特許ウォッチ

公開番号2025128011
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-02
出願番号2024218638
出願日2024-12-13
発明の名称感光チップ、その製造方法、及び感光モジュール
出願人台亞半導體股フン有限公司,Taiwan-Asia Semiconductor Corporation
代理人個人
主分類H10F 30/21 20250101AFI20250826BHJP()
要約【課題】本発明は感光チップ、その製造方法、及び感光モジュールに関する。特に、感光面積を増加させ、生産が容易な感光チップ、その製造方法、及び感光モジュールに関する。
【解決手段】感光チップは、等脚台形本体、正電極、及び負電極を備える。前記等脚台形本体は、N型半導体層及びP型半導体層を有する。P型半導体層はN型半導体層に隣接して設置される。正電極はP型半導体層に電気的に接続される。負電極はN型半導体層に電気的に接続される。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項１】
感光チップであって、
Ｎ型半導体層、及び前記Ｎ型半導体層に隣接して設置されるＰ型半導体層を有する等脚台形本体と、
前記Ｐ型半導体層に電気的に接続される正電極と、
前記Ｎ型半導体層に電気的に接続される負電極と、を備える、感光チップ。
続きを表示（約 670 文字）【請求項２】
前記等脚台形本体の非平行な２辺と、平行な２辺のうちの長辺とは角度をなしており、前記角度は５０°から７０°であることを特徴とする請求項１に記載の感光チップ。
【請求項３】
前記角度は６０°であることを特徴とする請求項２に記載の感光チップ。
【請求項４】
前記等脚台形本体の高さは、前記平行な２辺のうちの短辺の０.８７倍から５.２２倍であることを特徴とする請求項１に記載の感光チップ。
【請求項５】
前記等脚台形本体の高さは、前記平行な２辺のうちの短辺の１.４４倍であることを特徴とする請求項４に記載の感光チップ。
【請求項６】
前記感光チップはシリコンベースの感光チップであることを特徴とする請求項１に記載の感光チップ。
【請求項７】
前記感光チップは感光ダイオードまたは感光トランジスタであることを特徴とする請求項１に記載の感光チップ。
【請求項８】
前記正電極と前記負電極は前記等脚台形本体の二つの対向する側面に位置することを特徴とする請求項１に記載の感光チップ。
【請求項９】
前記正電極と前記負電極は前記等脚台形本体の同一側面に位置することを特徴とする請求項１に記載の感光チップ。
【請求項１０】
前記Ｐ型半導体層は前記Ｎ型半導体層の上に設置される、または前記Ｎ型半導体層は前記Ｐ型半導体層の上に設置されることを特徴とする請求項１に記載の感光チップ。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、感光チップ、その製造方法、及び感光モジュールに関する。特に、感光面積を増加させ、生産が容易な感光チップ、その製造方法、及び感光モジュールに関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
感光チップ（ＰｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｅＣｈｉｐ）は、光電変換素子である。光が感光チップに照射されると、感光チップは対応して電流または電圧の変化を生じる。感光チップは、光通信、光電探測、自動輝度調節、分光分析、光感応回路、光検出器、カメラなど、さまざまな光学機器で広く使用されている。これらのチップは通常、光の強度を検出し、スペクトルを測定し、または光信号を検出するために使用される。
【０００３】
感光チップの性能は、材料、構造、製造プロセス、及びスペクトル特性を含む多くの要因に影響される。図１は、ウェアラブルデバイスに適用される感光モジュール１０を示している。この感光モジュール１０は、６つの正六角形の感光チップ２０が環状に配置されて構成されている。隣接するチップ間には適切な工学的距離が設けられている。これにより、感光チップ２０はウェアラブルデバイス内の回路基板３０上に最大面積で配置される。この従来の感光モジュール１０の発光チップ４０は、主に上方に光を発する。光が被検物表面で拡散反射され、感光チップ２０に戻り、感光チップ２０で吸収されて電子信号に変換される。この従来の発光感光モジュールは、スマートウォッチなどに適用され、ユーザーにリアルタイムの生理信号を提供することができる。
【０００４】
図２は、従来の技術において六角形の外形を持つ感光チップ２０がウェハ５０上に配置されたレイアウトを示している。感光チップの外形が多角形であるため、長い直線に連結することができない。したがって、チップの成長プロセスが完了した後、従来の低コストのダイシングソー（ＤｉｃｉｎｇＳａｗ）で切断できず、または、レーザー光で線を描いた後、従来の切断プロセスでウェハを切断することができない。代わりに、プラズマエッチング（Ｐｌａｓｍａ
Ｅｔｃｈｉｎｇ）プロセスで切断する必要がある。しかし、プラズマエッチングで厚さ１００から３００マイクロメートル（μｍ）のウェハを処理すると、プラズマプロセスは高コストで時間がかかり、製品の歩留まりが低いという欠点がある。これらの欠点は早急に改善する必要がある。
【発明の概要】
【０００５】
本発明の主な目的は、革新的な感光チップ、その製造方法、及び感光モジュールを提供することにある。この感光チップは、等脚台形本体の構造特性を有し、従来のウェハを切断する直線切断プロセスに適用することができる。これにより、従来のプロセスの長い時間と大量のエッチング材料を必要とするプラズマエッチングプロセスに代わることができる。なお、感光チップを応用した感光モジュールは、より大きな受光面積を有し、電力を節約することができる。また、需要に応じて面積を調整できる設計の柔軟性などの利点を有する。特に、スマートウェアラブルデバイスの応用に有利である。
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明は、等脚台形本体、正電極、及び負電極を備える感光チップを提供する。等脚台形本体は、Ｎ型半導体層及びＰ型半導体層を有する。Ｐ型半導体層はＮ型半導体層に隣接して設置される。正電極はＰ型半導体層に電気的に接続される。負電極はＮ型半導体層に電気的に接続される。
【０００７】
本発明の実施形態では、感光チップにおいて、等脚台形本体の非平行な２辺と、平行な２辺のうちの長辺とは角度をなしている。前記角度は５０°から７０°である。
【０００８】
本発明の実施形態では、感光チップにおいて、前記角度は６０°である。
【０００９】
本発明の実施形態では、感光チップにおいて、等脚台形本体の高さは、平行な２辺のうちの短辺の０.８７倍から５.２２倍である。
【００１０】
本発明の実施形態では、感光チップにおいて、等脚台形本体の高さは、平行な２辺のうちの短辺の１.４４倍である。
（【００１１】以降は省略されています）

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