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公開番号2025117519
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-12
出願番号2024136914
出願日2024-08-16
発明の名称加工された半導体基板の製造方法、及び積層体の製造方法
出願人日産化学株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/304 20060101AFI20250804BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体基板を加工する際の工程が短縮された、加工された半導体基板の製造方法などの提供。
【解決手段】加工された半導体基板の製造方法であって、
半導体基板と、前記半導体基板上に形成された樹脂層とを有し、前記樹脂層の前記半導体基板側と反対側の表面が露出している積層体が用意される工程と、
前記積層体の前記半導体基板が加工される工程と、
を含み、
前記樹脂層が、ヒドロシリル化反応によって硬化する成分(A)を含有する樹脂組成物から形成された樹脂層である、
加工された半導体基板の製造方法。
【選択図】図2B

特許請求の範囲【請求項１】
加工された半導体基板の製造方法であって、
半導体基板と、前記半導体基板上に形成された樹脂層とを有し、前記樹脂層の前記半導体基板側と反対側の表面が露出している積層体が用意される工程と、
前記積層体の前記半導体基板が加工される工程と、
を含み、
前記樹脂層が、ヒドロシリル化反応によって硬化する成分（Ａ）を含有する樹脂組成物から形成された樹脂層である、
加工された半導体基板の製造方法。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記成分（Ａ）が、
ケイ素原子に結合した炭素数２～４０のアルケニル基を有するポリオルガノシロキサン（ａ１）と、
Ｓｉ－Ｈ基を有するポリオルガノシロキサン（ａ２）と、
触媒（Ａ２）と、
を含有する、請求項１に記載の加工された半導体基板の製造方法。
【請求項３】
前記加工工程に供される前記積層体における前記樹脂層の厚みが、１００μｍ～５００μｍである、請求項１に記載の加工された貼導体基板の製造方法。
【請求項４】
前記加工工程が、前記半導体基板の前記樹脂層側と反対側の表面を研削して、前記半導体基板を薄くすることを含む、請求項１に記載の加工された半導体基板の製造方法。
【請求項５】
前記加工工程において、前記樹脂層の前記半導体基板側と反対側の表面を固定部材に接触させることによって、前記積層体が前記固定部材に固定されている、請求項１に記載の加工された半導体基板の製造方法。
【請求項６】
前記固定部材が、真空チャックである、請求項５に記載の加工された半導体基板の製造方法。
【請求項７】
前記積層体が用意される工程が、
前記半導体基板上に前記樹脂組成物を塗布して、塗布層を形成する工程と、
前記塗布層の表面を平担化して、前記樹脂層を形成する工程と、
を含む、請求項１に記載の加工された半導体基板の製造方法。
【請求項８】
半導体基板と、前記半導体基板上に形成された樹脂層とを有する積層体を製造する積層体の製造方法であって、
前記半導体基板上に樹脂組成物を塗布して、塗布層を形成する工程と、
前記塗布層の表面を平担化して、前記樹脂層を形成する工程と、
を含む、積層体の製造方法。
【請求項９】
前記樹脂組成物が、ヒドロシリル化反応によって硬化する成分（Ａ）を含有する、請求項８に記載の積層体の製造方法。
【請求項１０】
前記成分（Ａ）が、
ケイ素原子に結合した炭素数２～４０のアルケニル基を有するポリオルガノシロキサン（ａ１）と、
Ｓｉ－Ｈ基を有するポリオルガノシロキサン（ａ２）と、
触媒（Ａ２）と、
を含有する、請求項９に記載の積層体の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、加工された半導体基板の製造方法、及び積層体の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,700 文字）【背景技術】
【０００２】
従来２次元的な平面方向に集積してきた半導体ウエハーは、より一層の集積化を目的に平面を更に３次元方向にも集積（積層）する半導体集積技術が求められている。この３次元積層はシリコン貫通電極（ＴＳＶ：ｔｈｒｏｕｇｈｓｉｌｉｃｏｎｖｉａ）によって結線しながら多層に集積していく技術である。多層に集積する際に、集積されるそれぞれのウエハーは形成された回路面とは反対側（即ち、裏面）を研磨によって薄化し、薄化された半導体ウエハーを積層する。
【０００３】
薄化前の半導体ウエハー（ここでは単にウエハーとも呼ぶ）が、研磨装置で研磨するために支持体に接着される。その際の接着は研磨後に容易に剥離されなければならないため、仮接着と呼ばれる。この仮接着は支持体から容易に取り外されなければならず、取り外しに大きな力を加えると薄化された半導体ウエハーは、切断されたり変形したりすることがあり、その様なことが生じない様に、容易に取り外される。しかし、半導体ウエハーの裏面研磨時に研磨応力によって外れたりずれたりすることは好ましくない。従って、仮接着に求められる性能は研磨時の応力に耐え、研磨後に容易に取り外されることである。
