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公開番号2025114005
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-04
出願番号2025009308
出願日2025-01-22
発明の名称レジスト剥離及びシードエッチング用の処理液及び処理方法
出願人花王株式会社
代理人弁理士法人池内アンドパートナーズ
主分類G03F 7/40 20060101AFI20250728BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】一態様において、ネガ型ドライフィルムレジストの剥離と金属シード層のエッチングとを効率よく同時に行うことが可能な処理液を提供する。
【解決手段】本開示は、一態様において、ネガ型ドライフィルムレジスト層及び金属シード層を有する基板を用いた電子基板の製造において、ネガ型ドライフィルムレジスト層の剥離と金属シード層のエッチングを同時に行うための処理液であって、
有機アルカリ(成分A)、第1級アンモニウム源(成分B)、及び酸化剤(成分C)を含む、レジスト剥離及びシードエッチング用の処理液に関する。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
ネガ型ドライフィルムレジスト層及び金属シード層を有する基板を用いた電子基板の製造において、ネガ型ドライフィルムレジスト層の剥離と金属シード層のエッチングを同時に行うための処理液であって、
有機アルカリ（成分Ａ）、第１級アンモニウム源（成分Ｂ）、及び酸化剤（成分Ｃ）を含む、レジスト剥離及びシードエッチング用の処理液。
続きを表示（約 560 文字）【請求項２】
成分Ａは、第４級アンモニウム塩（成分Ａ１）及びアルカノールアミン（成分Ａ２）から選ばれる少なくとも１種である、請求項１に記載の処理液。
【請求項３】
成分Ａは、第４級アンモニウム塩（成分Ａ１）とアルカノールアミン（成分Ａ２）との組合せである、請求項１又は２に記載の処理液。
【請求項４】
水（成分Ｄ）をさらに含む、請求項１又は２に記載の処理液。
【請求項５】
成分Ｃに対する成分Ａの質量比Ａ／Ｃが０．０１以上１００以下である、請求項１又は２に記載の処理液。
【請求項６】
成分Ｃに対する成分Ｂの質量比Ｂ／Ｃが０．０１以上１００以下である、請求項１又は２に記載の処理液。
【請求項７】
前記金属シード層は、無電解銅めっきにより形成された銅含有金属シード層である、請求項１又は２に記載の処理液。
【請求項８】
ネガ型ドライフィルムレジスト層及び金属シード層を有する基板からネガ型ドライフィルムレジスト層を剥離するとともに金属シード層をエッチングする処理方法であって、
請求項１又は２に記載の処理液を、ネガ型ドライフィルムレジスト層及び金属シード層を有する基板に接触させることを含む、処理方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、レジスト剥離及びシードエッチング用の処理液及び処理方法に関する。
続きを表示（約 2,600 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、パーソナルコンピュータや各種電子デバイスにおいては、低消費電力化、処理速度の高速化、小型化が進み、これらに搭載されるパッケージ基板などの配線は年々微細化が進んでいる。このような微細配線並びにピラーやバンプといった接続端子形成にはこれまでメタルマスク法が主に用いられてきたが、汎用性が低いことや配線等の微細化への対応が困難になってきたことから、他の新たな方法へと変わりつつある。
【０００３】
新たな方法の一つとして、ドライフィルムレジストをメタルマスクに代えて厚膜樹脂マスクとして使用する方法が知られている。この樹脂マスクは最終的に剥離・除去されるが、その際にアルカリ性の剥離用洗浄剤が使用される。
【０００４】
例えば、特許文献１には、半導体の製造におけるエッチング後残留物を除去するための組成物として、水酸化テトラアルキルアンモニウム塩基又は第四級トリアルキルアルカノールアミン塩基と、腐食抑制剤と、少なくとも２種以上の多塩基酸又はその組み合わせと、含むストック組成物であって、少なくとも１種の前記多塩基酸又はその塩がリンを含有する組成物が提案されている。
特許文献２には、半導体デバイス製造において基板上に存在するフォトレジスト、エッチング残渣物、反射防止膜、アッシング残渣物等を除去するための洗浄液として、酸化剤、金属エッチング剤、および界面活性剤を含み、ｐＨが１０～１４である半導体デバイス用洗浄液が提案されている。
