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公開番号2024096068
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-07-11
出願番号2023221655
出願日2023-12-27
発明の名称発光素子、それを含む電子装置、及びそれを含む電子機器
出願人三星ディスプレイ株式會社,Samsung Display Co.,Ltd.
代理人弁理士法人PORT
主分類H10K 50/12 20230101AFI20240704BHJP()
要約【課題】発光素子、それを含む電子装置、及びそれを含む電子機器を提供する。
【解決手段】第1電極と、第1電極に対向する第2電極と、第1電極と第2電極との間に配置された中間層と、を含み、中間層は正孔輸送領域及び発光層を含み、正孔輸送領域は第1電極と発光層との間に配置され、正孔輸送領域は第1層を含み、第1層は発光層に直接に接触し、発光層は第1ホスト及び第1エミッタを含み、第1エミッタは第1発光スペクトルを有する第1光を放出し、第1光の発光ピーク波長が610nm～720nmであり、第1層は第1物質を含み、第1物質のHOMOエネルギーレベル絶対値は、第1ホストのHOMOエネルギーレベル絶対値より大きく、第1エミッタのHOMOエネルギーレベル絶対値は、第1ホストのHOMOエネルギーレベル絶対値より大きい、発光素子。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１電極と、
前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置された中間層と、を含み、
前記中間層は、正孔輸送領域及び発光層を含み、
前記正孔輸送領域は、前記第１電極と前記発光層との間に配置され、
前記正孔輸送領域は、第１層を含み、
前記第１層は、前記発光層に直接接触し、
前記発光層は、第１ホスト及び第１エミッタを含み、
前記第１エミッタは、第１発光スペクトルを有する第１光を放出し、
前記第１光の発光ピーク波長が６１０ｎｍ～７２０ｎｍであり、
前記第１層は、第１物質を含み、
前記第１物質のＨＯＭＯエネルギーレベル絶対値は、前記第１ホストのＨＯＭＯエネルギーレベル絶対値より大きく、
前記第１エミッタのＨＯＭＯエネルギーレベル絶対値は、前記第１ホストのＨＯＭＯエネルギーレベル絶対値より大きく、
前記第１物質、第１ホスト及び第１エミッタそれぞれのＨＯＭＯエネルギーレベルは、サイクリックボルタンメトリーによって測定された負数値である、発光素子。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記第１物質のＨＯＭＯエネルギーレベルと、前記第１ホストのＨＯＭＯエネルギーレベルとの差の絶対値は、０．０１ｅＶ～０．７ｅＶである、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１物質のＨＯＭＯエネルギーレベルが－５．６０ｅＶ～－５．１５ｅＶである、請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第１物質のＬＵＭＯエネルギーレベル絶対値は、前記第１ホストのＬＵＭＯエネルギーレベル絶対値より小さく、
前記第１物質及び第１ホストそれぞれのＬＵＭＯエネルギーレベルは、サイクリックボルタンメトリーによって測定された負数値である、請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１物質のＬＵＭＯエネルギーレベルが－２．４０ｅＶ～－１．００ｅＶである、請求項１に記載の発光素子。
【請求項６】
前記第１ホストのＨＯＭＯエネルギーレベルが－５．０７ｅＶ～－４．６０ｅＶである、請求項１に記載の発光素子。
【請求項７】
前記正孔輸送領域は、第２層及び第３層をさらに含み、
前記第２層は、前記第１電極と前記第１層との間に配置され、
前記第３層は、前記第１電極と前記第２層との間に配置され、
前記第２層は、第２物質を含み、
前記第３層は、第３物質を含み、
前記第１物質、第２物質及び第３物質それぞれは、互いに異なっている、請求項１に記載の発光素子。
【請求項８】
第３物質のＨＯＭＯエネルギーレベル＞第２物質のＨＯＭＯエネルギーレベル＞第１物質のＨＯＭＯエネルギーレベル、あるいは
第３物質のＨＯＭＯエネルギーレベル＞第１物質のＨＯＭＯエネルギーレベル＞第２物質のＨＯＭＯエネルギーレベルを満たし、
前記第２物質及び第３物質それぞれのＨＯＭＯエネルギーレベルは、サイクリックボルタンメトリーによって測定された負数値である、請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
