TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
10個以上の画像は省略されています。
公開番号2024076355
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-05
出願番号2023190024
出願日2023-11-07
発明の名称イメージセンサ
出願人三星電子株式会社,Samsung Electronics Co.,Ltd.
代理人弁理士法人共生国際特許事務所
主分類H01L 27/146 20060101AFI20240529BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】改善されたイメージ品質を有するイメージセンサを提供する。
【解決手段】本発明のイメージセンサは、第1サブピクセル及び平面図上の第1サブピクセルに隣接して配置された第2サブピクセルを含む複数の単位ピクセルと、複数の単位ピクセルの各々の第1サブピクセル上に配置される第1サブレンズ部と第2サブピクセル上に配置される第2サブレンズ部とを含むレンズアレイと、を備え、第1サブレンズ部は、第1マイクロレンズを含み、第2サブレンズ部は、第2マイクロレンズを含み、第1マイクロレンズは、中央区間に陥没した陥没部を含む。
【選択図】図5


特許請求の範囲【請求項1】
第1サブピクセル及び平面図上の前記第1サブピクセルに隣接して配置された第2サブピクセルを含む複数の単位ピクセルと、
前記複数の単位ピクセルの各々の前記第1サブピクセル上に配置される第1サブレンズ部と前記第2サブピクセル上に配置される第2サブレンズ部とを含むレンズアレイと、を備え、
前記第1サブレンズ部は、第1マイクロレンズを含み、
前記第2サブレンズ部は、第2マイクロレンズを含み、
前記第1マイクロレンズは、中央区間に陥没した陥没部を含むことを特徴とするイメージセンサ。
続きを表示(約 810 文字)【請求項2】
前記第1マイクロレンズの外側境界の平面形状は、前記第2マイクロレンズの外側境界の平面形状よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
【請求項3】
前記第1マイクロレンズの頂部を連結した線は、平面図上で閉曲線をなすことを特徴とする請求項2に記載のイメージセンサ。
【請求項4】
前記第1マイクロレンズは、前記陥没部を中心に一側に位置する第1部分と他側に位置する第2部分とを含むことを特徴とする請求項3に記載のイメージセンサ。
【請求項5】
前記第1部分及び前記第2部分の頂部の高さは、前記第2マイクロレンズの頂部の高さよりも小さいか同じであることを特徴とする請求項4に記載のイメージセンサ。
【請求項6】
前記第1部分と前記第2部分とは、前記陥没部を基準として対称形状であることを特徴とする請求項4に記載のイメージセンサ。
【請求項7】
前記第1部分、前記第2部分、及び前記第2マイクロレンズの断面の曲率半径は、同じであることを特徴とする請求項6に記載のイメージセンサ。
【請求項8】
前記第1マイクロレンズの外側境界と頂部との間の頂部の外側区間と、前記頂部と前記陥没部との間の頂部の内側区間とは、異なる曲率半径を有することを特徴とする請求項4に記載のイメージセンサ。
【請求項9】
前記頂部の外側区間は、前記第2マイクロレンズと同じ曲率半径を有することを特徴とする請求項8に記載のイメージセンサ。
【請求項10】
前記レンズアレイは、前記第1マイクロレンズ及び前記第2マイクロレンズの外側境界が置かれる基底面を含み、
前記陥没部は、前記基底面に置かれることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、イメージセンサに関する。
続きを表示(約 1,700 文字)【背景技術】
【0002】
イメージセンシング装置(image sensing device)は、光学センサを用いてイメージを感知する装置である。イメージセンシング装置はイメージセンサを含む。イメージセンサの類型の一つはCMOSイメージセンサである。CMOSイメージセンサは2次元的に配列された複数のピクセル(PX)を備える。ピクセル(PX)のそれぞれはフォトダイオード(photodiode:PD)を含む。フォトダイオードは入射する光を電気信号に変換する役割をする。
【0003】
最近では、コンピュータ産業及び通信産業の発達につれて、デジタルカメラ、カムコーダ、スマートフォン、ゲーム機器、警備用カメラ、医療用マイクロカメラ、ロボット、車両などの多様な分野で性能を向上させたイメージセンサの需要が増大している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
特開2022-61477号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、改善されたイメージ品質を有するイメージセンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様によるイメージセンサは、第1サブピクセル及び平面図上の前記第1サブピクセルに隣接して配置された第2サブピクセルを含む複数の単位ピクセルと、前記複数の単位ピクセルの各々の前記第1サブピクセル上に配置される第1サブレンズ部と前記第2サブピクセル上に配置される第2サブレンズ部とを含むレンズアレイと、を備え、前記第1サブレンズ部は、第1マイクロレンズを含み、前記第2サブレンズ部は、第2マイクロレンズを含み、前記第1マイクロレンズは、中央区間に陥没した陥没部を含む。
【0007】
上記目的を達成するためになされた本発明の他の態様によるイメージセンサは、第1サブピクセル及び平面図上の前記第1サブピクセルに隣接して配置され、平面図上の前記第1サブピクセルよりも小さい第2サブピクセルを含む複数の単位ピクセルと、前記第1サブピクセル上に配置される第1サブレンズ部と前記第2サブピクセル上に配置される第2サブレンズ部とを含むレンズアレイと、を備え、前記第1サブレンズ部は、第1マイクロレンズを含み、前記第2サブレンズ部は、第2マイクロレンズを含み、前記第2サブピクセルに向かう方向に沿って前記第1マイクロレンズを切断した第1断面の第1幅は、隣接する他の第1マイクロレンズに向かう方向に沿って前記第1マイクロレンズを切断した第2断面の第2幅よりも小さい。
【0008】
上記目的を達成するためになされた本発明の更に他の態様によるイメージセンサは、第1サブピクセル及び平面図上の前記第1サブピクセルに隣接して配置され、平面図上の前記第1サブピクセルよりも小さい第2サブピクセルを含む複数の単位ピクセルと、前記複数の単位ピクセルの各々の前記第1サブピクセル上に配置される第1サブレンズ部と前記第2サブピクセル上に配置される第2サブレンズ部とを含むレンズアレイと、を備え、前記第1サブレンズ部は、複数の第1マイクロレンズを含み、前記第2サブレンズ部は、第2マイクロレンズを含み、前記第2サブレンズ部に含まれる前記第2マイクロレンズの数は、前記第1サブレンズ部に含まれる前記複数の第1マイクロレンズの数よりも小さい。
【0009】
その他の具体的な内容は詳細な説明及び図面に含まれる。
【発明の効果】
【0010】
本発明のイメージセンサによれば、マイクロレンズの形状や陥没部又は孔によって多様な光経路及び多様な集光領域を有することで、傾斜して入射する光に対してより高い受光効率を示し、レンズの高さの差による遮蔽現象を防止することができ、光電変換領域の広い領域で光電変換が行われる。従って、光電変換領域のより高い効率及び劣化に強い耐久性を期待することができる。
【図面の簡単な説明】
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する