特許文献３には、半導体デバイスの製造工程において、基板上に存在するフォトレジスト、反射防止膜、及びエッチング残渣等を除去するための剥離液として、第４級アンモニウム水酸化物、酸化剤、アルカノールアミン、及びアルカリ金属水酸化物を含む水溶液からなる半導体デバイスの剥離液が提案されている。
特許文献４には、銅配線半導体デバイス用の洗浄液として、水、尿素及び／エチレン尿素、有機酸及び／又はその塩、及びアルカリ成分を含んでなる洗浄液が提案されている。
特許文献５には、電子基板の製造方法で用いるレジスト用剥離剤として、水溶性アミン及び／又はアンモニウム化合物と酸化剤とラジカル補足剤と水とを含有してなるレジスト用剥離組成物が提案されている。
特許文献６には、銅配線形成工程、レジスト崩壊工程、及びレジスト剥離工程を有する電子基板の製造方法であって、レジスト崩壊工程において酸化剤を含有するｐＨ２～８の崩壊剤組成物を用い、並びに、レジスト剥離工程において第４級アンモニウム化合物及び／又は水溶性アミン化合物と酸化剤と水とを含有するｐＨ９～１４の剥離剤組成物を用いる電子基板の製造方法が提案されている。
特許文献７には、マイクロエレクトロニクス基板用洗浄液として、無金属イオンの塩基水溶液、非イオン性表面活性剤、及び洗浄液のｐＨを約８～１０の範囲に調整するための成分を含む、アルカリ性洗浄液が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特表２０２０－５１３４４０号公報
特開２００９－２３１３５４号公報
特開２００９－７５２８５号公報
特開２００４－２９２７９２号公報
特開２００４－３５４６４９号公報
特開２００４－３１７５８４号公報
特開平７－２９７１５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体チップ同士を電気接続するための配線基板、特に微細配線の形成には、一般的にセミアディティブ法（Semi Additive Process）が用いられている。例えば、特開２００９－１２０８７０号公報には、セミアディティブ法を用いた配線基板の製造方法が提案されている。
セミアディティブ法を用いた配線基板の製造工程としては、通常、基板上に無電解めっきにより金属シード層（この金属シート層は、後で行われる電解めっきにより電極又は金属配線となる）を形成する工程、金属シード層表面上に回路パターンを形成するためのドライフィルムレジスト層（レジストパターン）を形成し露光及び現像で回路パターンのマスクを形成する工程、ドライフィルムレジスト層をマスクとして金属シード層が露出している部分（レジストパターンに覆われていない部分）に電解めっきにより金属層（回路パターン、電極又は金属配線）を形成する工程、ドライフィルムレジスト層を剥離する工程（レジスト剥離工程）、ドライフィルムレジスト層の剥離によって露出した金属シード層（レジストパターンに覆われていた部分）をエッチングする工程（シードエッチング工程）を含むものが挙げられる。
しかしながら、生産効率の向上や設備投資を減らす点から、セミアディティブ法を用いた配線基板の製造工程の簡素化が求められている。
【０００７】
そこで、本開示は、ネガ型ドライフィルムレジストの剥離と金属シード層のエッチングを効率的に同時に行うことが可能な処理液及び処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示は、一態様において、ネガ型ドライフィルムレジスト層及び金属シード層を有する基板を用いた電子基板の製造において、ネガ型ドライフィルムレジスト層の剥離と金属シード層のエッチングを同時に行うための処理液であって、有機アルカリ（成分Ａ）、第１級アンモニウム源（成分Ｂ）、及び酸化剤（成分Ｃ）を含む、レジスト剥離及びシードエッチング用の処理液に関する。
【０００９】
本開示は、一態様において、ネガ型ドライフィルムレジスト層及び金属シード層を有する基板からネガ型ドライフィルムレジスト層を剥離するとともに金属シード層をエッチングする処理方法であって、本開示の処理液を、ネガ型ドライフィルムレジスト層及び金属シード層を有する基板に接触させることを含む、処理方法に関する。
【発明の効果】
【００１０】
本開示によれば、一又は複数の実施形態において、ネガ型ドライフィルムレジストの剥離と金属シード層のエッチングを効率的に同時に行うことが可能な処理液を提供できる。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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