特許ウォッチ

公開番号2025130049
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-05
出願番号2025026404
出願日2025-02-21
発明の名称酸発生剤、塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
出願人住友化学株式会社
代理人弁理士法人新樹グローバル・アイピー
主分類G03F 7/004 20060101AFI20250829BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】良好な解像度のレジストパターンを製造し得る塩、酸発生剤、レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式(I)で表される塩を含有する酸発生剤、レジスト組成物等。
<com:Image com:imageContentCategory="Drawing"> <com:ImageFormatCategory>TIFF</com:ImageFormatCategory> <com:FileName>2025130049000172.tif</com:FileName> <com:HeightMeasure com:measureUnitCode="Mm">24</com:HeightMeasure> <com:WidthMeasure com:measureUnitCode="Mm">145</com:WidthMeasure> </com:Image> [式中、Q¹、Q²、R¹¹及びR¹²は其々H原子、F素原子等;zは0～6の整数;X¹は-O-、-CO-等;mm1は0又は1、m3は1～3の整数;L¹は単結合又は置換/非置換の炭化水素基;W¹は置換/非置換の芳香族炭化水素基;L²は-CHOR¹-、-CO-又は-C(OR²)₂-;R¹はH原子又は酸不安定基;R²はH原子又は炭化水素基を表し、2つのR²が結合して置換基を有していてもよい環を形成してもよく、該炭化水素基及び環中の-CH₂-は、-O-、-S-、-SO₂-又は-CO-等に置き換わっていてもよい;R³はH又は置換/非置換の炭化水素基、W¹と結合して環を形成してもよい;Z⁺は有機カチオンを表す。]
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
式（Ｉ）で表される塩を含有する酸発生剤。
TIFF
2025130049000165.tif
24
143
［式（Ｉ）中、
Ｑ
１
、Ｑ
２
、Ｒ
11
及びＲ
12
は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１～６のアルキル基又は炭素数１～６のペルフルオロアルキル基を表す。
ｚは、０～６のいずれかの整数を表し、ｚが２以上のとき、複数のＲ
11
及びＲ
12
は互いに同一であっても異なってもよい。
Ｘ
1
は、－Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ
２
－、－ＮＲ
７
－又はこれらを組み合わせた基を表す。
ｍｍ１は、０又は１を表す。
Ｌ
１
は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数１～４０の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－、－ＮＲ
７
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ｒ
７
は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｗ
１
は、置換基を有してもよい炭素数６～３６の芳香族炭化水素基を表す。
Ｌ
２
は、－ＣＨＯＲ
１
－、－ＣＯ－又は－Ｃ（ＯＲ
２
）
2
－を表す。
Ｒ
１
は、水素原子又は酸不安定基を表す。
Ｒ
２
は、水素原子又は炭素数１～１２の炭化水素基を表し、２つのＲ
２
が結合してアセタール環を形成してもよく、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－、－ＮＲ
７
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、該環は、置換基を有していてもよく、該環に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－、－ＮＲ
７
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ｒ
３
は、水素原子又は置換基を有してもよい炭素数１～１８の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－、－ＮＲ
７
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、Ｗ
１
と結合して環を形成してもよく、該環は、置換基を有していてもよく、該環に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－、－ＮＲ
７
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
ｍ３は、１～３のいずれかの整数を表し、ｍ３が２以上のとき、複数の括弧内の基は互いに同一であっても異なってもよい。
続きを表示（約 4,800 文字）【請求項２】
Ｌ
１
が、単結合、置換基を有してもよい炭素数１～１０の鎖式炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数３～２４の環状炭化水素基又は置換基を有してもよい炭素数１～８の鎖式炭化水素基と置換基を有してもよい炭素数３～２４の環状炭化水素基とを組み合わせてなる基であり、前記鎖式炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、前記環状炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい請求項１に記載の酸発生剤。
【請求項３】
Ｗ
１
