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公開番号2025044030
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-01
出願番号2023151706
出願日2023-09-19
発明の名称半導体記憶装置および半導体記憶装置の加熱方法
出願人キオクシア株式会社
代理人弁理士法人志賀国際特許事務所
主分類H10B 80/00 20230101AFI20250325BHJP()
要約【課題】一実施形態は、製品寿命を延ばすことができる半導体記憶装置および半導体記憶装置の加熱方法を提供する。
【解決手段】一実施形態の半導体記憶装置は、基板と、封止部材と、第1メモリチップと、非信号配線とを有する。前記非信号配線は、前記封止部材の表面、前記封止部材の内部、前記基板の第1面、前記基板の内部、または前記第1メモリチップの表面のうち1つ以上に設けられ、第1方向から見た場合に前記第1メモリチップと重なる。前記非信号配線は、電力供給部に電気的に接続される第1端と、グラウンドに電気的に接続される第2端と、前記第1端と前記第2端とを接続した配線本体とを有する。前記配線本体は、前記第1方向とは交差した第2方向に延びた第1部分と、前記第1部分の端から折り返された第2部分と、前記第2部分の端から折り返された第3部分とを含む。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
半導体記憶装置であって、
第１面を有した基板と、
前記基板の厚さ方向である第１方向から見た場合に前記第１面を覆う封止部材と、
前記第１方向で前記第１面と前記封止部材との間に配置された第１メモリチップと、
前記半導体記憶装置の信号配線とは異なる非信号配線と、
を備え、
前記非信号配線は、前記封止部材の表面、前記封止部材の内部、前記基板の前記第１面、前記基板の内部、または前記第１メモリチップの表面のうち１つ以上に設けられ、前記第１方向から見た場合に前記第１メモリチップと重なり、
前記非信号配線は、電力供給部に電気的に接続される第１端と、グラウンドに電気的に接続される第２端と、前記第１端と前記第２端とを接続した配線本体とを有し、
前記配線本体は、前記第１方向とは交差した第２方向に延びた第１部分と、前記第１部分の端から前記第２方向の第１側に折り返されて前記第１部分と平行に延びた第２部分と、前記第２部分の端から前記第１側とは反対側である前記第２方向の第２側に折り返されて前記第２部分と平行に延びた第３部分とを含む、
半導体記憶装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記非信号配線は、インクジェット方式で導電材料が吹き付けられることで形成された配線である、
請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記基板は、前記第１メモリチップに供給される電流が流れる電源配線を有し、
前記非信号配線の前記第１方向の厚さは、前記電源配線の前記第１方向の厚さと比べて大きい、
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記基板は、前記第１メモリチップに供給される電流が流れる電源配線を有し、
前記非信号配線の配線幅は、前記電源配線の配線幅と比べて大きい、
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記第１メモリチップを含み、前記基板に積層された複数のメモリチップを備え、
前記非信号配線は、前記複数のメモリチップの表面とは異なる位置であって、前記封止部材の表面または前記封止部材の内部に設けられた、
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記複数のメモリチップは、前記第１方向で前記第１メモリチップと前記封止部材との間に配置された第２メモリチップを含み、
前記第１メモリチップは、前記第１方向から見た場合に、前記第２メモリチップと重なる第１領域と、前記第２メモリチップを外れた第２領域とを有し、
前記非信号配線は、前記第１方向から見た場合に、前記第１メモリチップの前記第１領域、前記第１メモリチップの前記第２領域、および前記第２メモリチップと重なる、
請求項５に記載の半導体記憶装置。
【請求項７】
前記封止部材の外部に露出され、前記第１端に電気的に接続された第１パッドと、
前記封止部材の外部に露出され、前記第２端に電気的に接続された第２パッドと、
をさらに備えた、
請求項５に記載の半導体記憶装置。
【請求項８】
前記封止部材の内部に設けられ、前記第１端と前記基板とを電気的に接続した第１電気接続部と、
前記封止部材の内部に設けられ、前記第２端と前記基板とを電気的に接続した第２電気接続部と、
をさらに備えた、
請求項５に記載の半導体記憶装置。
【請求項９】
前記第１電気接続部は、ワイヤ、ピラー、又はビアのいずれかであり、
前記第２電気接続部は、ワイヤ、ピラー、又はビアのいずれかである、
請求項８に記載の半導体記憶装置。
【請求項１０】
前記非信号配線は、前記基板の前記第１面に設けられた、
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体記憶装置および半導体記憶装置の加熱方法に関する。
続きを表示（約 2,800 文字）【背景技術】
【０００２】
