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公開番号2025115763
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-07
出願番号2024010398
出願日2024-01-26
発明の名称カーフ洗浄装置
出願人株式会社東京精密
代理人弁理士法人インターブレイン
主分類H01L 21/304 20060101AFI20250731BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体ウェーハに形成されるカーフの洗浄に好適な洗浄装置を提供する。
【解決手段】ある態様は、表面に設定されたストリートにより複数のデバイスが区画されたウェーハWに対してダイシングがなされることで、ストリートに沿って形成されるカーフを洗浄する洗浄装置1である。洗浄装置1は、ウェーハWを保持する保持部10と、カーフに向けて洗浄用の液体ジェットを吐出する洗浄ノズル34と、洗浄ノズル34と保持部10とを相対的に移動させることにより、液体ジェットをカーフの長手方向に移動させる移動機構と、を備える。洗浄ノズル34の吐出口は、ストリートの幅と実質同一又はストリートの幅以下の口径を有する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
表面に設定されたストリートにより複数のデバイスが区画されたウェーハに対してダイシングがなされることで、前記ストリートに沿って形成されるカーフを洗浄するカーフ洗浄装置であって、
前記ウェーハを保持する保持部と、
前記カーフに向けて洗浄用の液体ジェットを吐出する洗浄ノズルと、
前記洗浄ノズルと前記保持部とを相対的に移動させることにより、前記液体ジェットを前記カーフの長手方向に移動させる移動機構と、
を備え、
前記洗浄ノズルの吐出口は、前記ストリートの幅と実質同一又は前記ストリートの幅以下の口径を有する、カーフ洗浄装置。
続きを表示（約 870 文字）【請求項２】
前記洗浄ノズルの吐出口は、前記カーフの幅と実質同一又は前記カーフの幅以下の口径を有する、請求項１に記載のカーフ洗浄装置。
【請求項３】
前記液体ジェットを取り囲むガスジェットを吐出することで、前記液体ジェットの広がりを抑制するエアノズルをさらに備える、請求項１又は２に記載のカーフ洗浄装置。
【請求項４】
前記洗浄ノズルの前記ウェーハの表面に対する傾斜角度を調整可能な角度調整機構をさらに備える、請求項１に記載のカーフ洗浄装置。
【請求項５】
前記液体ジェットとして吐出される洗浄液にマイクロバブル又はナノバブルを混入させるためのファインバブル混入部をさらに備える、請求項１に記載のカーフ洗浄装置。
【請求項６】
前記洗浄ノズルを含み、前記液体ジェットを吐出する第１洗浄部と、
前記液体ジェットとは別に、前記ウェーハの表面に液膜を形成するように洗浄液を供給する第２洗浄部と、
を備える、請求項１に記載のカーフ洗浄装置。
【請求項７】
前記ウェーハの表面を水平面に対して傾斜させるよう前記保持部が前記ウェーハを保持することで、前記液膜の流れを形成する、請求項６に記載のカーフ洗浄装置。
【請求項８】
前記液膜を形成するための洗浄液にマイクロバブル又はナノバブルを混入させるためのファインバブル混入部をさらに備える、請求項６又は７に記載のカーフ洗浄装置。
【請求項９】
前記保持部が、前記ウェーハの表面を水平面に対して傾斜させるよう前記ウェーハを保持することで、前記カーフに向けて吐出された洗浄液が、前記カーフに沿って重力方向下方に流れる、請求項１に記載のカーフ洗浄装置。
【請求項１０】
前記保持部が、前記ウェーハの表面を下方に向けるように前記ウェーハを保持し、
前記洗浄ノズルが、前記カーフの下方から液体ジェットを吐出する、請求項１に記載のカーフ洗浄装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシングによりウェーハに形成されたカーフを洗浄する装置に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体製造の前工程で多数のデバイスが形成されたウェーハは、ダイシング工程においてデバイスごとに複数のチップに分割される。ウェーハの表面には複数のデバイスが形成され、ストリートと呼ばれる分割予定ラインにより各デバイスが区画される。チップがバラバラにならないよう、ダイシングに先立ってウェーハの裏面に粘着テープ（以下「ダイシングテープ」ともよぶ）が貼り付けられる。ダイシング工程では、ウェーハの表面側からストリートに沿った切込みがなされ、デバイスが分割される。
【０００３】
ダイシング方式としては、ダイシングブレードをウェーハに押し当てながら切削加工を行うブレードダイシング方式、レーザ光を用いてウェーハの表面を分離加工するレーザダイシング方式などがある。いずれの方式を採用しても、ウェーハの表面にはストリート内にダイシングによるカーフ（切溝）が形成される。
【０００４】
カーフの壁面には、ダイシングで発生したデブリが付着することがある。また、カーフのエッジ部は脆いため、剥がれかかった層が生じることもあり、そのエッジ部の剥離片が新たなデブリとなる。これらのデブリがデバイスに付着すると、その後の工程（ワイヤボンディング工程等）において不良が生じるおそれがある。この点に関し、ウェーハを加工後に洗浄してデブリを除去する技術が提案されている（特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開平５－９０２３７号公報
特開２００８－６０２８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の洗浄装置は、いわゆるスピン洗浄によりカーフ内に残存するデブリを除去する。ダイシング後のウェーハをスピンナテーブル上に保持し、斜め上方からカーフの側面に向けて洗浄液を供給しつつスピンナテーブルを正転および逆転させる。それにより、カーフの両側壁に洗浄液を当てることができ、デブリを洗い流すことができる。カーフに付着していたデブリは、遠心力により洗浄液とともに飛散し外部に排出される。しかし、スピン洗浄は一般に洗浄液を低圧で供給するため、デブリの付着度合いによっては十分に除去できない。特にウェーハの中心部は回転が低速であるため、十分な洗浄力を得難い。この点、スピンナテーブルの回転数を高めることも考えられるが、回転数を上げ過ぎるとウェーハの保持が不安定となる可能性がある。
【０００７】
一方、特許文献２の洗浄装置は、半導体製造の前工程において基板表面を洗浄するものである。ドライエッチング後の基板に対し、配線溝に沿って洗浄液を斜めに噴射することで異物を除去する。洗浄液は基板の表面全体に満遍なく噴射されるため、その噴射圧はそれほど高圧にはならないが、ドライエッチング後の異物（レジスト残渣など）は十分除去することが可能と考えられる。一方、ダイシングにおいては、溶融したデブリが固着する場合などがあるため、この洗浄装置をカーフ洗浄に適用しても、カーフ内のデブリを除去するには液圧が低く、十分な洗浄効果を得難い。この点、洗浄液の噴射圧を高圧にして対応することも考えられるが、そうすると高圧の洗浄液がチップ内にも及び、デバイスを破損させるおそれがある。
【０００８】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、半導体ウェーハに形成されるカーフの洗浄に好適な洗浄装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のある態様は、表面に設定されたストリートにより複数のデバイスが区画されたウェーハに対してダイシングがなされることで、ストリートに沿って形成されるカーフを洗浄するカーフ洗浄装置である。この洗浄装置は、ウェーハを保持する保持部と、カーフに向けて洗浄用の液体ジェットを吐出する洗浄ノズルと、洗浄ノズルと保持部とを相対的に移動させることにより、液体ジェットをカーフの長手方向に移動させる移動機構と、を備える。洗浄ノズルの吐出口は、ストリートの幅と実質同一又はストリートの幅以下の口径を有する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、半導体ウェーハに形成されるカーフの洗浄に好適な洗浄装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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