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公開番号2025136887
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-19
出願番号2024035803
出願日2024-03-08
発明の名称ウェハ搭載装置、半導体製造装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置
出願人三菱電機株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/205 20060101AFI20250911BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体ウェハの表面上に形成されるエピタキシャル層の面内均一性を向上させるウェハ搭載装置を得る。
【解決手段】サテライトディスク13の周辺部13pの周辺部表面13dによってテラス部12tが支持される態様で、リング12はサテライトディスク13上に載置される。テラス部12tの表面上に載置される3つのリフトアップピン15上にSiCウェハ14が載置される。サテライトディスク13の上層部13uの表面13sとSiCウェハ14の裏面との間にディスク上方空間S13が形成される。リング12の壁部12bはオリフラ部14kと隙間空間S12を介して対向するように配置される。SiCウェハ14の裏面側において、平面視して開口部O12の外周に沿った円環状の溝2(溝2k)が形成され、溝2の一側面が上層部13uの側面となる。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
切り欠き部を有する半導体ウェハを搭載するウェハ搭載装置であって、
凸状の上層部を有するディスクと、
前記ディスク上に配置され、中央に開口部を有するリングと、
前記ディスクまたは前記リングに設けられたリフトアップ領域上に配置され、前記半導体ウェハを裏面から支持するための複数のリフトアップ部材とを備え、
前記リングは前記開口部側に突出する切欠側突出壁部を有し、
前記リングと接触することなく、平面視して前記開口部内に前記半導体ウェハが収まるように、前記複数のリフトアップ部材上に前記半導体ウェハを載置した半導体ウェハ搭載状態において、
前記切欠側突出壁部は前記半導体ウェハの前記切り欠き部に対向し、前記複数のリフトアップ部材の形成領域を除き、前記ディスクの前記上層部の表面と前記半導体ウェハの裏面との間にディスク上方空間が形成され、かつ、前記半導体ウェハの裏面側における前記ディスクの前記上層部と前記リングとの間に、平面視して前記開口部の外周に沿って環状の環状溝が形成され、
前記ディスクの前記上層部の側面が前記環状溝の側面となる、
ウェハ搭載装置。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
請求項１記載のウェハ搭載装置であって、
前記ディスクは前記上層部の周辺に周辺部を有し、前記周辺部の表面は前記上層部の表面より形成高さが低く、前記周辺部の表面から前記上層部の表面にかけて段差が存在し、
前記リングは、前記開口部側に突出するテラス部を有し、前記テラス部は前記切欠側突出壁部と平面視して重複せず、
前記ディスクの前記周辺部の表面上に前記テラス部が支持される態様で、前記リングは前記ディスク上に載置され、
前記テラス部における高さ方向の厚みは前記ディスクにおける前記段差よりも薄い、
ウェハ搭載装置。
【請求項３】
請求項２記載のウェハ搭載装置であって、
前記複数のリフトアップ部材は前記リングの前記テラス部の表面上に載置され、
前記リフトアップ領域は前記テラス部の表面領域を含む、
ウェハ搭載装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３記載のウェハ搭載装置であって、
前記テラス部は前記上層部の側面と接触関係を有さない、
ウェハ搭載装置。
【請求項５】
請求項２または請求項３記載のウェハ搭載装置であって、
前記開口部は、前記半導体ウェハを含み、かつ、前記半導体ウェハより広い形成面積を有し、
前記切欠側突出壁部は前記ディスクにおける前記周辺部の表面と接触関係を有さない、
ウェハ搭載装置。
【請求項６】
請求項５記載のウェハ搭載装置であって、
前記切欠側突出壁部の下面の形成高さは、前記複数のリフトアップ部材の上面の形成高さ以上に設定される、
ウェハ搭載装置。
【請求項７】
請求項５記載のウェハ搭載装置であって、
前記切欠側突出壁部の上面は前記リングの上面の一部となる、
ウェハ搭載装置。
【請求項８】
請求項１から請求項３のいずれかに記載のウェハ搭載装置であって、