が、置換基を有してもよい炭素数６～１２の芳香族炭化水素基である請求項１に記載の酸発生剤。
【請求項４】
Ｒ
３
が、ハロゲン原子又は炭素数１～４のアルキル基（該アルキル基は、ハロゲン原子を有してもよく、該アルキル基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。）を有してもよい炭素数６～１２の芳香族炭化水素基（該芳香族炭化水素基は、Ｗ
１
と結合し、環を形成していてもよい。）である請求項１に記載の酸発生剤。
【請求項５】
請求項１～４のいずれかに記載の酸発生剤を含有するレジスト組成物。
【請求項６】
さらに、酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂を含有し、
酸不安定基を有する構造単位が、式（ａ１－０）で表される構造単位、式（ａ１－１）で表される構造単位、式（ａ１－２）で表される構造単位、式（ａ１－４）で表される構造単位、式（ａ１－５）で表される構造単位及び式（ａ１－６）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む請求項５に記載のレジスト組成物。
TIFF
2025130049000166.tif
43
144
［式（ａ１－０）、式（ａ１－１）及び式（ａ１－２）中、
Ｌ
a01
、Ｌ
ａ１
及びＬ
ａ２
は、それぞれ独立に、－Ｏ－又は＊－Ｏ－（ＣＨ
２
）
ｋ１
－ＣＯ－Ｏ－を表し、ｋ１は１～７のいずれかの整数を表し、＊は－ＣＯ－との結合部位を表す。
Ｒ
a01
、Ｒ
ａ４
及びＲ
ａ５
は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｒ
a02
、Ｒ
a03
及びＲ
a04
は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素数３～１８の脂環式炭化水素基、炭素数６～１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表し、該アルキル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子を有してもよい。
Ｒ
ａ６
及びＲ
ａ７
は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素数２～８のアルケニル基、炭素数３～１８の脂環式炭化水素基、炭素数６～１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基を表し、該アルキル基、該アルケニル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子を有してもよい。
ｍ１’は０～１４のいずれかの整数を表す。
ｎ１は０～１０のいずれかの整数を表す。
ｎ１’は０～３のいずれかの整数を表す。］
TIFF
2025130049000167.tif
31
118
［式（ａ１－４）中、
Ｒ
ａ１
は、水素原子、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｒ
ａ１７
は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数２～１２のアルコキシアルキル基、炭素数２～１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数２～４のアルキルカルボニル基、炭素数２～４のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
Ａ
ａ１１
は、単結合又は炭素数１～１２のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－、－ＣＯ－又は－ＮＲ
ａ１８
－に置き換わってもよい。
Ｒ
ａ１８
は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｘ
ａ１
は、単結合又はカルボニル基を表す。
Ｒ
a34
及びＲ
a35
は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～１２の炭化水素基を表し、Ｒ
a36
は、炭素数１～２０の炭化水素基を表すか、Ｒ
a35
及びＲ
a36
は互いに結合してそれらが結合する－Ｃ－Ｏ－とともに炭素数２～２０の２価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該２価の炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－又は－Ｓ－で置き換わってもよい。
ｎａ１は、１～５のいずれかの整数を表し、ｎａ１が２以上のとき、複数の括弧内の基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
ｎａ１１は、０～４のいずれかの整数を表し、ｎａ１１が２以上のとき、複数のＲ
ａ１７
は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
ｍｃは、０～２のいずれかの整数を表す。］
TIFF
2025130049000168.tif
45
58
［式（ａ１－５）中、
Ｒ
【請求項７】
さらに、式（ａ２－Ａ）で表される構造単位を含む樹脂を含有する請求項５に記載のレジスト組成物。
TIFF
2025130049000170.tif
30
128
［式（ａ２－Ａ）中、
Ｒ
ａ２
は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｒ
ａ２７
は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数２～１２のアルコキシアルキル基、炭素数２～１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数２～４のアルキルカルボニル基、炭素数２～４のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
Ａ
ａ２１
