置され、前記加熱部から前記アンテナへの輻射を抑制する輻射抑制部材と、を備える。
【発明の効果】
【０００６】
本開示の一態様によれば、アンテナの材質に関わらず、被処理物の温度を所望の温度にした状態で被処理物に対して成膜を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本開示の実施形態１に係る成膜装置の構成を示す断面図である。
図１に示す成膜装置において、アンテナ、輻射抑制部材及び被処理物の位置関係を示す図である。
本開示の実施形態２に係る成膜装置の構成を示す断面図である。
図３に示す成膜装置において、アンテナ、輻射抑制部材、冷却機構及び被処理物の位置関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
〔実施形態１〕
図１は、本開示の実施形態１に係る成膜装置１の構成を示す断面図である。図１において、アンテナ３の延伸方向をＸ軸方向、ホルダ８からアンテナ３に向かう方向をＺ軸方向、Ｘ軸方向及びＺ軸方向の両方の方向に直交する方向をＹ軸方向とする。Ｘ軸方向及びＺ軸方向は互いに直交する方向である。ここで説明したＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の定義については、他の図においても適用されるものとする。
【０００９】
＜成膜装置１の構成＞
成膜装置１は、誘導結合型のプラズマＰを用いたプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、被処理物Ｗに対して成膜を行うプラズマＣＶＤ装置である。被処理物Ｗは、例えば複雑な形状をしているものであってもよく、螺旋形状に形成されるドリルまたはエンドミル等の工具である。また、被処理物Ｗは、例えば金属製材料を用いて構成されたものである。
【００１０】
図１に示すように、成膜装置１は、真空容器２と、アンテナ３と、高周波電源４と、整合器４１と、輻射抑制部材５と、真空排気装置６と、ガス供給機構７と、を備える。また、成膜装置１は、ホルダ８と、ヒータ８１と、ヒータ電源９と、絶縁カバー１０と、絶縁部材１１と、固定治具１２と、配線１３と、バイアス電源１４と、を備える。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許