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公開番号2025154759
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-10
出願番号2024057938
出願日2024-03-29
発明の名称保護膜形成用複合シート及び半導体装置の製造方法
出願人リンテック株式会社
代理人弁理士法人大谷特許事務所
主分類H01L 21/60 20060101AFI20251002BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】保護膜形成層のバンプ貫通性及びバンプ埋め込み性を両立した保護膜形成用複合シート、及び当該保護膜形成用複合シートを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】バンプが形成されているバンプ付き部材のバンプ形成面に保護膜を形成するための保護膜形成用複合シートであって、緩衝層と保護膜形成層との積層構造を有し、前記緩衝層の80℃における貯蔵弾性率(G’)が0.08MPa以上であり、かつ、前記緩衝層の80℃における損失正接(tanδ)が1.02以上である、保護膜形成用複合シートとした。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
バンプが形成されているバンプ付き部材のバンプ形成面に保護膜を形成するための保護膜形成用複合シートであって、
緩衝層と保護膜形成層との積層構造を有し、
前記緩衝層の８０℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）が０．０８ＭＰａ以上であり、かつ、
前記緩衝層の８０℃における損失正接（ｔａｎδ）が１．０２以上である、保護膜形成用複合シート。
続きを表示（約 270 文字）【請求項２】
前記積層構造が、さらに基材を有し、
前記積層構造の前記緩衝層側に前記基材が積層されている、請求項１に記載の保護膜形成用複合シート。
【請求項３】
前記積層構造が、さらに中間剥離層を有し、
前記緩衝層と前記保護膜形成層との間に前記中間剥離層を有する、請求項１又は２に記載の保護膜形成用複合シート。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の保護膜形成用複合シートを用いて、バンプが形成されているバンプ付き部材のバンプ形成面に保護膜を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、保護膜形成用複合シート及び半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、及び薄型化に伴い、半導体パッケージの薄型化、及び小型化に対する要求も高まっている。そのため、半導体素子の実装方式として、金属ワイヤを用いて接続する従来のワイヤーボンディング方式に代えて、チップの電極上にバンプと呼ばれる突起電極を形成し、基板の電極とチップの電極とをバンプを介して直接接続するフリップチップ接続方式の実装方法が提案されている。
このようなフリップチップ接続方式の実装方法では、様々な目的に応じて、バンプ付きウエハ、及びバンプ付きチップなどのバンプを覆うように樹脂層が設けられる。このような樹脂層としては、例えば、バンプ付きウエハ及びバンプ付きチップ等のバンプ付き部材を保護するための保護層が挙げられる。
【０００３】
しかしながら、樹脂層がバンプを覆っている場合には、バンプ上の樹脂層を機械的に押しのけて、バンプと基板の電極との電気的な接続を確保しなければならない。そのため、バンプ付きチップと基板との接続信頼性の点で問題があった。また、リフロー処理により、バンプ付きチップと基板とを接続する場合には、バンプに由来する溶融はんだが樹脂層に覆われているため、セルフアライメント効果（チップ及び基板の電極同士の位置合わせ精度が悪く、ずれを生じていてもリフロー時に正常な位置へ自動的に補正される現象）が得られないという問題があった。
【０００４】
上記のような問題を解決するために、例えば、バンプが形成されているバンプ付き部材のバンプ形成面に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層にプラズマ処理を施して、前記バンプの表面を覆っている前記樹脂層を除去する工程と、を備えた方法が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
国際公開第２０１６／１９４４３１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、プラズマ処理を行うために真空装置や各種ガスが必要となる。
そこで、本発明者らは、緩衝層と保護膜形成層との積層構造を有する保護膜形成用複合シートを用い、これをバンプ付きウエハに貼付する際に、バンプが保護膜形成層を良好に貫通するようにして、バンプ頭頂部に保護膜形成層由来の樹脂残渣等が付着するのを抑制することで、プラズマ処理等の特殊な処理を行うことなく、バンプ付きチップと基板との接続信頼性を確保することについて検討した。
ところが、保護膜形成層のバンプ貫通性を確保しようとすると、保護膜形成層のバンプ基底部周囲への侵入性（以下、「バンプ埋め込み性」ともいう）を確保することが困難であることがわかった。
【０００７】
そこで、本発明は、保護膜形成層のバンプ貫通性及びバンプ埋め込み性を両立した保護膜形成用複合シート、及び当該保護膜形成用複合シートを用いた半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、下記［１］～［４］が提供される。
［１］バンプが形成されているバンプ付き部材のバンプ形成面に保護膜を形成するための保護膜形成用複合シートであって、
緩衝層と保護膜形成層との積層構造を有し、
前記緩衝層の８０℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）が０．０８ＭＰａ以上であり、かつ、
前記緩衝層の８０℃における損失正接（ｔａｎδ）が１．０２以上である、保護膜形成用複合シート。
［２］前記積層構造が、さらに基材を有し、
前記積層構造の前記緩衝層側に前記基材が積層されている、上記［１］に記載の保護膜形成用複合シート。
［３］前記積層構造が、さらに中間剥離層を有し、
前記緩衝層と前記保護膜形成層との間に前記中間剥離層を有する、上記［１］又は［２］に記載の保護膜形成用複合シート。
［４］上記［１］～［３］のいずれか１つに記載の保護膜形成用複合シートを用いて、バンプが形成されているバンプ付き部材のバンプ形成面に保護膜を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、保護膜形成層のバンプ貫通性及びバンプ埋め込み性を両立した保護膜形成用複合シート、及び当該保護膜形成用複合シートを用いた半導体装置の製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
本実施形態の保護膜形成用複合シートの第１の態様を示す模式的断面図である。
本実施形態の保護膜形成用複合シートの第２の態様を示す模式的断面図である。
本実施形態の保護膜形成用複合シートの第３の態様を示す模式的断面図である。
本実施形態の保護膜形成用複合シートの第４の態様を示す模式的断面図である。
本実施形態の半導体装置の製造方法の一部を示す模式的断面図である。
本実施形態の半導体装置の製造方法の一部を示す模式的断面図である。
本実施形態の半導体装置の製造方法の一部を示す模式的断面図である。
本実施形態の半導体装置の製造方法の一部を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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