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公開番号2024095542
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-07-10
出願番号2023200127
出願日2023-11-27
発明の名称導電層を含むスーパーストレート
出願人キヤノン株式会社
代理人弁理士法人大塚国際特許事務所
主分類H01L 21/312 20060101AFI20240703BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】品質を向上し、高い生産スループットを保証する、導電層を含むスーパーストレートを提供する。
【解決手段】スーパーストレート10は、第1表面と第2表面とを有し、第1表面と第2表面とが互いに対して反対側にあるコア本体11と、コア本体の第1表面を直接覆う導電層12と、導電層を直接覆うキャッピング層13と、を備える。コア本体は、10^-10S/m以下の導電率を有し、導電層は、無金属であり、少なくとも10^-4S/mの導電率および少なくとも80%の365nmでのUV透過率を有し、キャッピング層は、フルオロポリマーを含み、少なくとも80%の365nmでのUV透過率を有する。キャッピング層は、下層の導電層の導電率の増加に寄与する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１表面と第２表面とを有し、前記第１表面と前記第２表面とが互いに対して反対側にあるコア本体と、
前記コア本体の前記第１表面を直接覆う導電層と、
前記導電層を直接覆うキャッピング層と、
を備え、
前記コア本体は、１０
－１０
Ｓ／ｍ以下の導電率を有し、
前記導電層は、無金属であり、少なくとも１０
－４
Ｓ／ｍの導電率および少なくとも８０％の３６５ｎｍでのＵＶ透過率を有し、
前記キャッピング層は、フルオロポリマーを含み、少なくとも８０％の３６５ｎｍでのＵＶ透過率を有する、スーパーストレート。
続きを表示（約 740 文字）【請求項２】
前記導電層は、導電性ポリマーを含む、請求項１に記載のスーパーストレート。
【請求項３】
前記導電性ポリマーは、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリ（３－アルキルチオフェン）、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリフェニレン、或いはポリアニリン、またはそれらの任意の組合せを含む、請求項２に記載のスーパーストレート。
【請求項４】
前記導電性ポリマーは、ポリチオフェン、ポリフェニレン、またはそれらの組み合わせを含む、請求項３に記載のスーパーストレート。
【請求項５】
前記導電性ポリマーは、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン)(ＰＥＤＯＴ)を含む、請求項４に記載のスーパーストレート。
【請求項６】
前記導電層は、ドーパントを更に含む、請求項２に記載のスーパーストレート。
【請求項７】
前記ドーパントの量は、前記導電性ポリマーおよび前記ドーパントの総重量を基準として少なくとも１重量％且つ４０重量％以下である、請求項６に記載のスーパーストレート。
【請求項８】
前記ドーパントは、イオン性ポリマーを含む、請求項６に記載のスーパーストレート。
【請求項９】
前記ドーパントは、ポリスチレンスルホネートを含む、請求項８に記載のスーパーストレート。
【請求項１０】
前記導電層は、本質的にポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン)(ＰＥＤＯＴ)およびポリスチレンスルホネート（ＰＳＳ）から構成される、請求項９に記載のスーパーストレート。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、導電層と当該導電層を直接覆うキャッピング層とを備えるスーパーストレート、およびスーパーストレートを作製する方法に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
インクジェット適応平坦化（ＩＡＰ）は、作業面の高い平坦度を有するスーパーストレートの使用を必要とする。スーパーストレートは、典型的には、非導電性溶融シリカまたは他の透明な非金属材料から作製される。硬化レジストからスーパーストレートを分離する際の望ましくない副作用は、電気化学的な電位差による静電荷の蓄積でありうる。そのような不要な電荷は、スーパーストレートと硬化レジストとの間の接着力を増加させ、それによって分離力の増加を必要としうる。また、静電荷は、周囲からパーティクル（粒子）を引きつける可能性があり、これは、レジスト中に不純物およびインプリント欠陥を引き起こしうる。
【０００３】
スーパーストレートと硬化レジストとの間の静電荷の形成を排除または最小化して、形成されるレジストの品質を向上し、高い生産スループットを保証する必要がある。
【発明の概要】
【０００４】
一実施形態において、スーパーストレートは、第１表面と第２表面とを有し、前記第１表面と前記第２表面とが互いに対して反対側にあるコア本体と、前記コア本体の前記第１表面を直接覆う導電層と、前記導電層を直接覆うキャッピング層と、を備えることができ、前記コア本体は、１０
－１０
Ｓ／ｍ以下の導電率を有し、前記導電層は、無金属であり、少なくとも１０
－４
Ｓ／ｍの導電率および少なくとも８０％の３６５ｎｍでのＵＶ透過率を有し、前記キャッピング層は、フルオロポリマーを含み、少なくとも８０％の３６５ｎｍでのＵＶ透過率を有する。
【０００５】
前記スーパーストレートの一態様において、前記導電層は、導電性ポリマーを含むことができる。ある態様において、前記導電性ポリマーは、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリ（３－アルキルチオフェン）、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリフェニレン、或いはポリアニリン、またはそれらの任意の組合せを含むことができる。特定の態様において、前記導電性ポリマーは、ポリチオフェン、ポリフェニレン、またはそれらの組み合わせを含むことができる。ある特定の態様において、前記導電性ポリマーは、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン)(ＰＥＤＯＴ)を含んでもよい。
【０００６】
前記スーパーストレートの他の実施形態において、前記導電層は、ドーパントを更に含むことができる。
【０００７】
一態様において、前記ドーパントの量は、前記導電性ポリマーおよび前記ドーパントの総重量を基準として少なくとも１重量％且つ４０重量％以下とすることができる。
【０００８】
他の態様において、前記ドーパントは、イオン性ポリマーを含むことができる。特定の態様において、前記ドーパントは、ポリスチレンスルホネートを含むことができる。
【０００９】
前記スーパーストレートのある態様において、前記導電層は、本質的にポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン)(ＰＥＤＯＴ)およびポリスチレンスルホネート（ＰＳＳ）から構成することができる。
【００１０】
更なる実施形態において、前記導電層を覆う前記キャッピング層は、アモルファス層とすることができ、少なくとも１０
－８
ｃｍ
３
・ｃｍ／ｃｍ
２
・ｓ・ｃｍＨｇのヘリウムガス透過率を有してもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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