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公開番号
2025138007
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-09-25
出願番号
2024036617
出願日
2024-03-11
発明の名称
シリコンクラスレートIIの製造方法
出願人
トヨタ自動車株式会社
代理人
個人
,
個人
,
個人
主分類
C01B
33/06 20060101AFI20250917BHJP(無機化学)
要約
【課題】不純物の生成を低減することができるシリコンクラスレートIIの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンクラスレートIIの製造方法であって、平均粒径が35~75μmのAlF
3
粒子を準備する工程と、V型混錬機を用いて、NaSi粒子と前記AlF
3
粒子とを混合し、混合物を得る工程と、前記混合物を焼成する工程と、を含むことを特徴とする、シリコンクラスレートIIの製造方法。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
シリコンクラスレートIIの製造方法であって、
平均粒径が35~75μmのAlF
3
粒子を準備する工程と、
V型混錬機を用いて、NaSi粒子と前記AlF
3
粒子とを混合し、混合物を得る工程と、
前記混合物を焼成する工程と、を含むことを特徴とする、シリコンクラスレートIIの製造方法。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本開示は、シリコンクラスレートIIの製造方法に関する。
続きを表示(約 1,700 文字)
【背景技術】
【0002】
Siによって形成された多面体の空間の中に他の金属を包接するシリコンクラスレートなる化合物が知られている。特許文献1では、カッターミルを用いて、NaSiとNaトラップ剤とを混合してシリコンクラスレートIIを製造する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2022-034998号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
シリコンクラスレートIIは、NaSi粒子とAlF
3
粒子を混合後に焼成することで得られる。カッターミルタイプの混合機では、混合と同時にAlF
3
粒子の解砕が進行するため、焼成時にはNaSi粒子と微粒化したAlF
3
粒子間で過剰に反応が進んでしまう。その結果、反応熱による温度上昇の影響で不純物のシリコンクラスレートIや結晶シリコンが生成する。また、円筒容器回転タイプの混合機を用いることも考えられるが、このタイプは混合されにくく粉同士が凝集してしまうため、NaSiとAlF
3
の接触界面が少ない。その結果、焼成工程で反応しきれなかったAlF
3
が残存する。上記いずれのタイプでも、所望のシリコンクラスレートII以外に不純物が生成する。
【0005】
本開示は、上記実情に鑑みてなされたものであり、不純物の生成を低減することができるシリコンクラスレートIIの製造方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
すなわち、本開示には、以下の態様が含まれる。
<1> シリコンクラスレートIIの製造方法であって、
平均粒径が35~75μmのAlF
3
粒子を準備する工程と、
V型混錬機を用いて、NaSi粒子と前記AlF
3
粒子とを混合し、混合物を得る工程と、
前記混合物を焼成する工程と、を含むことを特徴とする、シリコンクラスレートIIの製造方法。
【発明の効果】
【0007】
本開示のシリコンクラスレートIIの製造方法は、不純物の生成を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
図1は、実施例1で得られた生成物のXRD測定結果を示すスペクトル図である。
図2は、比較例1で得られた生成物のXRD測定結果を示すスペクトル図である。
図3は、比較例2で得られた生成物のXRD測定結果を示すスペクトル図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本開示による実施の形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本開示の実施に必要な事柄(例えば、本開示を特徴付けないシリコンクラスレートIIの一般的な構成および製造プロセス)は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本開示は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。
本開示において、粒子の平均粒径は、特記しない限り、レーザー回折・散乱式粒子径分布測定により測定される体積基準の粒度分布における積算値50%での粒子径であるメディアン径(D50)の値である。
【0010】
本開示においては、シリコンクラスレートIIの製造方法であって、
平均粒径が35~75μmのAlF
3
粒子を準備する工程と、
V型混錬機を用いて、NaSi粒子と前記AlF
3
粒子とを混合し、混合物を得る工程と、
前記混合物を焼成する工程と、を含むことを特徴とする、シリコンクラスレートIIの製造方法を提供する。
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPat(特許庁公式サイト)で参照する
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