TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
10個以上の画像は省略されています。
公開番号2025007997
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-20
出願番号2023109799
出願日2023-07-04
発明の名称電気光学装置および電子機器
出願人セイコーエプソン株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H10K 50/852 20230101AFI20250109BHJP()
要約【課題】横および縦の方向でみたときと斜め方向でみたときとで色変化の程度を揃える。
【解決手段】電気光学装置は、発光領域Bと着色層Cf_Bと、発光領域BとY方向に隣り合って配置される発光領域G1と着色層Cf_Gと、発光領域G1とX方向に隣り合って配置される発光領域Rと着色層Cf_Rと、発光領域G1とE方向に隣り合って配置される発光領域G2と着色層Cf_Gと、を有し、着色層Cf_Bは、発光領域Bと重なる領域Baと、発光領域G1と発光領域G2との間に位置する領域Bb1と、を含み、着色層Cf_Rは、発光領域Rと重なる領域Raと、発光領域G1と発光領域G2との間に位置する領域Rb3と、を含み、領域Bb1と領域Rb3は少なくとも一部が重なる。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項1】
平面視において
第1波長域の光を出射する第1発光領域と、
前記第1波長域の光を透過させる第1着色層と、
前記第1発光領域と第1方向に隣り合って配置され、第2波長域の光を出射する第2発光領域と、
前記第2発光領域と重なるように設けられ、前記第2波長域の光を透過させる第2着色層と、
前記第2発光領域と第2方向に隣り合って配置され、第3波長域の光を出射する第3発光領域と、
前記第3発光領域と重なるように設けられ、前記第3波長域の光を透過させる第3着色層と、
前記第2発光領域と前記第1方向および前記第2方向と交差する第3方向に隣り合って配置され、前記第2波長域の光を出射する第4発光領域と、
前記第4発光領域と重なるように設けられ、前記第2波長域の光を透過させる第4着色層と、
を有し、
前記第1着色層は、
平面視において前記第1発光領域と重なる第1領域と、平面視において前記第2発光領域と前記第4発光領域との間に位置する第2領域と、を含み、
前記第3着色層は、
平面視において前記第3発光領域と重なる第3領域と、平面視において前記第2発光領域と前記第4発光領域との間に位置する第4領域と、を含み、
平面視において前記第2領域と前記第4領域は少なくとも一部が重なる
ことを特徴とする電気光学装置。
続きを表示(約 1,800 文字)【請求項2】
前記第3着色層の屈折率は、前記第1着色層の屈折率よりも高い
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
【請求項3】
前記第3波長域の光に対する前記第3着色層の屈折率は、前記第1波長域の光に対する前記第1着色層の屈折率よりも高い
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
【請求項4】
記第1波長域は、前記第2波長域および前記第3波長域よりも波長域が短い
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
【請求項5】
前記第3着色層は、前記第1着色層の表面側に設けられる
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
【請求項6】
共通電極、第1画素電極および発光層を含む第1発光素子と、
前記第1画素電極と電気的に接続される第1中継電極と、
前記共通電極、第2画素電極および前記発光層を含む第2発光素子と、
前記第2画素電極と電気的に接続される第2中継電極と、
前記共通電極、第3画素電極および前記発光層を含む第3発光素子と、
前記第3画素電極と電気的に接続される第3中継電極と、
を有し、
前記第1発光素子は、前記第1発光領域から前記第1波長域の光を出射し、
前記第2発光素子は、前記第2発光領域および前記第4発光領域から前記第2波長域の光を出射し、
前記第3発光素子は、前記第3発光領域から前記第3波長域の光を出射し、
前記第1発光領域は、前記第1画素電極と前記発光層とが接する領域であり、
前記第2発光領域および前記第4発光領域は、それぞれ前記第2画素電極と前記発光層とが接する領域であり、
前記第3発光領域は、前記第3画素電極と前記発光層とが接する領域である
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
【請求項7】
前記第2領域は、平面視において
前記第1画素電極と前記第1中継電極とが接続される第1コンタクト領域、
前記第2画素電極と前記第2中継電極とが接続される第2コンタクト領域、または、
前記第3画素電極と前記第3中継電極とが接続される第3コンタクト領域、
