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公開番号2024096068
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-07-11
出願番号2023221655
出願日2023-12-27
発明の名称発光素子、それを含む電子装置、及びそれを含む電子機器
出願人三星ディスプレイ株式會社,Samsung Display Co.,Ltd.
代理人弁理士法人PORT
主分類H10K 50/12 20230101AFI20240704BHJP()
要約【課題】発光素子、それを含む電子装置、及びそれを含む電子機器を提供する。
【解決手段】第1電極と、第1電極に対向する第2電極と、第1電極と第2電極との間に配置された中間層と、を含み、中間層は正孔輸送領域及び発光層を含み、正孔輸送領域は第1電極と発光層との間に配置され、正孔輸送領域は第1層を含み、第1層は発光層に直接に接触し、発光層は第1ホスト及び第1エミッタを含み、第1エミッタは第1発光スペクトルを有する第1光を放出し、第1光の発光ピーク波長が610nm~720nmであり、第1層は第1物質を含み、第1物質のHOMOエネルギーレベル絶対値は、第1ホストのHOMOエネルギーレベル絶対値より大きく、第1エミッタのHOMOエネルギーレベル絶対値は、第1ホストのHOMOエネルギーレベル絶対値より大きい、発光素子。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
第1電極と、
前記第1電極に対向する第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に配置された中間層と、を含み、
前記中間層は、正孔輸送領域及び発光層を含み、
前記正孔輸送領域は、前記第1電極と前記発光層との間に配置され、
前記正孔輸送領域は、第1層を含み、
前記第1層は、前記発光層に直接接触し、
前記発光層は、第1ホスト及び第1エミッタを含み、
前記第1エミッタは、第1発光スペクトルを有する第1光を放出し、
前記第1光の発光ピーク波長が610nm~720nmであり、
前記第1層は、第1物質を含み、
前記第1物質のHOMOエネルギーレベル絶対値は、前記第1ホストのHOMOエネルギーレベル絶対値より大きく、
前記第1エミッタのHOMOエネルギーレベル絶対値は、前記第1ホストのHOMOエネルギーレベル絶対値より大きく、
前記第1物質、第1ホスト及び第1エミッタそれぞれのHOMOエネルギーレベルは、サイクリックボルタンメトリーによって測定された負数値である、発光素子。
続きを表示(約 1,000 文字)【請求項2】
前記第1物質のHOMOエネルギーレベルと、前記第1ホストのHOMOエネルギーレベルとの差の絶対値は、0.01eV~0.7eVである、請求項1に記載の発光素子。
【請求項3】
前記第1物質のHOMOエネルギーレベルが-5.60eV~-5.15eVである、請求項1に記載の発光素子。
【請求項4】
前記第1物質のLUMOエネルギーレベル絶対値は、前記第1ホストのLUMOエネルギーレベル絶対値より小さく、
前記第1物質及び第1ホストそれぞれのLUMOエネルギーレベルは、サイクリックボルタンメトリーによって測定された負数値である、請求項1に記載の発光素子。
【請求項5】
前記第1物質のLUMOエネルギーレベルが-2.40eV~-1.00eVである、請求項1に記載の発光素子。
【請求項6】
前記第1ホストのHOMOエネルギーレベルが-5.07eV~-4.60eVである、請求項1に記載の発光素子。
【請求項7】
前記正孔輸送領域は、第2層及び第3層をさらに含み、
前記第2層は、前記第1電極と前記第1層との間に配置され、
前記第3層は、前記第1電極と前記第2層との間に配置され、
前記第2層は、第2物質を含み、
前記第3層は、第3物質を含み、
前記第1物質、第2物質及び第3物質それぞれは、互いに異なっている、請求項1に記載の発光素子。
【請求項8】
第3物質のHOMOエネルギーレベル>第2物質のHOMOエネルギーレベル>第1物質のHOMOエネルギーレベル、あるいは
第3物質のHOMOエネルギーレベル>第1物質のHOMOエネルギーレベル>第2物質のHOMOエネルギーレベルを満たし、
前記第2物質及び第3物質それぞれのHOMOエネルギーレベルは、サイクリックボルタンメトリーによって測定された負数値である、請求項7に記載の発光素子。
【請求項9】
