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公開番号2025095925
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-26
出願番号2023212322
出願日2023-12-15
発明の名称平坦化装置、および物品製造方法
出願人キヤノン株式会社
代理人弁理士法人大塚国際特許事務所
主分類H01L 21/027 20060101AFI20250619BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】平坦化技術で剥離帯電が生じた部材の除電を行うために有利な技術を提供する。
【解決手段】平坦面を有する部材を用いて基板上の組成物を平坦化する平坦化装置は、前記部材の前記平坦面が前記基板上の前記組成物に接触している接触状態で前記組成物を硬化させる硬化処理を行う第1処理部と、前記第1処理部で前記硬化処理が行われた前記接触状態の前記基板に対し、前記基板上の前記組成物から前記部材を分離させる分離処理を行う第2処理部と、前記第1処理部で前記硬化処理が行われた前記基板を前記第2処理部に搬送する搬送機構と、を備え、前記第2処理部は、前記接触状態の前記基板の周囲における気体をイオン化させるイオン生成部を有する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
平坦面を有する部材を用いて基板上の組成物を平坦化する平坦化装置であって、
前記部材の前記平坦面が前記基板上の前記組成物に接触している接触状態で前記組成物を硬化させる硬化処理を行う第１処理部と、
前記第１処理部で前記硬化処理が行われた前記接触状態の前記基板に対し、前記基板上の前記組成物から前記部材を分離させる分離処理を行う第２処理部と、
前記第１処理部で前記硬化処理が行われた前記基板を前記第２処理部に搬送する搬送機構と、
を備え、
前記第２処理部は、前記接触状態の前記基板の周囲における気体をイオン化させるイオン生成部を有する、ことを特徴とする平坦化装置。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
前記イオン生成部は、前記搬送機構により前記第１処理部から前記第２処理部に前記基板が搬送された後に、前記接触状態の前記基板の周囲における気体のイオン化を開始する、ことを特徴とする請求項１に記載の平坦化装置。
【請求項３】
前記イオン生成部は、前記分離処理が開始する前に、前記接触状態の前記基板の周囲における気体のイオン化を開始する、ことを特徴とする請求項２に記載の平坦化装置。
【請求項４】
前記第２処理部は、前記基板上の前記組成物に接触している前記部材を保持する保持部を有し、
前記分離処理は、前記基板上の前記組成物に接触している前記部材に前記保持部を近づけることにより前記保持部に前記部材を保持させる保持動作と、前記保持動作の後、前記基板から前記保持部を遠ざけることにより前記基板上の前記組成物から前記部材を分離させる分離動作と、を含み、
前記イオン生成部は、前記保持動作が開始する前に、前記接触状態の前記基板の周囲における気体のイオン化を開始する、ことを特徴とする請求項２に記載の平坦化装置。
【請求項５】
前記第２処理部では、前記基板が処理位置に配置されている状態で前記分離処理が行われ、前記分離処理が終了した後、前記基板を前記第２処理部から搬出するための搬出位置に前記基板が配置されるように前記処理位置から前記基板を移動させ、
前記イオン生成部は、前記処理位置を挟んで前記搬出位置と反対側の位置に配置されている、ことを特徴とする請求項１に記載の平坦化装置。
【請求項６】
前記イオン生成部は、前記基板が前記搬出位置に配置されるまで気体のイオン化を継続させる、ことを特徴とする請求項５に記載の平坦化装置。
【請求項７】
前記イオン生成部は、軟Ｘ線を射出する射出部を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の平坦化装置。
【請求項８】
前記搬送機構は、前記基板を保持しながら前記第１処理部と前記第２処理部とにわたって移動可能なステージを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の平坦化装置。
【請求項９】
前記第２処理部は、前記第１処理部で前記硬化処理が行われる前に、前記部材を前記基板上の前記組成物に接触させる接触処理を更に行うように構成され、
前記搬送機構は、前記第２処理部で前記接触処理が行われた前記基板を前記第１処理部に搬送し、前記第１処理部で前記硬化処理が行われた前記基板を前記第２処理部に搬送する、ことを特徴とする請求項１に記載の平坦化装置。
【請求項１０】
前記部材を前記基板上の前記組成物に接触させる接触処理を行う第３処理部を更に備え、
前記搬送機構は、前記第３処理部で前記接触処理が行われた前記基板を前記第１処理部に搬送し、前記第１処理部で前記硬化処理が行われた前記基板を前記第２処理部に搬送する、ことを特徴とする請求項１に記載の平坦化装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、平坦化装置、および物品製造方法に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等の微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィ技術に加えて、数ナノメートルオーダーで制御された膜（構造体）を基板上に形成することができるインプリント技術が注目されている。インプリント技術は、型（部材）を用いて基板上の組成物を成形する微細加工技術である。例えば、光硬化法を用いたインプリント技術では、基板上に供給された未硬化の組成物と型とが接触している状態で当該組成物を光の照射によって硬化させ、硬化した組成物から型を分離させることにより、基板上の組成物を成形することができる。
【０００３】
また、半導体デバイス等の製造工程においては、種々のパターンが形成された基板上に平坦化膜（即ち、平坦な表面を有する膜）を形成することが求められている。このように基板上に平坦化膜を形成する一般的な平坦化技術としては、スピンコーターなどの塗布装置を用いて基板上に塗布膜を形成することが知られている。しかしながら、塗布装置を用いて塗布膜を基板上に形成する方法では、基板上の段差をナノスケール単位で制御することが困難である。そのため、近年では、インプリント技術を応用し、平坦面を有する型（部材）を用いて基板上の組成物を平坦化する平坦化技術が提案されている。インプリント技術を応用した平坦化技術では、基板上に供給された組成物と型の平坦面とを接触させた状態で当該組成物を硬化させ、硬化した組成物から型を分離させることにより、基板上の組成物を平坦化することができる。このような平坦化技術に用いられる型は、平面テンプレート或いはスーパーストレートと呼ばれることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１７－５５１１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
平坦化技術では、基板上の硬化した組成物から型を分離させることによって型が帯電する、いわゆる剥離帯電と呼ばれる現象が生じることがある。このような剥離帯電が生じると、周囲の異物（パーティクル）が型に引き寄せられて型に付着することがある。そして、型に異物が付着した状態で型と基板上の組成物とを接触させると、基板上に形成された平坦化膜に欠損が生じたり型が破損したりする可能性がある。
【０００６】
特許文献１には、凹凸パターンを有する型と基板上の組成物とを離間させた後に型と基板との間に形成される間隙に軟Ｘ線を通過させることによって型の除電を行うことが提案されている。しかしながら、平坦化技術では、一般に、基板の全域において型が組成物に接触するため、特許文献１に記載の方法のように型と基板との間隙に軟Ｘ線を通過させることは困難である。
【０００７】
そこで、本発明は、平坦化技術で剥離帯電が生じた部材の除電を行うために有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての平坦化装置は、平坦面を有する部材を用いて基板上の組成物を平坦化する平坦化装置であって、前記部材の前記平坦面が前記基板上の前記組成物に接触している接触状態で前記組成物を硬化させる硬化処理を行う第１処理部と、前記第１処理部で前記硬化処理が行われた前記接触状態の前記基板に対し、前記基板上の前記組成物から前記部材を分離させる分離処理を行う第２処理部と、前記第１処理部で前記硬化処理が行われた前記基板を前記第２処理部に搬送する搬送機構と、を備え、前記第２処理部は、前記接触状態の前記基板の周囲における気体をイオン化させるイオン生成部を有する、ことを特徴とする。
【０００９】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、例えば、平坦化技術で剥離帯電が生じた部材の除電を行うために有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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