は、単結合又は炭素数１～１２のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－、－ＣＯ－又は－ＮＲ
ａ２８
－に置き換わってもよい。
Ｒ
ａ２８
は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｘ
ａ２
は、単結合又はカルボニル基を表す。
ｎＡ２は、１～５のいずれかの整数を表し、ｎＡ２が２以上のとき、複数の括弧内の基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
ｎａ２１は、０～４のいずれかの整数を表し、ｎａ２１が２以上のとき、複数のＲ
ａ２７
は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
ｍｃは、０～２のいずれかの整数を表す。］
【請求項８】
前記酸発生剤から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩をさらに含有する請求項５に記載のレジスト組成物。
【請求項９】
（１）請求項５に記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後のレジスト組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
【請求項１０】
式（Ｉ）で表される塩。
TIFF
2025130049000171.tif
24
145
［式（Ｉ）中、
Ｑ
１
、Ｑ
２
、Ｒ
11
及びＲ
12
は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１～６のアルキル基又は炭素数１～６のペルフルオロアルキル基を表す。
ｚは、０～６のいずれかの整数を表し、ｚが２以上のとき、複数のＲ
11
及びＲ
12
は互いに同一であっても異なってもよい。
Ｘ
1
は、－Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ
２
－、－ＮＲ
７
－又はこれらを組み合わせた基を表す。
ｍｍ１は、０又は１を表す。
Ｌ
１
は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数１～４０の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－、－ＮＲ
７
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ｒ
７
は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｗ
１
は、置換基を有してもよい炭素数６～３６の芳香族炭化水素基を表す。
Ｌ
２
は、－ＣＨＯＲ
１
－、－ＣＯ－又は－Ｃ（ＯＲ
２
）
2
－を表す。
Ｒ
１
は、水素原子又は酸不安定基を表す。
Ｒ
２
は、水素原子又は炭素数１～１２の炭化水素基を表し、２つのＲ
２
が結合してアセタール環を形成してもよく、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－、－ＮＲ
７
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、該環は、置換基を有していてもよく、該環に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－、－ＮＲ
７
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ｒ
３
は、水素原子又は置換基を有してもよい炭素数１～１８の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－、－ＮＲ
７
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、Ｗ
１
と結合して環を形成してもよく、該環は、置換基を有していてもよく、該環に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－、－ＮＲ
７
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
ｍ３は、１～３のいずれかの整数を表し、ｍ３が２以上のとき、複数の括弧内の基は互いに同一であっても異なってもよい。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体の微細加工に用いられる酸発生剤用の塩、該塩を含む酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。
続きを表示（約 5,700 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、下記式で表される塩、及び該塩を酸発生剤として含有する組成物が記載されている。
TIFF
2025130049000001.tif
27
69
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－１０９０８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記の塩を含有するレジスト組成物から形成されたレジストパターンよりも、解像度が良好なレジストパターンを形成する塩を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、以下の発明を含む。
［１］式（Ｉ）で表される塩を含有する酸発生剤。
TIFF
2025130049000002.tif
24
145
［式（Ｉ）中、
Ｑ
１
、Ｑ
２
、Ｒ
11
及びＲ
12
は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１～６のアルキル基又は炭素数１～６のペルフルオロアルキル基を表す。
ｚは、０～６のいずれかの整数を表し、ｚが２以上のとき、複数のＲ
11
及びＲ
12
は互いに同一であっても異なってもよい。
Ｘ
1
は、－Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ
２
－、－ＮＲ
７
－又はこれらを組み合わせた基を表す。
