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公開番号2025134234
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-17
出願番号2024032008
出願日2024-03-04
発明の名称マスクブランクス及びフォトマスク
出願人アルバック成膜株式会社
代理人個人,個人
主分類G03F 1/48 20120101AFI20250909BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】純水が付着した場合であっても反射率の変動が小さく、エッチング特性にも優れたマスクブランクス及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板11と、透明基板11上に配置され、NiおよびTiを含有する遮光層12と、遮光層12の上に配置され、Ni、Ti及びOを含有する反射防止層13と、反射防止層13の上に配置され、NiおよびTiを含有する耐水層14と、を備えるマスクブランクスを採用する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板上に配置され、ＮｉおよびＴｉを含有する遮光層と、
前記遮光層の上に配置され、Ｎｉ、Ｔｉ、及びＯを含有する反射防止層と、
前記反射防止層の上に配置され、ＮｉおよびＴｉを含有する耐水層と、
を備えるマスクブランクス。
続きを表示（約 770 文字）【請求項２】
前記耐水層の厚みが、５．０ｎｍ以上である、請求項１に記載のマスクブランクス。
【請求項３】
前記耐水層に含まれるＮｉとＴｉの合計量を１００原子％とした場合に、Ｎｉ：８９．５～９６．０原子％、Ｔｉ：４．０～１０．５原子％の範囲である、請求項１に記載のマスクブランクス。
【請求項４】
前記反射防止層におけるＮｉとＴｉとＯの合計量を１００原子％とした場合に、Ｏの含有量が３８．１～７２．２原子％の範囲である、請求項１に記載のマスクブランクス。
【請求項５】
波長４３６ｎｍの光に対する反射率が５．０～２５．０％の範囲である、請求項１に記載のマスクブランクス。
【請求項６】
透明基板と、
透明基板上に配置され、ＮｉおよびＴｉを含有する遮光層と、
前記遮光層の上に配置され、Ｎｉ、Ｔｉ、及びＯを含有する反射防止層と、
前記反射防止層の上に配置され、ＮｉおよびＴｉを含有する耐水層と、
を備えるフォトマスク。
【請求項７】
前記耐水層の厚みが、５．０ｎｍ以上である、請求項６に記載のフォトマスク。
【請求項８】
前記耐水層に含まれるＮｉとＴｉの合計量を１００原子％とした場合に、Ｎｉ：８９．５～９６．０原子％、Ｔｉ：４．０～１０．５原子％の範囲である、請求項６に記載のフォトマスク。
【請求項９】
前記反射防止層におけるＮｉとＴｉとＯの合計量を１００原子％とした場合に、Ｏの含有量が３８．１～７２．２原子％の範囲である、請求項６に記載のフォトマスク。
【請求項１０】
波長４３６ｎｍの光に対する反射率が５．０～２５．０％の範囲である、請求項６に記載のフォトマスク。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明はマスクブランクス及びフォトマスクに関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
ＦＰＤ（flat panel display，フラットパネルディスプレイ）や、半導体デバイス製造等におけるフォトリソグラフィ工程で用いられるフォトマスクを形成するため、フォトマスクブランクス（マスクブランクス）が利用されている。マスクブランクスは、ガラス基板等の透明基板の一方の主面に、マスク層を積層したものからなる。
【０００３】
マスクブランクスの製造では、透明基板上に、遮光層等、所定の光学特性を有するマスク層である膜を形成する。このマスク層は、単層または複数が積層されていてもよい。マスク層上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、マスク層を選択的にエッチング除去して、所定のマスクパターンを形成することでフォトマスクが製造される。
【０００４】
遮光層や反射防止層などのマスク層を備えたマスクブランクスは、優れた光学特性、例えば遮光性や光学反射特性が要求されている。このため、従来技術では、マスクブランクスには、Ｃｒ金属又はＣｒの酸化物、窒化物等のＣｒ酸化物からなる薄膜が用いられている。また、近年では、Ｃｒの金属やその化合物の優れた光学特性を利用した二層膜構成等が使用されており、これらにより優れた低反射性をも兼備するごとが可能となっている。
【０００５】
ところが、Ｃｒ金属やその化合物から成るマスクブランクスは、パターン形成工程等のエッチングエ程において、Ｃｒを含有する廃棄物が生ずる。この廃棄物中に６価のＣｒが含まれる場合、６価のＣｒは有害であり、環境負荷が高いため、廃棄物の取り扱い及び保管に厳重な注意が必要となるだけでなく、廃棄物の処理には多大な費用が掛かる。
【０００６】
このため、Ｃｒを含まないマスクブランクスが従来数多く提案されている。例えば、特許文献１には、ＮｉとＭｏとＴｉを金属成分の主成分とする反射防止層と、ＮｉとＭｏとＴｉを金属成分の主成分とする遮光層を備えたマスクブランクスが記載されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
特開２００６－１６２９４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、マスク層として反射防止層と遮光層が積層されてなる従来のマスクブランクスでは、マスク層の表面に純水が付着した場合、マスク層の光反射率が変動する場合がある。これは、いわゆるウエットプロセスの前後において、マスク層の反射率が変化してしまうことを意味する。この場合、半導体製造プロセスにおける製造条件の管理に重大な影響を及ぼすおそれがある。
【０００９】
純水の付着による反射率の変化を軽減するために、マスク層に耐水層を積層することが考えられる。しかし、耐水層を積層する場合、マスク層全体の反射率やエッチング特性への影響が懸念される。
【００１０】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、純水が付着した場合であっても反射率の変動が小さく、エッチング特性にも優れたマスクブランクス及びフォトマスクを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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