前記ディスクの前記上層部は中央部が凹んだ凹形状を有する、
ウェハ搭載装置。
【請求項９】
請求項３記載のウェハ搭載装置であって、
前記リングは、前記テラス部に加えて、前記開口部側に突出する補助テラス部をさらに有し、前記補助テラス部は平面視して前記テラス部と前記切欠側突出壁部との間に設けられ、前記テラス部より高さ方向の厚みが薄く、
前記ディスクの前記周辺部の表面上に前記テラス部及び前記補助テラス部が支持される態様で、前記リングは前記ディスク上に載置される、
ウェハ搭載装置。
【請求項１０】
請求項２記載のウェハ搭載装置であって、
前記複数のリフトアップ部材は前記ディスクの前記上層部上に載置され、
前記リフトアップ領域は前記上層部の表面領域を含む、
ウェハ搭載装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、ＳｉＣ単結晶ウェハ上へのＳｉＣ膜のエピタキシャル成長に使用するサセプタに代表される、半導体ウェハを搭載するウェハ搭載装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
ＳｉＣ単結晶ウェハ上へのＳｉＣ膜のエピタキシャル成長に使用するサセプタが従来のウェハ搭載装置として一般的である。従来のサセプタは例えば特許文献１に開示されている。
【０００３】
特許文献１では、サセプタの上面とシリコンウェハの上面との段差を１ｍｍ以上とする技術を特徴としており、この特徴を有するサセプタを用いることにより、後述するエピクラウン現象を抑制している。また、エピクラウン現象の抑制する従来技術が特許文献２または特許文献３にも開示されている。
【０００４】
サセプタで代表されるウェハ搭載装置から展開される技術として、ウェハ搭載装置を備えた半導体製造装置であるＳｉＣエピタキシャル成長装置が考えられる。さらに、ＳｉＣエピタキシャル成長装置を用いた半導体装置の製造方法や当該半導体装置の製造方法により製造された半導体装置が考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１６－１１９４７２号公報
特開２０１４－２７００６号公報
特開平７－２２６３４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
シリコンウェハ等の半導体ウェハの表面上にエピタキシャル層を形成する際、エピタキシャル層の膜厚に関係がある指標として、サセプタの上面と半導体ウェハの表面との高さ方向の長さを示す、ウェハ・サセプタＴｏｐ距離がある。ウェハ・サセプタＴｏｐ距離を比較的大きく設定すると、半導体ウェハの最外周部となる周辺領域においてエピタキシャル層の膜厚であるエピ厚に影響を与え、エピ厚の面内均一性が悪化する。
【０００７】
本開示は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、半導体ウェハの表面上に形成されるエピタキシャル層における面内均一性を向上させるウェハ搭載装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示に係るウェハ搭載装置は、切り欠き部を有する半導体ウェハを搭載するウェハ搭載装置であって、凸状の上層部を有するディスクと、前記ディスク上に配置され、中央に開口部を有するリングと、前記ディスクまたは前記リングに設けられたリフトアップ領域上に配置され、前記半導体ウェハを裏面から支持するための複数のリフトアップ部材とを備え、前記リングは前記開口部側に突出する切欠側突出壁部を有し、前記リングと接触することなく、平面視して前記開口部内に前記半導体ウェハが収まるように、前記複数のリフトアップ部材上に前記半導体ウェハを載置した半導体ウェハ搭載状態において、前記切欠側突出壁部は前記半導体ウェハの前記切り欠き部に対向し、前記複数のリフトアップ部材の形成領域を除き、前記ディスクの前記上層部の表面と前記半導体ウェハの裏面との間にディスク上方空間が形成され、かつ、前記半導体ウェハの裏面側における前記ディスクの前記上層部と前記リングとの間に、平面視して前記開口部の外周に沿って環状の環状溝が形成され、前記ディスクの前記上層部の側面が前記環状溝の側面となる。
【発明の効果】
【０００９】
本開示のウェハ搭載装置は、半導体ウェハ搭載状態時に、半導体ウェハの裏面とディスクの表面との間にディスク上方空間を設けることができる。
【００１０】
さらに、本開示のウェハ搭載装置は、半導体ウェハ搭載状態時に、半導体ウェハの裏面側にディスクの上層部とリングとの間に環状の環状溝が形成され、ディスクの上層部の側面が環状溝の側面となる。
（【００１１】以降は省略されています）

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