ｍｍ１は、０又は１を表す。
Ｌ
１
は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数１～４０の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－、－ＮＲ
７
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ｒ
７
は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｗ
１
は、置換基を有してもよい炭素数６～３６の芳香族炭化水素基を表す。
Ｌ
２
は、－ＣＨＯＲ
１
－、－ＣＯ－又は－Ｃ（ＯＲ
２
）
2
－を表す。
Ｒ
１
は、水素原子又は酸不安定基を表す。
Ｒ
２
は、水素原子又は炭素数１～１２の炭化水素基を表し、２つのＲ
２
が結合してアセタール環を形成してもよく、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－、－ＮＲ
７
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、該環は、置換基を有していてもよく、該環に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－、－ＮＲ
７
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ｒ
３
は、水素原子又は置換基を有してもよい炭素数１～１８の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－、－ＮＲ
７
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、Ｗ
１
と結合して環を形成してもよく、該環は、置換基を有していてもよく、該環に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－、－ＮＲ
７
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の酸発生剤を含有するレジスト組成物を用いることにより、良好な解像度でレジストパターンを製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本明細書において、「（メタ）アクリル系モノマー」とは、「アクリル系モノマー及びメタクリル系モノマーの少なくとも１種」を意味する。「（メタ）アクリレート」及び「（メタ）アクリル酸」等の表記も同様の意味を表す。本明細書中に記載する基において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得るものについては、そのいずれでもよい。炭化水素基等に含まれる－ＣＨ
2
－が－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＳＯ－、－ＮＲ
Ｘ
－（Ｘは任意の符号）又は－ＳＯ
２
－で置き換わる場合、各基において同様の例を適用するものとし、置き換わる前の炭素数を炭化水素基等の炭素数とする。「組み合わせた基」とは、例示した基を２種以上結合させた基を意味し、それら基の価数は結合形態によって適宜変更してもよい。「由来する」又は「誘導される」とは、その分子中に含まれる重合性Ｃ＝Ｃ結合が重合により－Ｃ－Ｃ－基（単結合）となることを指す。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を含む。各基は、置換基の数等によって、その基に含まれる任意の位置及び数の水素原子が結合手に置き換わることがある。置換基における炭素数は、被置換基の炭素数には含めない。「酸不安定基」とは、酸（例えば、トリフルオロメタンスルホン酸等）と接触すると、脱離基が脱離して、親水性基（例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基等）を形成する基を意味する。「塩基不安定基」とは、塩基（例えば、トリメチルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等）と接触すると、脱離基が脱離して、親水性基（例えば、カルボキシ基又はヒドロキシ基等）を形成する基を意味する。
本明細書において、「レジスト組成物の固形分」とは、レジスト組成物の総量から、後述する溶剤（Ｅ）を除いた成分の合計を意味する。
【０００８】
〔式（Ｉ）で表される塩〕
本発明は、式（Ｉ）で表される塩（以下「塩（Ｉ）」という場合がある）に関する。
塩（Ｉ）のうち、負電荷を有する側を「アニオン（Ｉ）」、正電荷を有する側を「カチオン（Ｉ）」と称することがある。
【０００９】
＜アニオン（Ｉ）＞
式（Ｉ）において、Ｑ
１
、Ｑ
２
、Ｒ
１１
及びＲ
１２
のペルフルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ－ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ－ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。ペルフルオロアルキル基の炭素数は、好ましくは１～４であり、より好ましくは１～３である。
Ｑ
１
、Ｑ
２
、Ｒ
１１
及びＲ
１２
のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。アルキル基の炭素数は、好ましくは１～４であり、より好ましくは１～３である。
塩（Ｉ）は、例えば、フッ素原子含有の塩であることが好ましく、Ｑ
１
及びＱ
２
は、少なくとも一方に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基を含むことが好ましく、少なくとも一方が、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基であることがより好ましく、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子であることがさらに好ましく、ともにフッ素原子であることがさらにより好ましい。
