特許ウォッチ

公開番号2025099418
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-03
出願番号2023216064
出願日2023-12-21
発明の名称基板処理装置、基板処理方法、及び物品の製造方法
出願人キヤノン株式会社
代理人弁理士法人近島国際特許事務所
主分類B05D 3/04 20060101AFI20250626BHJP(霧化または噴霧一般;液体または他の流動性材料の表面への適用一般)
要約【課題】膜の形成に有利な技術を提供する。
【解決手段】基板に配置された、第1溶媒の液体を含む溶液を、前記第1溶媒より25℃における飽和蒸気圧が低い第2溶媒のガスを含む供給ガスに晒して、前記溶液の液物性を調整する。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
基板処理方法であって、
基板に配置された、第１溶媒の液体を含む溶液を、前記第１溶媒より２５℃における飽和蒸気圧が低い第２溶媒のガスを含む供給ガスに晒して、前記溶液の液物性を調整する工程を備える、
ことを特徴とする基板処理方法。
続きを表示（約 790 文字）【請求項２】
前記第２溶媒は、前記第１溶媒より粘度が高い、
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記第２溶媒は、前記第１溶媒より表面張力が低い、
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記供給ガスは、界面活性剤を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記第１溶媒に前記界面活性剤が添加された混合物の表面張力は、前記第１溶媒の表面張力より低い、
ことを特徴とする請求項４に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記界面活性剤は、フッ素系界面活性剤である、
ことを特徴とする請求項４に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記供給ガスは、前記第２溶媒のガスとキャリアガスとの混合ガスである、
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項８】
液状の前記第２溶媒に前記キャリアガスを送気するバブリング処理により前記混合ガスを生成する、
ことを特徴とする請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記溶液は、前記基板に含まれる凹部に供給される、
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記供給ガスは、第１供給ガスであり、
前記溶液の液物性を調整する工程において、前記基板の第１領域に配置された前記溶液を、前記第１供給ガスに晒し、かつ前記基板の第２領域に配置された前記溶液を、前記第１溶媒より２５℃における飽和蒸気圧が低い第３溶媒のガスを含む第２供給ガスに晒す、
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置、基板処理方法、及び物品の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子であるＯＬＥＤ（ＯｒｇａｎｉｃＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）を有するパネル（有機ＥＬパネル）などの物品を製造する際に、基板の上の所望の箇所に塗布装置を用いて溶液（インク）を塗布する方法が知られている。溶液を基板に塗布することで、基板の上に溶液膜が形成される。溶液で構成された溶液膜は、溶質と溶媒とを含む膜である。基板の上に塗布された溶液膜を乾燥させる乾燥処理を経て、基板の上に機能膜などの膜（層）が形成される。溶液膜の乾燥には、乾燥装置が用いられる。
【０００３】
一方、特許文献１には、溶媒としてシクロヘキサノンを含む溶液膜が基板に塗布されることが開示されている。そして、特許文献１には、溶液膜の乾燥を抑制する、即ち溶液膜に含まれる溶媒の揮発を抑制するために、溶液膜近傍の雰囲気を、溶媒蒸気としてＰＥＧＭＩＡ（プロピレングリコールメチルエーテルアセタート：Ｐｒｏｌｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒａｃｅｔａｔｅ）の蒸気で満たすことが開示されている。ＰＥＧＭＩＡの飽和蒸気圧は、５００Ｐａであり、シクロヘキサノンの飽和蒸気圧は、４５０Ｐａである。即ち、特許文献１には、溶液膜近傍の雰囲気を、溶液膜に含まれる溶媒より飽和蒸気圧が高い溶媒の蒸気で満たすことが開示されている。
【０００４】
また、特許文献２には、溶液膜近傍の雰囲気を、溶液膜に含まれる主溶媒と同じ溶媒の蒸気で満たすことが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２００６－２６４６３号公報
特開２００６－９５４２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、基板に形成される膜には、微細化が求められてきており、膜を微細化するうえで膜の厚さに高い均一性が要求されてきている。
【０００７】
本開示は、膜の形成に有利な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の第１態様は、基板処理方法であって、基板に配置された、第１溶媒の液体を含む溶液を、前記第１溶媒より２５℃における飽和蒸気圧が低い第２溶媒のガスを含む供給ガスに晒して、前記溶液の液物性を調整する工程を備える、ことを特徴とする基板処理方法である。
【０００９】
本開示の第２態様は、基板処理装置であって、第１溶媒の液体を含む溶液が配置された基板が搬送される容器と、前記第１溶媒より２５℃における飽和蒸気圧が低い第２溶媒のガスを含む供給ガスを、前記容器の内部に供給するガス供給部と、を備える、ことを特徴とする基板処理装置である。
【発明の効果】
【００１０】
本開示によれば、膜の形成に有利な技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許