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公開番号2024089922
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-07-04
出願番号2022205467
出願日2022-12-22
発明の名称配線基板
出願人イビデン株式会社
代理人弁理士法人銀座マロニエ特許事務所
主分類H05K 3/46 20060101AFI20240627BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】ビア開口の内壁面に均一で薄いシード層を形成する。
【解決手段】コア基板と、第1ビルドアップ部と、第2ビルドアップ部と、第3ビルドアップ部と、第4ビルドアップ部と、を有する配線基板であって、配線基板の最も外側の面は、第3ビルドアップ部の最外面及び第4ビルドアップ部の最外面で構成されており、第3導体層に含まれる配線における配線幅と配線間距離の最小値は、第1導体層、第2導体層及び第4導体層に含まれる配線における配線幅と配線間距離の最小値よりも小さく、第3絶縁層は、ビア開口と、ビア開口内に形成され、第3導体層と下層の第3導体層とを接続するビア導体と、を有し、第3導体層とビア導体は、シード層とシード層上の電解めっき層で形成されており、第3絶縁層は、樹脂とビア開口の内壁面を形成する第1無機粒子と第3絶縁層内に埋まっている第2無機粒子を含み、第1無機粒子の形状は前記第2無機粒子の形状と異なる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有するコア基板と、前記第１面上に形成され、交互に積層される複数の第１絶縁層及び複数の第１導体層を含む第１ビルドアップ部と、前記第２面上に形成され、交互に積層される複数の第２絶縁層及び複数の第２導体層を含む第２ビルドアップ部と、前記第１ビルドアップ部上に形成され、交互に積層される複数の第３絶縁層及び複数の第３導体層を含む第３ビルドアップ部と、前記第２ビルドアップ部上に形成され、交互に積層される少なくとも１層の第４絶縁層及び少なくとも１層の第４導体層を含む第４ビルドアップ部と、を有する配線基板であって、
前記配線基板の最も外側の面は、前記第３ビルドアップ部の最外面、及び、前記第４ビルドアップ部の最外面で構成されており、
前記第３導体層に含まれる配線における配線幅の最小値は、前記第１導体層、前記第２導体層、及び、前記第４導体層に含まれる配線における配線幅の最小値よりも小さく、
前記第３導体層に含まれる配線における配線間距離の最小値は、前記第１導体層、前記第２導体層、及び、前記第４導体層に含まれる配線における配線間距離の最小値よりも小さく、
前記第３絶縁層は、第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、前記第１面から前記第２面に至るビア開口と、前記ビア開口内に形成され、前記第３導体層と下層の第３導体層とを接続するビア導体と、を有し、
前記第３導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上の電解めっき層で形成されており、
前記第３絶縁層は、無機粒子と樹脂を含み、
前記無機粒子は前記ビア開口の内壁面を形成する第１無機粒子と前記第３絶縁層内に埋まっている第２無機粒子を含み、
前記第１無機粒子の形状は前記第２無機粒子の形状と異なる。
続きを表示（約 720 文字）【請求項２】
請求項１に記載の配線基板において、前記コア基板がガラスコアである。
【請求項３】
請求項１に記載の配線基板において、前記第３導体層に含まれる配線の最小の配線幅が３μｍ以下、最小の配線間隔が３μｍ以下である。
【請求項４】
請求項１に記載の配線基板において、前記第３導体層に含まれる配線のアスペクト比は２以上４以下である。
【請求項５】
請求項１に記載の配線基板において、前記第３導体層に含まれる配線の上面は研磨面である。
【請求項６】
請求項１に記載の配線基板において、前記第３絶縁層に含まれる無機粒子の最大粒径が、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層に含まれる無機粒子の最大粒径よりも小さい。
【請求項７】
請求項１に記載の配線基板において、前記第３導体層に含まれる配線は、前記第３絶縁層に形成された溝を充填する導体によって構成されている。
【請求項８】
請求項１に記載の配線基板において、前記第３ビルドアップ部を構成する前記第３絶縁層の体積と前記第４ビルドアップ部を構成する第４絶縁層の体積とは、略等しい。
【請求項９】
請求項１に記載の配線基板において、前記第３ビルドアップ部における導体が占める体積と前記第４ビルドアップ部における導体が占める体積とは、略等しい。
【請求項１０】
請求項１に記載の配線基板において、前記内壁面は前記第１無機粒子と前記樹脂によって形成されており、前記第１無機粒子は平坦部を有し、前記平坦部が前記内壁面を形成する。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のビルドアップ部を有する配線基板に関する。
続きを表示（約 3,100 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、従来のプリント配線板の一例を開示している。特許文献１に開示されている技術では、図４に示すように、プリント配線板は、第１導体層５１と、第１導体層５１上に形成されている絶縁層５２と、絶縁層５２に形成されている、第１導体層５１の一部を露出するビア開口５３と、を有する。絶縁層５２は樹脂５４と無機粒子５５とを含む。図４に示すプリント配線板の中間体において、絶縁層５２の上面５２ａ、ビア開口５３の内壁面５３ａおよび第１導体層５１の露出部５１ａに対し、シード層が形成される。そして、シード層上において、ビア開口５３の内壁面５３ａおよび第１導体層５１の露出部５１ａにビア導体を形成するとともに、ビア導体および絶縁層５２の上面５２ａに第２導体層を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１５－１２６１０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この場合、ビア開口５３をレーザ加工で形成するため、図４の拡大部に示すように、ビア開口５３の内壁面５３ａから無機粒子５５が突出する場合がある。