基板と、基板に搭載されたメモリチップと、メモリチップを封止した封止部材とを有した半導体記憶装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特表２０１３－５０２６４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一実施形態は、製品寿命を延ばすことができる半導体記憶装置および半導体記憶装置の加熱方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一実施形態の半導体記憶装置は、基板と、封止部材と、第１メモリチップと、非信号配線とを有する。前記基板は、第１面を有する。前記封止部材は、前記基板の厚さ方向である第１方向から見た場合に前記第１面を覆う。前記第１メモリチップは、前記第１方向で前記第１面と前記封止部材との間に配置されている。前記非信号配線は、前記半導体記憶装置の信号配線とは異なる。前記非信号配線は、前記封止部材の表面、前記封止部材の内部、前記基板の前記第１面、前記基板の内部、または前記第１メモリチップの表面のうち１つ以上に設けられ、前記第１方向から見た場合に前記第１メモリチップと重なる。前記非信号配線は、電力供給部に電気的に接続される第１端と、グラウンドに電気的に接続される第２端と、前記第１端と前記第２端とを接続した配線本体とを有する。前記配線本体は、前記第１方向とは交差した第２方向に延びた第１部分と、前記第１部分の端から前記第２方向の第１側に折り返されて前記第１部分と平行に延びた第２部分と、前記第２部分の端から前記第１側とは反対側である前記第２方向の第２側に折り返されて前記第２部分と平行に延びた第３部分とを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
第１実施形態のストレージデバイスを示す平面図。
第１実施形態のＮＡＮＤパッケージを示す図。
第１実施形態のＮＡＮＤパッケージの製造方法を示す図。
第１実施形態のＮＡＮＤパッケージの再生方法を説明するための斜視図。
第１実施形態の変形例のＮＡＮＤパッケージを示す図。
第２実施形態のＮＡＮＤパッケージを示す図。
第２実施形態の第１例のＮＡＮＤパッケージを示す図。
第２実施形態の第１例のＮＡＮＤパッケージの製造方法を示す図。
第２実施形態の第２例のＮＡＮＤパッケージを示す図。
第２実施形態の第２例のＮＡＮＤパッケージの製造方法を示す図。
第２実施形態の第３例のＮＡＮＤパッケージを示す図。
第２実施形態の第３例のＮＡＮＤパッケージの製造方法を示す図。
第３実施形態のＮＡＮＤパッケージを示す図。
第３実施形態のＮＡＮＤパッケージの製造方法を示す図。
第４実施形態のＮＡＮＤパッケージを示す図。
第５実施形態のＮＡＮＤパッケージを示す図。
第５実施形態のＮＡＮＤパッケージの製造方法を示す図。
第５実施形態の第１変形例のＮＡＮＤパッケージを示す図。
第５実施形態の第２変形例のＮＡＮＤパッケージを示す図。
第５実施形態の第３変形例のＮＡＮＤパッケージを示す図。
第５実施形態の第４変形例のＮＡＮＤパッケージを示す図。
第５実施形態の第５変形例のＮＡＮＤパッケージを示す図。
第５実施形態の第６変形例のＮＡＮＤパッケージを示す図。
第５実施形態の第７変形例のＮＡＮＤパッケージを示す図。
第５実施形態の第８変形例のＮＡＮＤパッケージを示す図。
第６実施形態のＮＡＮＤパッケージを示す図。
第６実施形態のＮＡＮＤパッケージの再生方法を説明するための斜視図。
第６実施形態の変形例のＮＡＮＤパッケージを示す図。
第７実施形態のＮＡＮＤパッケージを示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施形態の半導体記憶装置および半導体記憶装置の加熱方法を、図面を参照して説明する。以下の説明では、同一または類似の機能を有する構成に同一の符号を付す。そして、それら構成の重複する説明は省略する場合がある。また、一部の図面では、構造が模式的に示される場合がある。
【０００８】
本出願で「平行」、「直交」、または「同じ」とは、それぞれ、「略平行」、「略直交」、または「略同じ」である場合を含み得る。本出願で「重なる」とは、２つの対象物の仮想的な投影像同士が重なることを意味する。すなわち「重なる」とは、２つの対象物が接する場合に限定されず、２つの対象物が接しない場合（例えば２つの対象物の間に空間または別部材が存在する場合）を含み得る。また本出願で「重なる」とは、２つの対象物の一部同士が重なる場合を含み得る。本出願で「接続」とは、機械的な接続に限定されず、電気的な接続を含み得る。すなわち「接続」とは、対象物と直接に接続される場合に限定されず、別の部材を間に介在させて対象物と接続される場合を含み得る。
【０００９】
本出願では、＋Ｘ方向、－Ｘ方向、＋Ｙ方向、－Ｙ方向、＋Ｚ方向、および－Ｚ方向は、以下のように定義される。＋Ｘ方向、－Ｘ方向、＋Ｙ方向、および－Ｙ方向は、後述する基板１１の第１面１１ａ（図１参照）と平行な方向である。＋Ｘ方向は、後述する基板１１の第２端部１１ｅ２から第１端部１１ｅ１に向かう方向である（図１参照）。－Ｘ方向は、＋Ｘ方向とは反対の方向である。＋Ｘ方向と－Ｘ方向とを区別しない場合は、単に「Ｘ方向」と称する。＋Ｙ方向および－Ｙ方向は、Ｘ方向とは交差する（例えば直交する）方向である。＋Ｙ方向は、後述する基板１１の第４端部１１ｅ４から第３端部１１ｅ３に向かう方向である（図１参照）。－Ｙ方向は、＋Ｙ方向とは反対の方向である。＋Ｙ方向と－Ｙ方向とを区別しない場合は、単に「Ｙ方向」と称する。＋Ｚ方向および－Ｚ方向は、Ｘ方向およびＹ方向とは交差する（例えば直交する）方向であり、基板１１の厚さ方向である。＋Ｚ方向は、基板１１からＮＡＮＤパッケージ１４に向かう方向である（図２参照）。－Ｚ方向は、＋Ｚ方向とは反対の方向である。＋Ｚ方向と－Ｚ方向とを区別しない場合は、単に「Ｚ方向」と称する。
【００１０】
Ｚ方向は、「第１方向」の一例である。Ｘ方向は、「第２方向」の一例である。－Ｘ方向側は、「第１側」の一例である。＋Ｘ方向側は、「第２側」の一例である。以下では、＋Ｚ方向側を「上」と称し、－Ｚ方向側を「下」と称する場合がある。ただしこれら表現は説明の便宜上のものであり、重量方向を規定するものではない。
（【００１１】以降は省略されています）

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