前記第１エミッタのＨＯＭＯエネルギーレベルが－５．２６ｅＶ～－４．７２ｅＶである、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記第１光の半値幅が１５ｎｍ～９０ｎｍである、請求項１に記載の発光素子。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子、それを含む電子装置、及びそれを含む電子機器に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
発光素子において自発光型素子（例えば、有機発光素子など）は、視野角が広く、コントラストに優れるだけでなく、応答時間が短く、輝度、駆動電圧及び応答速度の特性に優れる。
【０００３】
発光素子は、基板の上部に第１電極が配置されており、第１電極の上部に正孔輸送領域（ｈｏｌｅｔｒａｎｓｐｏｒｔｒｅｇｉｏｎ）、発光層、電子輸送領域（ｅｌｅｃｔｒｏｎｔｒａｎｓｐｏｒｔｒｅｇｉｏｎ）及び第２電極が順次に配置されている構造を有する。第１電極から注入された正孔は、正孔輸送領域を経由して発光層に移動し、第２電極から注入された電子は、電子輸送領域を経由して発光層に移動する。正孔及び電子のようなキャリアは、発光層領域で再結合し、励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を生成する。励起子が励起状態から基底状態に変わりながら光が生成される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、低駆動電圧及び高電力効率を有する発光素子、それを含む電子装置、及びそれを含む電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一実施形態によれば、
第１電極と、
前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置された中間層と、を含み、
前記中間層は、正孔輸送領域及び発光層を含み、
前記正孔輸送領域は、前記第１電極と前記発光層との間に配置され、
前記正孔輸送領域は、第１層を含み、
前記第１層は、前記発光層に直接接触し、
前記発光層は、第１ホスト及び第１エミッタを含み、
前記第１エミッタは、第１発光スペクトルを有する第１光を放出し、
前記第１光の発光ピーク波長が６１０ｎｍ～７２０ｎｍであり、
前記第１層は、第１物質を含み、
前記第１物質のＨＯＭＯ（ｈｉｇｈｅｓｔｏｃｃｕｐｉｅｄｍｏｌｅｃｕｌａｒｏｒｂｉｔａｌ）エネルギーレベル絶対値は、前記第１ホストのＨＯＭＯエネルギーレベル絶対値より大きく、
前記第１エミッタのＨＯＭＯエネルギーレベル絶対値は、前記第１ホストのＨＯＭＯエネルギーレベル絶対値より大きく、
前記第１物質、第１ホスト及び第１エミッタそれぞれのＨＯＭＯエネルギーレベルは、サイクリックボルタンメトリー（ｃｙｃｌｉｃｖｏｌｔａｍｍｅｔｒｙ）によって測定された負数値である、発光素子が提供される。
【０００６】
他の実施形態によれば、前記発光素子を含む電子装置が提供される。
【０００７】
さらに他の実施形態によれば、前記発光素子を含む電子機器が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の発光素子は、低駆動電圧及び高電力効率を有し、それを利用して高品質の電子装置及び電子機器を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
一実施形態による発光素子の構造を概略的に示す図面である。
一実施形態による電子装置のうち１つである発光装置の構造を概略的に示す図面である。
一実施形態による電子装置のうち１つである発光装置の構造を概略的に示す図面である。
一実施形態による電子機器の構造を概略的に示す図面である。
一実施形態による電子機器の構造を概略的に示す図面である。
一実施形態による電子機器の構造を概略的に示す図面である。
一実施形態による電子機器の構造を概略的に示す図面である。
一実施形態による電子機器の構造を概略的に示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
発光素子は、第１電極と、第１電極に対向する第２電極と、第１電極と第２電極との間に配置された中間層と、を含む。中間層は、正孔輸送領域及び発光層を含み、正孔輸送領域は、第１電極と発光層との間に配置される。正孔輸送領域は、第１層を含み、第１層は、発光層に直接に接触する。
（【００１１】以降は省略されています）

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