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公開番号2025123857
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-25
出願番号2024019594
出願日2024-02-13
発明の名称反射型マスク
出願人大日本印刷株式会社
代理人個人,個人
主分類G03F 1/24 20120101AFI20250818BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】遮光領域でのアウトオブバンド光の反射を低減でき、製造が容易な反射型マスクを提供する。
【解決手段】本開示は、基板と、上記基板の一方の面に配置された多層膜と、上記多層膜の上記基板とは反対の面に配置された吸収層のパターンと、を有する反射型マスクであって、上記吸収層のパターンを有する転写パターン領域と、上記転写パターン領域の外周に配置され、上記多層膜および上記吸収層を有さず、上記基板が露出している遮光領域とを有し、上記遮光領域の上記基板の上記多層膜側の面に複数の凹部を有し、上記凹部が1段以上の階段形状を有し、上記凹部の上記階段形状の各段の表面が凸面を有する、反射型マスクを提供する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、前記基板の一方の面に配置された多層膜と、前記多層膜の前記基板とは反対の面に配置された吸収層のパターンと、を有する反射型マスクであって、
前記吸収層のパターンを有する転写パターン領域と、前記転写パターン領域の外周に配置され、前記多層膜および前記吸収層を有さず、前記基板が露出している遮光領域とを有し、
前記遮光領域の前記基板の前記多層膜側の面に複数の凹部を有し、
前記凹部が１段以上の階段形状を有し、
前記凹部の前記階段形状の各段の表面が凸面を有する、反射型マスク。
続きを表示（約 220 文字）【請求項２】
前記凹部の深さが不均一である、請求項１に記載の反射型マスク。
【請求項３】
前記階段形状の段数が１段であり、平面視において、前記遮光領域の面積を１００％としたとき、前記階段形状の最上段の合計面積が３０％以上７０％以下である、請求項１または請求項２に記載の反射型マスク。
【請求項４】
前記基板の前記多層膜とは反対の面に導電膜を有する、請求項１または請求項２に記載の反射型マスク。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、極紫外線（ＥｘｔｒｅｍｅＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ；ＥＵＶ）リソグラフィに用いられる反射型マスクに関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体産業において、半導体デバイスの微細化に伴い、ＥＵＶを用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。ＥＵＶリソグラフィに用いられるマスクとしては、反射型マスクが提案されている。反射型マスクは、例えば、基板と、基板の一方の面に配置され、ＥＵＶ光を反射する多層膜と、多層膜の基板とは反対の面にパターン状に配置され、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを有するマスクである。ＥＵＶリソグラフィにおいて、反射型マスクに入射したＥＵＶ光は、吸収層では吸収され、多層膜では反射されて、多層膜での反射による光像が反射光学系を通してウェハ上に転写される。
【０００３】
反射型マスクを用いてウェハ上にパターンを転写するに際しては、ステップアンドリピート方式と呼ばれる露光方式が用いられている。ステップアンドリピート方式は、ウェハを逐次移動（ステップ）して、繰り返し（リピート）露光する方法である。ステップアンドリピート方式の露光装置は、ステッパーと呼ばれている。
【０００４】
このステップアンドリピート方式で露光を行う場合、通常、ウェハから可能な限り多くのチップを取り出すため、反射型マスクにおける吸収層のパターンが配置された転写パターン領域は互いに可能な限り近接して転写される。また、ステップアンドリピート方式の場合、一般に、転写パターン領域よりも若干広い領域を露光する。そのため、ウェハ上における隣接する露光領域では、露光領域が重なり合う領域が生じる。以下、露光領域が重なり合う領域を、多重露光領域と称する場合がある。例えば、矩形の露光領域の場合、１つの露光領域の角は他の３つの露光領域と重なり、４回露光されることになる。
【０００５】
多重露光領域では、複数回露光されるため、露光光の大部分が吸収層に吸収されて、１回の露光では実質的に解像に寄与しない露光量であったとしても、露光量が加算されて解像に寄与する量に達してしまう場合がある。その結果、不要なパターンが形成されることになり、高精度なパターンが得られないという問題が起こる。
【０００６】
また、反射型マスクにおいては、露光光はマスク面に対し垂直な方向から数度、通常６度程度傾いた方向より入射される。吸収層は厚さを持つため、露光光が斜めから入射されることで、吸収層のパターン自身の影が生じる。この影響を影効果と呼ぶ。影効果の度合いは、露光光に対する吸収層のパターンの向きによって異なり、ウェハへの転写寸法に影響を与える。この影効果の問題は特に近年のパターンの微細化に伴い顕著になってきている。
【０００７】
このような影効果を抑制するためには、吸収層は薄い方が好ましい。しかし、吸収層の厚さを薄くすると、吸収層による露光光の吸収が少なくなるため、上述の多重露光領域でのパターン不良の問題が大きくなる。
【０００８】
そこで、反射型マスクにおいて、多重露光領域を形成する、転写パターン領域の外周に位置する外周領域からの反射光を抑制するために、転写パターン領域の外周に遮光領域を配置することが提案されている。遮光領域は、遮光枠、遮光帯とも呼ばれる。
【０００９】
また、ＥＵＶ光源からは、ＥＵＶ領域の光の他に、アウトオブバンド（ＯｕｔｏｆＢａｎｄ；ＯｏＢ）光と呼ばれる紫外線領域の光も放射することが知られている。ＥＵＶリソグラフィに用いられるレジストは、アウトオブバンド光のうち波長１００ｎｍから３００ｎｍ付近の真空紫外光にも感度を有するため、この波長領域のアウトオブバンド光に感光する。
【００１０】
例えば上記の遮光領域を有する反射型マスクでは、遮光領域にて基板表面が露出しているため、アウトオブバンド光が、基板表面で反射したり、基板を透過して基板の裏面に配置された導電膜で反射したりする。上述したように多重露光領域では複数回露光されるため、露光量が加算されるので、アウトオブバンド光の反射によりレジストが感光してしまうことが懸念される。
（【００１１】以降は省略されています）

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