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公開番号2024155590
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-31
出願番号2023070433
出願日2023-04-21
発明の名称発光装置
出願人キヤノン株式会社
代理人弁理士法人大塚国際特許事務所
主分類H01S 5/042 20060101AFI20241024BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】
複数個の発光素子が配置された発光部を複数有する発光装置を駆動して発光させるのに有利な技術を提供する。
【解決手段】
第一発光部及び第二発光部と、前記第一発光部を駆動するための第一駆動配線及び前記第二発光部を駆動するための第二駆動配線とが設けられ、前記第一発光部と前記第二発光部には化合物半導体のメサ構造を有する複数の発光素子が配置されている。前記第一駆動配線は前記第一発光部の前記化合物半導体のメサ構造の上面に電気的に接触し、前記第二駆動配線は前記第二発光部の前記化合物半導体のメサ構造の上面に電気的に接触する。前記第一駆動配線は前記第二発光部の前記化合物半導体のメサ構造の上面の上に延び、前記第二発光部の前記化合物半導体のメサ構造の上面と前記第一駆動配線との間には絶縁膜が配置されて電気的に絶縁されている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第一発光部及び第二発光部と、前記第一発光部を駆動するための第一駆動配線及び前記第二発光部を駆動するための第二駆動配線と、が設けられた発光装置であって、
前記第一発光部と前記第二発光部には化合物半導体のメサ構造を有する複数の発光素子が配置され、
前記第一駆動配線は前記第一発光部の前記化合物半導体のメサ構造の上面に電気的に接触し、前記第二駆動配線は前記第二発光部の前記化合物半導体のメサ構造の上面に電気的に接触しており、
前記第一駆動配線は前記第二発光部の前記化合物半導体のメサ構造の上面の上に延び、前記第二発光部の前記化合物半導体のメサ構造の上面と前記第一駆動配線との間には絶縁膜が配置されて電気的に絶縁されていることを特徴とする発光装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
第一発光部及び第二発光部と、前記第一発光部を駆動するための第一駆動配線及び前記第二発光部を駆動するための第二駆動配線と、が設けられた発光装置であって、
前記第一発光部と前記第二発光部には化合物半導体のメサ構造を有する複数の発光素子が配置され、
前記メサ構造を構成する化合物半導体のメサ構造の上面には透明導電膜が配置されており、
前記第一駆動配線は前記第一発光部の前記透明導電膜に電気的に接触し、前記第二駆動配線は前記第二発光部の前記透明導電膜に電気的に接触しており、
前記第一駆動配線は前記第二発光部の前記透明導電膜の上に延び、前記第二発光部の前記透明導電膜と前記第一駆動配線との間には絶縁膜が配置されて電気的に絶縁されていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
前記第一発光部と前記第二発光部との間に透明導電膜が配置されていない発光部があることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記透明導電膜は酸化インジウム錫（ＩＴＯ）であることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第一発光部は、前記第一駆動配線で一部が囲まれた複数の光射出口を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第一発光部は、前記第一駆動配線で囲まれた複数の光射出口を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第一駆動配線及び前記第二駆動配線は、前記絶縁膜により互いに絶縁されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記第一駆動配線は前記第一発光部と前記第二発光部との間にわたって配置されている請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項９】
前記第一駆動配線と前記第二駆動配線とは、前記複数の発光素子がそれぞれ配置されている間隔の四分の一以下の距離だけ離間していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記距離は１０μｍ以下であることを特徴とする請求項９に記載の発光装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
発光装置、特に面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：ＶｅｒｔｉｃａｌＣａｖｉｔｙｓｕｒｆａｃｅＥｍｉｔｔｉｎｇＬａｓｅｒ）を二次元に配置したＶＣＳＥＬアレイ素子がある。ＶＣＳＥＬアレイ素子は、ＬｉＤＡＲ（ＬｉｇｈｔＤｅｔｅｃｔｉｏｎａｎｄＲａｎｇｉｎｇ）や３Ｄ（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）センサーなどの光源として開発が進められている。特に、測距の性能向上（感度、分解能、測距レンジ拡大など）のためにＶＣＳＥＬアレイ素子の高出力化が求められている。また素子の小型化も求められている。そのためには発光径の広いＶＣＳＥＬを高密度（狭ピッチ）に配置するとよい。
【０００３】
ＬｉＤＡＲ用光源としてＶＣＳＥＬアレイ素子を適用したものには、二次元にＶＣＳＥＬ素子を配置し、アレイを構成する全てのＶＣＳＥＬを一括発光させ一度に広いエリアの測距を行うフラッシュ方式がある。また、アレイをそれぞれが複数個の発光素子を有した複数の発光部に分け、複数の発光部をそれぞれ順番に発光させるシーケンシャルフラッシュ方式がある。例えば、シーケンシャルフラッシュ用光源としてＶＣＳＥＬアレイ素子を、それぞれが複数個の発光素子を持つ１０の発光部に分割する。１つの発光部の光パワー密度をＶＣＳＥＬアレイ素子全体の光パワー密度と等しくすることができれば測距性能が向上する。特許文献１には、電極を基板の短辺に配置することにより発光装置のサイズを小さくすることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２２―１６５８０５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
複数個の発光素子が配置された発光部をそれぞれ個別に発光させるためには、各発光部を発光させる駆動配線が必要である。しかし、発光部において駆動用配線を敷設するスペースは限られている。また複数個の発光素子を持つ発光部を発光させるために高い電流注入値が必要である。しかし、駆動配線のエレクトロマイグレーションによる断線を回避するためには、配線の幅をできるだけ拡げ、限界電流密度を増す必要がある。
【０００６】
本発明は、複数個の発光素子が配置された発光部を複数有する発光装置を駆動して発光させるのに有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題に鑑みて、本発明の一態様に係る発光装置は、第一発光部及び第二発光部と、前記第一発光部を駆動するための第一駆動配線及び前記第二発光部を駆動するための第二駆動配線と、が設けられた発光装置であって、前記第一発光部と前記第二発光部には化合物半導体のメサ構造を有する複数の発光素子が配置され、前記第一駆動配線は前記第一発光部の前記化合物半導体のメサ構造の上面に電気的に接触し、前記第二駆動配線は前記第二発光部の前記化合物半導体のメサ構造の上面に電気的に接触しており、前記第一駆動配線は前記第二発光部の前記化合物半導体のメサ構造の上面の上に延び、前記第二発光部の前記化合物半導体のメサ構造の上面と前記第一駆動配線との間には絶縁膜が配置されて電気的に絶縁されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、複数個の発光素子が配置された発光部を複数有する発光装置を駆動して発光させるのに有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
実施形態１に係る発光装置の構成を説明する平面模式図。
実施形態１に係る発光装置の構成を説明するＡ―Ａ‘断面模式図。
実施形態１に係る発光装置の構成を説明するＢ―Ｂ‘断面模式図。
実施形態１に係る発光装置の製法を説明する平面模式図。
実施形態２に係る発光装置の構成を説明する断面模式図。
実施形態２に係る発光装置の構成を説明する平面模式図。
実施形態３に係る発光装置の構成を説明する平面模式図。
実施形態３に係る発光装置の構成を説明するＡ―Ａ‘断面模式図。
実施形態３に係る発光装置の構成を説明する平面模式図。
実施形態３に係る発光装置の構成を説明する平面模式図。
実施形態４に係る発光装置の構成を説明する平面模式図。
実施形態４に係る発光装置の構成を説明する平面模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
（【００１１】以降は省略されています）

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