前記第1エミッタのHOMOエネルギーレベルが-5.26eV~-4.72eVである、請求項1に記載の発光素子。
【請求項10】
前記第1光の半値幅が15nm~90nmである、請求項1に記載の発光素子。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、発光素子、それを含む電子装置、及びそれを含む電子機器に関する。
続きを表示(約 1,800 文字)【背景技術】
【0002】
発光素子において自発光型素子(例えば、有機発光素子など)は、視野角が広く、コントラストに優れるだけでなく、応答時間が短く、輝度、駆動電圧及び応答速度の特性に優れる。
【0003】
発光素子は、基板の上部に第1電極が配置されており、第1電極の上部に正孔輸送領域(hole transport region)、発光層、電子輸送領域(electron transport region)及び第2電極が順次に配置されている構造を有する。第1電極から注入された正孔は、正孔輸送領域を経由して発光層に移動し、第2電極から注入された電子は、電子輸送領域を経由して発光層に移動する。正孔及び電子のようなキャリアは、発光層領域で再結合し、励起子(exciton)を生成する。励起子が励起状態から基底状態に変わりながら光が生成される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明が解決しようとする課題は、低駆動電圧及び高電力効率を有する発光素子、それを含む電子装置、及びそれを含む電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一実施形態によれば、
第1電極と、
前記第1電極に対向する第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に配置された中間層と、を含み、
前記中間層は、正孔輸送領域及び発光層を含み、
前記正孔輸送領域は、前記第1電極と前記発光層との間に配置され、
前記正孔輸送領域は、第1層を含み、
前記第1層は、前記発光層に直接接触し、
前記発光層は、第1ホスト及び第1エミッタを含み、
前記第1エミッタは、第1発光スペクトルを有する第1光を放出し、
前記第1光の発光ピーク波長が610nm~720nmであり、
前記第1層は、第1物質を含み、
前記第1物質のHOMO(highest occupied molecular orbital)エネルギーレベル絶対値は、前記第1ホストのHOMOエネルギーレベル絶対値より大きく、
前記第1エミッタのHOMOエネルギーレベル絶対値は、前記第1ホストのHOMOエネルギーレベル絶対値より大きく、
前記第1物質、第1ホスト及び第1エミッタそれぞれのHOMOエネルギーレベルは、サイクリックボルタンメトリー(cyclic voltammetry)によって測定された負数値である、発光素子が提供される。
【0006】
他の実施形態によれば、前記発光素子を含む電子装置が提供される。
【0007】
さらに他の実施形態によれば、前記発光素子を含む電子機器が提供される。
【発明の効果】
【0008】
本発明の発光素子は、低駆動電圧及び高電力効率を有し、それを利用して高品質の電子装置及び電子機器を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
一実施形態による発光素子の構造を概略的に示す図面である。
一実施形態による電子装置のうち1つである発光装置の構造を概略的に示す図面である。
一実施形態による電子装置のうち1つである発光装置の構造を概略的に示す図面である。
一実施形態による電子機器の構造を概略的に示す図面である。
一実施形態による電子機器の構造を概略的に示す図面である。
一実施形態による電子機器の構造を概略的に示す図面である。
一実施形態による電子機器の構造を概略的に示す図面である。
一実施形態による電子機器の構造を概略的に示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
発光素子は、第1電極と、第1電極に対向する第2電極と、第1電極と第2電極との間に配置された中間層と、を含む。中間層は、正孔輸送領域及び発光層を含み、正孔輸送領域は、第1電極と発光層との間に配置される。正孔輸送領域は、第1層を含み、第1層は、発光層に直接に接触する。
(【0011】以降は省略されています)

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