関連特許

三星電子株式会社
換気装置
1日前
三星電子株式会社
イメージセンサ
13日前
三星電子株式会社
イメージセンサー
15日前
三星電子株式会社
測定装置及び検査装置
今日
三星電子株式会社
実装装置及び実装方法
5日前
三星電子株式会社
光学装置及び光学測定方法
1日前
三星電子株式会社
対象物の表面を検査する装置
1日前
三星電子株式会社
半導体装置及びその製造方法
8日前
三星電子株式会社
貫通ビアを有する半導体装置
8日前
三星電子株式会社
半導体素子及びその製造方法
11日前
三星電子株式会社
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
5日前
三星電子株式会社
3層積層型イメージセンサ及びその製造方法
8日前
三星電子株式会社
誘導加熱装置及び誘導加熱装置用プログラム
15日前
三星電子株式会社
半導体装置及びこれを含むデータ保存システム
11日前
三星電子株式会社
半導体メモリ装置およびそれを含む電子システム
13日前
三星電子株式会社
ランプ信号生成器、イメージセンサ及びランプ信号のオートゼロレベル制御方法
8日前
個人
集積回路
1日前
株式会社コロナ
操作装置
15日前
HOYA株式会社
光源装置
14日前
太陽誘電株式会社
全固体電池
13日前
富士電機株式会社
半導体装置
20日前
太陽誘電株式会社
全固体電池
1か月前
大日本印刷株式会社
流路部材
22日前
太陽誘電株式会社
全固体電池
28日前
三菱電機株式会社
静止誘導器
1か月前
株式会社GSユアサ
蓄電装置
29日前
太陽誘電株式会社
コイル部品
7日前
トヨタ自動車株式会社
コイル
25日前
太陽誘電株式会社
コイル部品
7日前
東レ株式会社
固体電解質用補強シート
29日前
中国電力株式会社
直線スリーブ
27日前
トヨタ自動車株式会社
コイル線
25日前
トヨタ自動車株式会社
コイル線
25日前
トヨタ自動車株式会社
コイル線
25日前
ローム株式会社
半導体装置
25日前
東レ株式会社
ポリマー電解質および電池
8日前
続きを見る