Ｒ
１１
及びＲ
１２
は、それぞれ独立に、好ましくは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基であり、より好ましくは水素原子又はトリフルオロメチル基である。
ｚは、０～４のいずれかの整数であることが好ましく、０～３のいずれかの整数あることがより好ましく、０～２のいずれかの整数であることがさらに好ましく、０又は１であることがより一層好ましい。
Ｘ
1
は、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＮＲ
７
－又はこれらを組み合わせた基であることが好ましく、＊－ＣＯ－Ｏ－、＊－Ｏ－ＣＯ－、＊－Ｏ－、＊－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－、－ＮＲ
７
－、＊－ＣＯ－ＮＲ
７
－、＊－ＮＲ
７
－ＣＯ－、＊－ＮＲ
７
－ＣＯ－Ｏ－又は＊－Ｏ－ＣＯ－ＮＲ
７
－であることがより好ましく、＊－ＣＯ－Ｏ－、＊－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－又は＊－Ｏ－ＣＯ－であることがさらに好ましく、＊－ＣＯ－Ｏ－又は＊－Ｏ－ＣＯ－であることがより一層好ましい（＊はＣ（Ｒ
１１
）（Ｒ
１２
）又はＣ（Ｑ
１
）（Ｑ
２
）との結合部位を表す。）。
Ｒ
７
のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。
【００１０】
Ｌ
１
における炭化水素基としては、直鎖状又は分岐状の鎖式炭化水素基、単環式又は多環式（スピロ環、縮合環又は橋掛け環等を含む）の脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基等の環状炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち２種以上を組み合わせた基（例えば脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基と鎖式炭化水素基とから形成される炭化水素基）でもよい。Ｌ
１
における炭化水素基は、（ｍ３＋１）価の炭化水素基であり、ｍ３に応じて、２～４価の炭化水素基となり得る。鎖式炭化水素基及び脂環式炭化水素基を脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基を環状炭化水素基ともいう。炭化水素基の炭素数は、好ましくは１～３８であり、より好ましくは１～３６であり、さらに好ましくは１～３２であり、さらにより好ましくは１～２８である。
鎖式炭化水素基としては、アルカンジイル基等が挙げられ、アルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン－１，３－ジイル基、ブタン－１，４－ジイル基、ペンタン－１，５－ジイル基、ヘキサン－１，６－ジイル基、ヘプタン－１，７－ジイル基、オクタン－１，８－ジイル基、ノナン－１，９－ジイル基、デカン－１，１０－ジイル基、ウンデカン－１，１１－ジイル基、ドデカン－１，１２－ジイル基、トリデカン－１，１３－ジイル基、テトラデカン－１，１４－ジイル基、ペンタデカン－１，１５－ジイル基、ヘキサデカン－１，１６－ジイル基及びヘプタデカン－１，１７－ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基及び
エタン－１，１－ジイル基、プロパン－１，１－ジイル基、プロパン－１，２－ジイル基、プロパン－２，２－ジイル基、ペンタン－２，４－ジイル基、２－メチルプロパン－１，３－ジイル基、２－メチルプロパン－１，２－ジイル基、ペンタン－１，４－ジイル基、２－メチルブタン－１，４－ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。
鎖式炭化水素基の炭素数は、好ましくは１～１８であり、より好ましくは１～１２であり、さらに好ましくは１～１０であり、より一層好ましくは１～８であり、さらに一層好ましくは１～７であり、さらにより好ましくは１～６であり、さらにより一層好ましくは１～５であり、特に好ましくは１～４である。
単環式又は多環式の脂環式炭化水素基としては、以下の脂環式炭化水素基等が挙げられる。結合部位は任意の位置とすることができる。
TIFF
2025130049000008.tif
42
167
具体的には、シクロブタン－１，３－ジイル基、シクロペンタン－１，３－ジイル基、シクロヘキサン－１，４－ジイル基、シクロオクタン－１，５－ジイル基等の単環式シクロアルカンジイル基である単環式の２価の脂環式炭化水素基及び
ノルボルナン－１，４－ジイル基、ノルボルナン－２，５－ジイル基、アダマンタン－１，５－ジイル基、アダマンタン－２，６－ジイル基等、スピロシクロヘキサン－１，２’－シクロペンタン－ジイル基、スピロアダマンタン－２，３’－シクロペンタン－ジイル基等のシクロアルカンジイル基、ノルボルナンジイル基もしくはアダマンタンジイル基とそれぞれにスピロで結合したシクロアルカンジイル基を有するスピロ環等の多環式シクロアルカンジイル基である多環式の２価の脂環式炭化水素基が挙げられる。
脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは３～２４であり、より好ましくは３～２０であり、さらに好ましくは３～１８であり、より一層好ましくは３～１６であり、さらに一層好ましくは３～１２である。
芳香族炭化水素基としては、フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、ビフェニレン基、フェナントリレン基等のアリーレン基等の芳香族炭化水素基が挙げられる。芳香族炭化水素基の炭素数は、好ましくは６～２４であり、より好ましくは６～２０であり、さらに好ましくは６～１８であり、より一層好ましくは６～１４であり、さらに一層好ましくは６～１０である。
また、上述した基の水素原子の１つ以上を結合部位に置き換えた基等も挙げられる。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許