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公開番号
2025137346
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-09-19
出願番号
2024140587
出願日
2024-08-22
発明の名称
ドライフィルムレジスト用二軸配向ポリエステルフィルム
出願人
東レ株式会社
代理人
主分類
C08J
7/04 20200101AFI20250911BHJP(有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物)
要約
【課題】プリント配線板の微細化、高密度化に対応できる微細パターンフォトレジスト用基材フィルムに関する走行性と露光阻害抑止に優れ、かつフィルムの帯電防止性により塵埃付着抑制による粗大な突起形成抑止に優れたドライフィルムレジスト用積層二軸配向ポリエステルフィルムを提供する。
【解決手段】フィルムの少なくとも片面が下記要件(I)~(III)を満たす表面Aであるドライフィルムレジスト用二軸配向ポリエステルフィルムとする。
(I)5μm視野角でのAFM観察で計測される基準面(高さ0nm面)から高さ10nm以上の領域の個数が50個/5μm□以上130個/5μm□以下、
(II)5μm視野角でのAFM観察で計測される基準面(高さ0nm面)から高さ10nm以上の領域の占める断面積が1.00μm
2
以上2.00μm
2
以下、
(III)二重リング電極法によって計測される表面比抵抗が1×10
12
Ω/□以下。
【選択図】なし
特許請求の範囲
【請求項1】
フィルムの少なくとも片面が下記要件(I)~(III)を満たす表面Aであるドライフィルムレジスト用二軸配向ポリエステルフィルム。
(I)5μm視野角でのAFM観察で計測される基準面(高さ0nm面)から高さ10nm以上の領域の個数が50個/5μm□以上130個/5μm□以下
(II)5μm視野角でのAFM観察で計測される基準面(高さ0nm面)から高さ10nm以上の領域の占める断面積が1.00μm
2
以上2.00μm
2
以下
(III)二重リング電極法によって計測される表面比抵抗が1×10
12
Ω/□以下
続きを表示(約 940 文字)
【請求項2】
フィルムの表面Aにアクリル系バインダーを含む組成物を有する請求項1に記載のドライフィルムレジスト用二軸配向ポリエステルフィルム。
【請求項3】
フィルムの表面Aの5μm視野角でのAFM観察で計測される基準面(高さ0nm面)から高さ10nm以上の領域がアクリル系バインダーを含む組成物から成る請求項1または2に記載のドライフィルムレジスト用二軸配向ポリエステルフィルム。
【請求項4】
フィルムの表面Aの表面から深さ0.5μmまでの領域において無機粒子の含有量が100重量ppm未満である請求項1または2に記載のドライフィルムレジスト用二軸配向ポリエステルフィルム。
【請求項5】
フィルムの表面Aとその反対面である表面Bにおける3成分合計表面自由エネルギーγS-AとγS-bとが(γS-A)-(γS-A)≧8.0mN/mとなる請求項1または2に記載のドライフィルムレジスト用二軸配向ポリエステルフィルム。
【請求項6】
フィルム表面Aの3成分合計表面自由エネルギーγS-Aが50.0mN/m以上65.0mN/m以下である請求項1または2に記載のドライフィルムレジスト用二軸配向ポリエステルフィルム。
【請求項7】
フィルムの表面Aが帯電防止剤を含有するポリエステル樹脂上にアクリル系バインダーを含む塗膜の表面である請求項1または2に記載のドライフィルムレジスト用二軸配向ポリエステルフィルム。
【請求項8】
フィルムの表面Aの二重リング電極法によって計測される表面比抵抗が1×10
9
Ω/□以下である請求項1または2に記載のドライフィルムレジスト用二軸配向ポリエステルフィルム。
【請求項9】
フィルムの表面Aにポリチオフェンを含む塗膜を有する請求項1または2に記載の用二軸配向ポリエステルフィルム。
【請求項10】
表面A側に塗膜を有するポリエステルフィルムにおいて、ポリエステルフィルムが2層以上の層構成を有する請求項1または2に記載の用二軸配向ポリエステルフィルム。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、ドライフィルムレジスト(以下「DFR」と略記する場合がある)の形成に用いるポリエステルフィルム、中でもドライフィルムレジストを構成する支持フィルムとして好適に用いることができるポリエステルフィルムに関する。
続きを表示(約 1,500 文字)
【背景技術】
【0002】
DFRは、プリント配線基板、半導体パッケージ、フレキシブル基板などの回路を形成するために用いられるものであり、感光性樹脂組成物からなる感光層(フォトレジスト層)をポリエステルフィルム(基材フィルム)上に積層させた後、ポリエチレンフィルムなどからなる保護フィルムで感光層を挟んだ構造をしている。
【0003】
フォトレジストの製造工程においては、まず保護フィルムが除去され、露出された感光
層が、プリント配線板作製用基体などの対象物上に貼着される。この状態で、基材フィルム上にネガフィルムを密着させ、該ネガフィルム側から基材フィルムを透過させるように紫外線などの活性光線を照射し、感光性樹脂組成物を所定のパターンに露光させる。露光後に、ネガフィルムを除去するとともに、基材フィルムを剥離除去する。こうして残った感光性樹脂組成物の硬化していない未露光部分を溶剤などによって除去することにより、プリント配線板作製用基体上に目標とするパターンが形成される。
【0004】
このようなドライフィルムフォトレジストにおいて、基材フィルムは、均一な厚みの感光性樹脂組成膜を形成したり、ドライフィルムと配線板作製用基体とをしわや空気の混入なく密着させたり、露光阻害による欠陥の少ない回路を形成するための重要な役割を担っている。
【0005】
近年では、電子機器の小型、軽量化にともない、プリント配線板の微細化、高密度化に伴い、配線の幅や配線の間隔が5μmを切るような微細パターンを形成できる、高度な解像度や再現性が求められるようになっている。
【0006】
しかしながら、基材フィルムであるポリエステルフィルムには走行性を付与するために粒子などの滑剤が含有されているために露光工程時に粒子による露光阻害が引き起こされ、レジストの解像度が低下するという問題が生じており、その解像度に対する要求レベルはますます厳しくなっている。
【0007】
更に、配線の幅や配線の間隔が5μmを切るような微細パターンの形成工程では、基材フィルム表面の粗大な突起や付着した塵埃によってレジストに破断やピンホール等の欠陥が発生する可能性が高まり、レジスト形成工程での歩留まりに対して基材フィルム品位の及ぼす影響が大きくなる傾向にある。
【0008】
そこで、ドライフィルムフォトレジスト基材フィルムの搬送工程における帯電による塵埃の付着を防止するため、フィルム中に帯電防止剤を添加させたフィルム(例えば、特許文献1)や、フィルム表面に粒子と帯電防止剤を含有する粒子含有表面層(コーティング層)を設けたフィルムが提案されている(例えば、特許文献2)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
特開2021-54055号公報
特開2019-188612号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
しかしながら前述の特許文献1および2に記載のフィルムでは、近年のプリント配線板の微細化、高密度化に対して依然としてフィルム中の粒子による露光阻害の抑制が不十分であるため、配線の幅や配線の間隔が5μmを切るような微細パターンの形成工程ではレジスト配線の解像度が低下する課題がある。さらに、無機粒子を含有する構成であるため、微細な平均一次粒子径の無機粒子を用いたとしても製造工程において無機粒子の凝集によってフィルム表面に粗大な突起が形成され、レジストに破断やピンホール等の欠陥が生じる課題がある。
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPat(特許庁公式サイト)で参照する
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