【０００４】
そのような仮接着に用いられる仮接着剤として、ポリジメチルシロキサンを含有する接着剤（特許文献１）、エポキシ変性ポリシロキサンを含有する仮接着剤（特許文献２）などが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
国際公開第２０１７／２２１７７２号パンフレット
国際公開第２０１８／２１６７３２号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１及び特許文献２においては、半導体ウエハー（半導体基板）を加工する際、半導体ウエハーと接着層と支持体とが積層された積層体を用いる。
【０００７】
半導体の集積化が進み半導体製造における工程数が多くなるにつれて、製造時間が長くなること及び製造コストが大きくなることが問題となる。そこで、製造時間短縮及び製造コスト低減の観点から、各工程の簡略化が求められる。
【０００８】
本発明は、半導体基板を加工する際の工程短縮が可能な技術を提供することを目的とする。即ち、本発明は、半導体基板を加工する際の工程が短縮された、加工された半導体基板の製造方法、及び半導体基板を加工する際の工程短縮を可能にする積層体を製造する、積層体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、前記の課題を解決する為、鋭意検討を行った結果、前記の課題を解決出来ることを見出し、以下の要旨を有する本発明を完成させた。
【００１０】
すなわち、本発明は以下を包含する。
［１］加工された半導体基板の製造方法であって、
半導体基板と、前記半導体基板上に形成された樹脂層とを有し、前記樹脂層の前記半導体基板側と反対側の表面が露出している積層体が用意される工程と、
前記積層体の前記半導体基板が加工される工程と、
を含み、
前記樹脂層が、ヒドロシリル化反応によって硬化する成分（Ａ）を含有する樹脂組成物から形成された樹脂層である、
加工された半導体基板の製造方法。
［２］前記成分（Ａ）が、
ケイ素原子に結合した炭素数２～４０のアルケニル基を有するポリオルガノシロキサン（ａ１）と、
Ｓｉ－Ｈ基を有するポリオルガノシロキサン（ａ２）と、
触媒（Ａ２）と、
を含有する、［１］に記載の加工された半導体基板の製造方法。
［３］前記加工工程に供される前記積層体における前記樹脂層の厚みが、１００μｍ～５００μｍである、［１］又は［２］に記載の加工された貼導体基板の製造方法。
［４］前記加工工程が、前記半導体基板の前記樹脂層側と反対側の表面を研削して、前記半導体基板を薄くすることを含む、［１］から［３］のいずれかに記載の加工された半導体基板の製造方法。
［５］前記加工工程において、前記樹脂層の前記半導体基板側と反対側の表面を固定部材に接触させることによって、前記積層体が前記固定部材に固定されている、［１］から［４］のいずれかに記載の加工された半導体基板の製造方法。
［６］前記固定部材が、真空チャックである、［５］に記載の加工された半導体基板の製造方法。
［７］前記積層体が用意される工程が、
前記半導体基板上に前記樹脂組成物を塗布して、塗布層を形成する工程と、
前記塗布層の表面を平担化して、前記樹脂層を形成する工程と、
を含む、［１］から［６］のいずれかに記載の加工された半導体基板の製造方法。
［８］半導体基板と、前記半導体基板上に形成された樹脂層とを有する積層体を製造する積層体の製造方法であって、
前記半導体基板上に樹脂組成物を塗布して、塗布層を形成する工程と、
前記塗布層の表面を平担化して、前記樹脂層を形成する工程と、
を含む、積層体の製造方法。
［９］前記樹脂組成物が、ヒドロシリル化反応によって硬化する成分（Ａ）を含有する、［８］に記載の積層体の製造方法。
［１０］前記成分（Ａ）が、
ケイ素原子に結合した炭素数２～４０のアルケニル基を有するポリオルガノシロキサン（ａ１）と、
Ｓｉ－Ｈ基を有するポリオルガノシロキサン（ａ２）と、
触媒（Ａ２）と、
を含有する、［９］に記載の積層体の製造方法。
［１１］前記積層体が、前記半導体基板を加工するための積層体である、［８］から［１０］のいずれかに記載の積層体の製造方法。
［１２］前記半導体基板の加工が、前記半導体基板の前記樹脂層側と反対側の表面を研削して、前記半導体基板を薄くすることを含む、［１１］に記載の積層体の製造方法。
［１３］前記塗布層の厚み（Ｔｃ）と前記樹脂層の厚み（Ｔｒ）との差（Ｔｃ－Ｔｒ）が、５μｍ～２００μｍである、［８］から［１２］のいずれかに記載の積層体の製造方法。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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