のいずれかと重なることを特徴とする請求項6に記載の電気光学装置。
【請求項8】
前記第1中継電極は、
第1反射電極と電気的に接続され、
断面視で前記第1反射電極と前記第1画素電極との間に設けられ、
前記第2中継電極は、
第2反射電極と電気的に接続され、
断面視で前記第2反射電極と前記第2画素電極との間に設けられ、
前記第3中継電極は、
第3反射電極と電気的に接続され、
断面視で前記第3反射電極と前記第3画素電極との間に設けられ、
前記第1発光領域において断面視で前記第1反射電極から前記共通電極までの第1距離は前記第1波長域に応じた距離であり、
前記第2発光領域において断面視で前記第2反射電極から前記共通電極までの第2距離は前記第1波長域に応じた距離であり、
前記第3発光領域において断面視で前記第3反射電極から前記共通電極までの第3距離は前記第3波長域に応じた距離であり、
第1距離<第2距離<第3距離
である、
ことを特徴とする請求項6に記載の電気光学装置。
【請求項9】
前記第1発光領域および第3発光領域は、平面視で前記第1方向および前記第2方向で隣り合わない
ことを特徴とする請求項8に記載の電気光学装置。
【請求項10】
平面視において
前記第2発光領域と前記第3方向と交差する第4方向に隣り合って配置され、前記第2波長域の光を出射する第5発光領域と、
前記第5発光領域と重なるように設けられ、前記第2波長域の光を透過させる第5着色層と、
を有し、
前記第1着色層は、
平面視において前記第2発光領域と前記第5発光領域との間に位置する第3領域を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。
続きを表示(約 2,800 文字)【背景技術】
【0002】
発光素子として例えばOLEDを用いた電気光学装置では、カラー表示を実現するために発光素子を覆う封止層の上に、所定の波長領域の光を透過する着色層、すなわちカラーフィルターが設けられる技術が知られている。なお、OLEDは、Organic Light Emitting Diodeの略である。このような電気光学装置では、複数色に対応した画素部、典型的には赤の画素部、緑の画素部、および、青の画素部によって1ドットのカラーが表現される。
【0003】
赤の画素部における発光領域、緑の画素部における発光領域、および、青の画素部における発光領域の面積は、発光効率や、視認性、発光層の寿命などを考慮して定められることが多い。
例えば特許文献1に記載された技術では、1ドットのカラーを表現するために2行2列で配列する4つ八角形の領域のうち、1つに赤の発光領域を、1つに緑の発光領域を、残りの2つに青の発光領域を、それぞれ割り当てられた構成が記載されている。具体的には、2行2列の配列のうち、対角の位置に青の発光領域の2つが割り当てられ、残りの2つに、赤の発光領域と緑の発光領域とが割り当てられる。
【0004】
このような配列において隣り合う着色層の距離が異なると、視野角によって色変化が大きくなるので、上記特許文献1に記載された技術にでは、平面視で発光領域を区分けする境界線の交点と重なる位置にコンタクト領域が設けられる。これにより、発光領域同士の間隔が均等に近づき、視野角による色変化が抑えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
特開2019-117941号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、上記特許文献1に記載された技術では、行または列の方向でみれば、視野角による色変化が抑えられるが、斜め方向では、同色の発光領域および同色の着色層が連続する。このため、上記特許文献1に記載された技術では、行(横)または列(縦)の方向でみたときと、斜め方向でみたときとで、色変化の程度が異なる、という課題がある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示の一態様に係る電気光学装置は、平面視において第1波長域の光を出射する第1発光領域と、前記第1波長域の光を透過させる第1着色層と、前記第1発光領域と第1方向に隣り合って配置され、第2波長域の光を出射する第2発光領域と、前記第2発光領域と重なるように設けられ、前記第2波長域の光を透過させる第2着色層と、前記第2発光領域と第2方向に隣り合って配置され、第3波長域の光を出射する第3発光領域と、前記第3発光領域と重なるように設けられ、前記第3波長域の光を透過させる第3着色層と、前記第2発光領域と前記第1方向および前記第2方向と交差する第3方向に隣り合って配置され、前記第2波長域の光を出射する第4発光領域と、前記第4発光領域と重なるように設けられ、前記第2波長域の光を透過させる第4着色層と、を有し、前記第1着色層は、平面視において前記第1発光領域と重なる第1領域と、平面視において前記第2発光領域と前記第4発光領域との間に位置する第2領域と、を含み、前記第3着色層は、平面視において前記第3発光領域と重なる第3領域と、平面視において前記第2発光領域と前記第4発光領域との間に位置する第4領域と、を含み、平面視において前記第2領域と前記第4領域は少なくとも一部が重なる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
