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公開番号2025170293
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-18
出願番号2025134708,2022530731
出願日2025-08-13,2020-11-22
発明の名称弾性波デバイスにおけるエネルギー封じ込み
出願人国立大学法人東北大学,スカイワークスソリューションズ,インコーポレイテッド,SKYWORKS SOLUTIONS,INC.
代理人個人,個人,個人
主分類H03H 9/145 20060101AFI20251111BHJP(基本電子回路)
要約【課題】弾性波デバイス及びその作製方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波(SAW)共振器100は、水晶基板112と、LiTaO₃又はLiNbO₃から形成されて当該水晶基板の上に配置される圧電層104と、当該圧電層の上に形成されるインターディジタルトランスデューサ(IDT)電極102と、を含む。弾性表面波デバイスはさらに、圧電膜の上に実装される接合層123と、キャップ層124とを含む。キャップ層は、接合層の上に形成されることにより、伝搬波のエネルギーを実質的に当該キャップ層の下方に閉じ込める。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
弾性表面波デバイスであって、
水晶基板と、
ＬｉＴａＯ
３
又はＬｉＮｂＯ
３
から形成されて前記水晶基板の上に配置される圧電膜と、
前記圧電膜の上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極と、
前記圧電膜の上に実装される接合層と、
キャップ層と
を含み、
前記キャップ層は、前記接合層の上に形成されることにより、伝搬波のエネルギーを実質
的に前記キャップ層の下方に閉じ込める、弾性表面波デバイス。
続きを表示（約 730 文字）【請求項２】
前記接合層はＳｉＯ
２
から形成される、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記キャップ層はＳｉから形成される、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記インターディジタルトランスデューサ電極は前記圧電膜の上面に直接形成され、
前記キャップ層の下面が前記接合層の上面に直接接触する、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記接合層は前記インターディジタルトランスデューサ電極を封止する、請求項４の弾性
波デバイス。
【請求項６】
前記インターディジタルトランスデューサ電極ｉの上方の容積が、前記圧電膜の上面と前
記キャップ層の下面とによって画定されるキャビティを含み、
前記インターディジタルトランスデューサ電極は前記キャビティに露出される、請求項４
の弾性波デバイス
【請求項７】
前記キャビティはさらに、横方向が側壁によって画定される、請求項６の弾性波デバイス
。
【請求項８】
前記側壁は、前記接合層の周縁部分によって形成される、請求項７の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記側壁は、前記接合層の中に少なくとも部分的に埋め込まれる壁構造物によって形成さ
れる、請求項７の弾性波デバイス。
【請求項１０】
前記壁構造物は、ＳｉＮが充填された一以上のトレンチを含み、
前記一以上のトレンチは前記キャビティを部分的に又は完全に取り囲む、請求項９の弾性
波デバイス。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本願は、２０１９年１１月２７日に出願された「弾性波デバイスにおけるエネルギー封
じ込み」との名称の米国仮出願第６２／９４１，６８３号の優先権を主張し、その開示は
、全体が参照によりここに明示的に組み込まれる。
続きを表示（約 1,400 文字）【０００２】
本開示は、弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスのような弾性波デバイスに関する。
【背景技術】
【０００３】
弾性表面波（ＳＡＷ）共振器は典型的に、圧電層の表面に実装されるインターディジタ
ルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極を含む。かかる電極は、２つの噛み合いセットの指を
含み、かかる構成において、同じセットの２つの隣接指間の距離は、ＩＤＴ電極によりサ
ポートされる弾性表面波の波長λと近似的に同じである。
【０００４】
多くのアプリケーションにおいて、上記ＳＡＷ共振器は、波長λに基づいて無線周波数
（ＲＦ）フィルタとして利用することができる。かかるフィルタは、一定数の所望の特徴
を与え得る。
【発明の概要】
【０００５】
一定数の実装例によれば、本開示は、水晶基板と、ＬｉＴａＯ
３
又はＬｉＮｂＯ
３
から
形成されて当該水晶基板の上に配置される圧電膜とを含む弾性表面波デバイスに関する。
弾性表面波デバイスはさらに、圧電膜の上に形成されるインターディジタルトランスデュ
ーサ電極と、当該圧電膜の上に実装される接合層とを含む。弾性表面波デバイスはさらに
キャップ層を含み、当該キャップ層は、接合層の上に形成されることにより、伝搬波のエ
ネルギーを実質的に当該キャップ層の下方に閉じ込める。
【０００６】
いくつかの実施形態において、接合層はＳｉＯ
２
から形成されてよい。いくつかの実施
形態において、キャップ層はＳｉから形成されてよい。
【０００７】
いくつかの実施形態において、インターディジタルトランスデューサ電極は、圧電膜の
上面に直接形成されてよく、キャップ層の下面が接合層の上面に直接接触してよい。いく
つかの実施形態において、接合層は、インターディジタルトランスデューサ電極を封止す
ることができる。いくつかの実施形態において、インターディジタルトランスデューサ電
極の上方の容積が、圧電膜の上面とキャップ層の下面とによって画定されるキャビティを
含み得る。これにより、インターディジタルトランスデューサ電極がキャビティに露出さ
れる。
【０００８】
いくつかの実施形態において、キャビティはさらに、側壁によって横方向が画定される
。いくつかの実施形態において、側壁は、接合層の周縁部分によって形成されてよい。い
くつかの実施形態において、側壁は、接合層の中に少なくとも部分的に埋め込まれる壁構
造物によって形成されてよい。
【０００９】
いくつかの実施形態において、壁構造物は、ＳｉＮが充填される一以上のトレンチを含
み、当該一以上のトレンチは、キャビティを部分的又は完全に取り囲み得る。いくつかの
実施形態において、一以上のトレンチは、実質的にキャビティを取り囲む単数のトレンチ
を含み得る。
【００１０】
いくつかの実施形態において、キャップ層は、キャビティの形成からもたらされる一以
上の開口を画定してよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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