そのため、ビア開口５３の内壁面５３ａにシード層をスパッタで形成しようとすると、垂直方向に噴射される粒子に対し突出した無機粒子５５の下部が影部分Ｓになり、その影部分Ｓにシード層が付かなくなる場合があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る配線基板は、第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有するコア基板と、前記第１面上に形成され、交互に積層される複数の第１絶縁層及び複数の第１導体層を含む第１ビルドアップ部と、前記第２面上に形成され、交互に積層される複数の第２絶縁層及び複数の第２導体層を含む第２ビルドアップ部と、前記第１ビルドアップ部上に形成され、交互に積層される複数の第３絶縁層及び複数の第３導体層を含む第３ビルドアップ部と、前記第２ビルドアップ部上に形成され、交互に積層される少なくとも１層の第４絶縁層及び少なくとも１層の第４導体層を含む第４ビルドアップ部と、を有する配線基板であって、前記配線基板の最も外側の面は、前記第３ビルドアップ部の最外面、及び、前記第４ビルドアップ部の最外面で構成されており、前記第３導体層に含まれる配線における配線幅の最小値は、前記第１導体層、前記第２導体層、及び、前記第４導体層に含まれる配線における配線幅の最小値よりも小さく、前記第３導体層に含まれる配線における配線間距離の最小値は、前記第１導体層、前記第２導体層、及び、前記第４導体層に含まれる配線における配線間距離の最小値よりも小さく、前記第３絶縁層は、前記第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、前記第１面から前記第２面に至るビア開口と、前記ビア開口内に形成され、前記第３導体層と下層の第３導体層とを接続するビア導体と、を有し、前記第３導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上の電解めっき層で形成されており、前記第３絶縁層は、無機粒子と樹脂を含み、前記無機粒子は前記ビア開口の内壁面を形成する第１無機粒子と前記第３絶縁層内に埋まっている第２無機粒子を含み、前記第１無機粒子の形状は前記第２無機粒子の形状と異なる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
本発明に係る配線基板におけるビルドアップ部の一実施形態を模式的に示す断面図である。
本発明に係る配線基板における第３ビルドアップ部の各層の一実施形態における特徴部分を模式的に示す断面図である。
第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。
第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。
第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。
第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。
第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。
第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。
第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。
第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。
第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。
従来のプリント配線板の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
＜本発明の配線基板について＞
本発明の配線基板の一実施形態が、図面を参照して説明される。なお、図１～図３に示す例において、各部材の寸法、特に高さ方向の寸法については、本発明の特徴をより良く理解できるようにするために、実際の寸法とは異なる寸法で記載している。
【０００８】
図１は、本発明に係る配線基板におけるビルドアップ部の一実施形態を説明するための断面図である。図１において、ＣＳは、例えば図中上側の第１面ＣＳ１および下側の第２面ＣＳ２を有するコア基板である。ＢＵ１は、コア基板ＣＳの第１面ＣＳ１上に形成され、交互に積層される複数の第１絶縁層１２及び複数の第１導体層１１を含む第１ビルドアップ部である。ＢＵ２は、コア基板ＣＳの第２面ＣＳ２上に形成され、交互に積層される複数の第２絶縁層２２及び複数の第２導体層２１を含む第２ビルドアップ部である。ＢＵ３は、第１ビルドアップ部ＢＵ１上に形成され、交互に積層される複数の第３絶縁層３２及び複数の第３導体層３１を含む第３ビルドアップ部である。ＢＵ４は、第２ビルドアップ部ＢＵ２上に形成され、交互に積層される少なくとも１層の第４絶縁層４２及び少なくとも１層の第４導体層４１を含む第４ビルドアップ部である。本実施形態では、上記構成の配線基板１の第３ビルドアップ部ＢＵ３上に、チップ１およびチップ２が搭載されている。
【０００９】
図１に示す本発明に係る配線基板においては、コア基板ＣＳとしてガラスコアを用いることが好ましい。コア基板としてガラスコアを用いると、他の材料のコア基板を用いた配線基板と比べて、高密度配線が形成し易くなる。ガラスコアとしては、従来から知られているいずれの材料をも使用できる。例えば、耐熱性と耐衝撃性に優れ、熱膨張係数がシリコンに近い、ホウ珪酸ガラスを用いることができる。
【００１０】
本実施形態に係る配線基板１の特徴は、第３ビルドアップ部ＢＵ３の構造にある。すなわち、第３導体層に含まれる配線における配線幅および配線間距離の最小値は、第１導体層、第２導体層、及び、第４導体層に含まれる配線における配線幅および配線間距離の最小値よりも小さい。また、第３絶縁層は、第１面と、第１面と反対側の第２面と、第１面から第２面に至るビア開口と前記第３導体層と下層の第３導体層とを接続するビア導体と、を有し、第３導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上の電解めっき層で形成されている。さらに、第３絶縁層は、無機粒子と樹脂を含み、無機粒子はビア開口の内壁面を形成する第１無機粒子と第３絶縁層内に埋まっている第２無機粒子を含み、第１無機粒子の形状は第２無機粒子の形状と異なる。
（【００１１】以降は省略されています）

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