電気光学装置の電機的な構成を示すブロック図である。
電気光学装置における画素部を示す回路図である。
電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。
電気光学装置における画素部の配置を示す平面図である。
電気光学装置における画素電極を示す平面図である。
電気光学装置における着色層の配置を示す平面図である。
着色層の形状を示す平面図である。
着色層の重なりを説明するための図である。
画素部における画要部断面図である。
画素部における画要部断面図である。
画素部における画要部断面図である。
画素部における画要部断面図である。
実施形態の効果を説明するための図である。
視野角特性の説明図である。
実施形態と第1参照例とにおける色変化の比較を示す図である。
第1変形例に係る画素電極の配置を示す平面図である。
第2変形例に係る画素電極の配置を示す平面図である。
第3変形例に係る画素電極の配置を示す平面図である。
第4変形例に係る着色層の形状および重なりを説明するための図である。
第5変形例における画素部の発光領域を示す平面図である。
電気光学装置を用いたヘッドマウントディスプレイを示す斜視図である。
ヘッドマウントディスプレイの光学構成を示す図である。
第1参照例に係る電気光学装置における着色層の配置を示す平面図である。
第1参照例の視野角特性の説明図である。
第2参照例に係る電気光学装置における着色層の配置を示す平面図である。
第2参照例の問題を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本発明の実施形態に係る電気光学装置について図面を参照して説明する。なお、各図において、各部の寸法および縮尺は、実際のものと適宜に異ならせてある。また、以下に述べる実施の形態は、好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
【0010】
<実施形態に係る電気光学装置>
図1は、実施形態に係る電気光学装置10を示す斜視図であり、図2は、電気光学装置10の電気的な構成を示すブロック図である。
この電気光学装置10は、例えばヘッドマウントディスプレイなどにおいてカラー画像を表示するマイクロ・ディスプレイ・パネルである。電気光学装置10は、複数の画素部や当該画素部を駆動する駆動回路などを含む。当該画素部および当該駆動回路は半導体基板に集積化される。半導体基板は、典型的にはシリコン基板であるが、他の半導体基板であってもよい。
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する
Flag Counter

関連特許

個人
集積回路
5日前
個人
低ノイズ超高速イメージセンサ
4日前
日機装株式会社
半導体発光装置
16日前
日機装株式会社
半導体発光装置
16日前
日機装株式会社
半導体発光装置
16日前
ローム株式会社
半導体装置
10日前
ソニーグループ株式会社
光検出装置
5日前
三菱電機株式会社
半導体装置
16日前
個人
スーパージャンクションMOSFET
1日前
ローム株式会社
半導体集積回路
8日前
株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
5日前
京セラ株式会社
受光モジュール
10日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光デバイス
5日前
日亜化学工業株式会社
発光素子
5日前
サンケン電気株式会社
半導体装置
8日前
日亜化学工業株式会社
発光装置の製造方法
1日前
日亜化学工業株式会社
発光素子の製造方法
5日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
8日前
住友電気工業株式会社
半導体装置の製造方法
16日前
住友電気工業株式会社
光センサ
5日前
ローム株式会社
半導体装置及び半導体回路
16日前
日本特殊陶業株式会社
圧電素子
9日前
富士電機株式会社
半導体装置
5日前
厦門普為光電科技有限公司
高光効率発光ダイオード光源
5日前
株式会社デンソー
半導体装置
5日前
株式会社デンソー
半導体装置
8日前
日本電気株式会社
量子デバイスおよびその製造方法
8日前
キオクシア株式会社
半導体装置
16日前
ミネベアパワーデバイス株式会社
半導体装置
8日前
富士電機株式会社
半導体装置
5日前
日本放送協会
磁性細線デバイス
5日前
ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体装置
2日前
株式会社デンソー
信号伝送デバイス
1日前
株式会社デンソー
信号伝送デバイス
1日前
日本電気株式会社
量子デバイス及び量子デバイス製造方法
16日前
ローム株式会社
半導体基板及びその製造方法
5日前
続きを見る